去耦電容有效使用方法的要點(diǎn)大致可以分為以下兩種。另外,還有其他幾點(diǎn)需要注意。
1:使用多個(gè)去耦電容
去耦電容的有效使用方法之一是用多個(gè)(而非1個(gè))電容進(jìn)行去耦。使用多個(gè)電容時(shí),使用相同容值的電容時(shí)和交織使用不同容值的電容時(shí),效果是不同的。
使用多個(gè)容值相同的電容時(shí)
右圖是使用1個(gè)22μF的電容時(shí)(藍(lán)色)、增加1個(gè)變?yōu)?個(gè)時(shí)(紅色)、再增加1個(gè)變?yōu)?個(gè)(紫色)時(shí)的頻率特性。
如圖所示,當(dāng)增加容值相同的電容后,阻抗在整個(gè)頻率范圍均向低的方向轉(zhuǎn)變,也就是說(shuō)阻抗越來(lái)越低。
這一點(diǎn)可通過(guò)思考并聯(lián)連接容值相同的電容時(shí),到諧振點(diǎn)的容性特性、取決于ESR(等效串聯(lián)電阻)的諧振點(diǎn)阻抗、諧振點(diǎn)以后的ESL(等效串聯(lián)電感)影響的感性特性來(lái)理解。
并聯(lián)的電容容值是相加的,所以3個(gè)電容為66μF,容性區(qū)域的阻抗下降。
諧振點(diǎn)的阻抗是3個(gè)電容的ESR并聯(lián),因此為
,假設(shè)這些電容的ESR全部相同,則ESR減少至1/3,阻抗也下降。
諧振點(diǎn)以后的感性區(qū)域的ESL也是并聯(lián),因此為
,假設(shè)3個(gè)電容的ESL全部相同,則ESL減少至1/3,阻抗也下降。
由此可知,通過(guò)使用多個(gè)相同容值的電容,可在整個(gè)頻率范圍降低阻抗,因此可進(jìn)一步降低噪聲。
使用多個(gè)容值不同的電容時(shí)
這些曲線是在22μF的電容基礎(chǔ)上并聯(lián)增加0.1μF、以及0.01μF的電容后的頻率特性。
通過(guò)增加容值更小的電容,可降低高頻段的阻抗。相對(duì)于一個(gè)22μF電容的頻率特性來(lái)說(shuō),0.1μF和0.01μF的特性是合成后的特性(紅色虛線)。
這里必須注意的是,有些頻率點(diǎn)產(chǎn)生反諧振,阻抗反而增高,EMI惡化。反諧振發(fā)生于容性特性和感性特性的交叉點(diǎn)。
所增加電容的電容量,一般需要根據(jù)目標(biāo)降噪頻率進(jìn)行選型。
另外,在這里給出的頻率特性波形圖是理想的波形圖,并未考慮PCB板的布局布線等引起的寄生分量。在實(shí)際的噪聲對(duì)策中,需要考慮寄生分量的影響。
2:降低電容的ESL
去耦電容的有效使用方法的第二個(gè)要點(diǎn)是降低電容的ESL(即等效串聯(lián)電感)。雖說(shuō)是“降低ESL”,但由于無(wú)法改變單個(gè)產(chǎn)品的ESL本身,因此這里是指“即使容值相同,也要使用ESL小的電容”。通過(guò)降低ESL,可改善高頻特性,并可更有效地降低高頻噪聲。
即使容值相同也要使用尺寸較小的電容
對(duì)于積層陶瓷電容(MLCC),有時(shí)會(huì)準(zhǔn)備容值相同但尺寸不同的幾個(gè)封裝。ESL取決于引腳部位的結(jié)構(gòu)。尺寸較小的電容基本上引腳部位也較小,通常ESL較小。
右圖是容值相同、大小不同的電容的頻率特性示例。如圖所示,更小的1005尺寸的諧振頻率更高,在之后感性區(qū)域的頻率范圍阻抗較低。這正如在“電容的頻率特性”中所介紹的,電容的諧振頻率是基于以下公式的,從公式中可見(jiàn),只要容值相同,ESL越低諧振頻率越高。另外,感性區(qū)域的阻抗特性取決于ESL,這一點(diǎn)也曾介紹過(guò)。
關(guān)于噪聲對(duì)策,當(dāng)需要降低更高頻段的噪聲時(shí),可以選擇尺寸小的電容。
使用旨在降低ESL的電容
積層陶瓷電容中,有些型號(hào)采用的是旨在降低ESL的形狀和結(jié)構(gòu)。
如圖所示,普通電容的電極在短邊側(cè),而LW逆轉(zhuǎn)型的電極則相反,在長(zhǎng)邊側(cè)。由于L(長(zhǎng)度)和W(寬度)相反,故稱“LW逆轉(zhuǎn)型”。是通過(guò)增加電極的寬度來(lái)降低ESL的類型。
三端電容是為了改善普通電容(兩個(gè)引腳)的頻率特性而優(yōu)化了結(jié)構(gòu)的電容。三端電容是將雙引腳電容的一個(gè)引腳(電極)的另一端向外伸出作為直通引腳,將另一個(gè)引腳作為GND引腳。在上圖中,輸入輸出電極相當(dāng)于兩端伸出的直通引腳,左右的電極當(dāng)然是導(dǎo)通的。這種輸入輸出電極(直通引腳)和GND電極間存在電介質(zhì),起到電容的作用。
