射頻領(lǐng)域，90nm GaN 前景可期

2015 年，Qorvo 率先發(fā)布了 150nm GaN 節(jié)點(diǎn)（業(yè)界第一款），并在過(guò)去 7 年里成為 20-40 Ghz 頻率范圍的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者。在把工藝往 90nm 推進(jìn)之后，Qorvo 將能夠支持 Ka 頻段以上的應(yīng)用。在某些情況下，還可以通過(guò)高速節(jié)點(diǎn)提高 Ka 頻段及 Ka 以下頻段應(yīng)用的性能。

根據(jù)規(guī)劃，先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的GaN能夠用于多個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用，包括雷達(dá)、通信以及通過(guò) W 頻段（基本上達(dá)到 100 GHz）實(shí)現(xiàn)某些目的。其中很多應(yīng)用以現(xiàn)有的 GaN 節(jié)點(diǎn)是無(wú)法妥善解決的。類(lèi)似頻率范圍的商業(yè)應(yīng)用也是如此。

Qorvo 在提供 5G 和其他商用產(chǎn)品方面堪稱(chēng)領(lǐng)軍者，開(kāi)發(fā)這些產(chǎn)品需要對(duì)當(dāng)今的市場(chǎng)需求以及滿足這些需求所需的先進(jìn) GaN 節(jié)點(diǎn)和先進(jìn)互連系統(tǒng)有敏銳的了解。作為一個(gè)領(lǐng)先的商業(yè)供應(yīng)商，Qorvo 在利用晶圓數(shù)量來(lái)推動(dòng)制造流程控制、促進(jìn)工藝和可靠性成熟度以及降低整個(gè) DIB 的成本方面，具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。

與硅 (Si) 或砷化鎵 (GaAs) 相比，90nm GaN 節(jié)點(diǎn)晶體管支持更高的速度、更大的射頻范圍、更高的溫度穩(wěn)健性、高功率穩(wěn)健性、更小的尺寸以及更優(yōu)的能效。與 GaAs 和硅相比，GaN 還可以在更高的電壓電平下工作。這意味著它可以達(dá)到遠(yuǎn)高于 GaAs 或硅晶體管的功率水平。GaN 技術(shù)實(shí)現(xiàn)的更高功率水平讓每個(gè)通道都有更高的功率，使天線陣列能夠用更少的有源元件產(chǎn)生所需的輻射輸出功率，從而使陣列尺寸更小，在系統(tǒng)的其他方面也可以節(jié)約成本。

過(guò)去幾年里，圍繞 90nm GaN 節(jié)點(diǎn)進(jìn)行了廣泛的研發(fā)論證。在商業(yè)應(yīng)用中，幾十年來(lái)，該行業(yè)的帶寬需求一直在擴(kuò)大，越來(lái)越多的數(shù)據(jù)以更高的速率傳輸。隨著帶寬的增加，對(duì)更高頻率的需求也在增加。GaN 使開(kāi)發(fā)者能夠滿足這些不斷增長(zhǎng)的需求。

從新興市場(chǎng)的角度來(lái)看，5G 和即將到來(lái)的 6G 預(yù)計(jì)將繼續(xù)推動(dòng) GaN 應(yīng)用和創(chuàng)新的發(fā)展，部分原因是它們的高功率和高頻率需求。我們今天所熟悉的大部分通信都是建立在 GaN 等技術(shù)的基礎(chǔ)上。GaN 產(chǎn)品可提供所需的無(wú)線和有線通信，幫助我們實(shí)現(xiàn)衛(wèi)星、電纜、雷達(dá)和蜂窩骨干網(wǎng)，滿足我們的高數(shù)據(jù)速率需求。它還提供了運(yùn)行物聯(lián)網(wǎng)、即將面市的自動(dòng)駕駛車(chē)輛以及航空應(yīng)用所需的基礎(chǔ)設(shè)施。

由此可見(jiàn)，GaN 射頻的前景愈加光明。