將輸入輸出電極串聯(lián)插入電源或信號(hào)線(將輸入輸出電極的一端連接輸入端,另一端連接輸出端),GND電極接地。這樣,由于輸入輸出電極的ESL不包括在接地端,因此接地的阻抗變得非常低。另外,輸入輸出電極的ESL通過(guò)在噪聲路徑直接插入,有利于降低噪聲(增加插入損耗)。
通過(guò)在長(zhǎng)邊側(cè)成對(duì)配置GND電極,可抑制ESL;再采用并聯(lián)的方式,可使ESL減半。
基于這樣的結(jié)構(gòu),三端電容不僅具有非常低的ESL,而且可保持低ESR,與相同容值相同尺寸的雙引腳型電容相比,可顯著改善高頻特性。
3:其他注意事項(xiàng)
①Q(mào)較高的陶瓷電容
電容具有被稱為“Q”的特性。下圖即表示Q和頻率-阻抗特性之間的關(guān)系。
當(dāng)Q值高時(shí),阻抗在特定的窄帶會(huì)變得非常低。當(dāng)Q值低時(shí),阻抗雖然不會(huì)極度下降,但可以在很寬的頻段內(nèi)降低。這種特性可能有助于符合某些EMC標(biāo)準(zhǔn)。例如,使用電容量變化較大的電容時(shí),如果Q值很高,則可能存在無(wú)法消除目標(biāo)頻率噪聲的個(gè)體。在這種情況下,還有一種通過(guò)使用具有低Q的電容來(lái)抑制波動(dòng)影響的手法。
②熱風(fēng)焊盤等的PCB圖形
旨在提高散熱性的熱風(fēng)焊盤等的PCB圖形,圖形的電感分量會(huì)增加。電感分量的增加會(huì)使諧振頻率向低頻端移動(dòng),所以有時(shí)可能無(wú)法獲得理想的噪聲消除效果。
③探討對(duì)策時(shí)的電容試裝
試制后需要對(duì)高頻噪聲采取對(duì)策,可以考慮增加小容量的電容器。此時(shí),如下圖所示,如果在大容量電容器上安裝要增加的電容器(左例),則縱向會(huì)增加額外的電感分量,因此不能充分發(fā)揮增加電容器的效果。在中間的例子中,雖然未違背“盡可能使小容量電容靠近噪聲源”的理論,但阻抗會(huì)與實(shí)際修改的PCB布局不同。最好的方法是以盡量接近實(shí)際修改的配置進(jìn)行探討(右例)。
在探討對(duì)策時(shí),也可能會(huì)發(fā)生雖然噪聲試驗(yàn)OK,但安裝到修改后的PCB時(shí)NG的現(xiàn)象,因此需要在探討時(shí)就有意識(shí)地按照實(shí)際來(lái)安裝。
④電容的電容量變化率
噪聲對(duì)策用的電容的電容量變化率較大時(shí),諧振頻率的波動(dòng)會(huì)變大,目標(biāo)消減頻段會(huì)產(chǎn)生變化或波動(dòng),有時(shí)很難找到理想的噪聲對(duì)策。尤其是需要在窄頻段大幅消除噪聲時(shí),需要格外注意。下表表示電容量變化率和實(shí)際的電容量和諧振頻率之間的關(guān)系。仔細(xì)看這個(gè)表的話可以看出,雖然視條件而定,不過(guò)很多情況是無(wú)法接受的。
電容量變化率(%)電容量(pF)諧振頻率(MHz)
+201,200145
+101,100152
+51,050155
±01,000159
-5950163
-10900168
-20800178
※ 按L=1nH計(jì)算
⑤電容器的溫度特性
眾所眾知,電容的特性會(huì)受溫度影響。目前,EMC測(cè)試的溫度特性尚未標(biāo)準(zhǔn)化,但在某些應(yīng)用中,不得不在明顯的高溫或低溫條件/環(huán)境下工作、或在會(huì)產(chǎn)生較大溫度變化的條件/環(huán)境下使用。
在這類情況下,非常有可能發(fā)生“④電容量變化率”中提到的問(wèn)題,所以,用于噪聲對(duì)策的電容,需要盡量使用具有CH、C0G特性的溫度特性優(yōu)異的產(chǎn)品。
關(guān)鍵要點(diǎn):
理解Q與頻率-阻抗特性之間的關(guān)系,并根據(jù)目的區(qū)分Q的差異。
高Q電容窄帶阻抗急劇下降。低Q電容在較寬頻段相對(duì)平緩下降。
PCB圖形的熱風(fēng)焊盤等會(huì)增加電感分量,使諧振頻率向低頻端移動(dòng)。
探討對(duì)策時(shí)的試裝,如果不按照現(xiàn)實(shí)的修改實(shí)際安裝,很可能在修改后的PCB板上無(wú)法獲得探討時(shí)的效果。
電容量變化率大時(shí),諧振頻率會(huì)變化,無(wú)法獲得目標(biāo)頻率理想的噪聲消除效果。
在溫度條件和變動(dòng)較大的嚴(yán)苛應(yīng)用中,可以探討使用具有CH、C0G特性的溫度特性優(yōu)異的電容。
審核編輯:湯梓紅
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原文標(biāo)題:去耦電容的有效使用方法
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