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功率半導(dǎo)體日本有優(yōu)勢,中國大舉投資

廠商快訊 ? 來源:日經(jīng)中文網(wǎng) ? 作者:大越優(yōu)樹 ? 2022-11-11 10:28 ? 次閱讀
用于控制電力的功率半導(dǎo)體的新一代產(chǎn)品已進(jìn)入普及階段。使用碳化硅(SiC)的半導(dǎo)體以純電動汽

用于控制電力的功率半導(dǎo)體的新一代產(chǎn)品已進(jìn)入普及階段。使用碳化硅(SiC)的半導(dǎo)體以純電動汽車(EV)為中心需求猛增,豐田等車企也計(jì)劃在新車上采用。氮化鎵(GaN)基板的開發(fā)也朝著商用化的方向取得進(jìn)展。由于是左右電子設(shè)備低功耗性能、對脫碳起到關(guān)鍵作用的核心器件,投資競爭也日趨白熱化。

日本的羅姆(ROHM)建在福岡縣筑后市的新生產(chǎn)廠房正在進(jìn)行SiC功率半導(dǎo)體的量產(chǎn)準(zhǔn)備。大部分制造設(shè)備已于2021年引進(jìn)完畢,進(jìn)入2022年后,開始反復(fù)進(jìn)行試制和評測。

羅姆將提前量產(chǎn)SiC功率半導(dǎo)體

羅姆社長松本功表示,“純電動汽車普及等脫碳動向比預(yù)想的時間提前了兩年左右”,目前該公司正在加緊建立量產(chǎn)體制。法國調(diào)查公司Yole的統(tǒng)計(jì)顯示,2021年羅姆的SiC功率半導(dǎo)體份額達(dá)到約10%,排在全球第4位。羅姆提出了借助新生產(chǎn)廠房將份額提高到30%的目標(biāo),“爭取到2025年度使份額上升至世界第一”(松本社長)。

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羅姆的SiC功率半導(dǎo)體

功率半導(dǎo)體起到電流流動或者停止的“開關(guān)”作用。即便在同一產(chǎn)品內(nèi),不同零部件也需要在不同的電壓及電流等條件下工作,因此需要將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,或者調(diào)整電壓。

比如,智能手機(jī)充電器就需要對插座輸出的電流進(jìn)行轉(zhuǎn)換。充電器發(fā)熱,相當(dāng)于在該工作過程中產(chǎn)生的電力損耗。如果功率半導(dǎo)體的性能提高,就可以減少損耗,以較小的耗電量驅(qū)動電氣產(chǎn)品。

全球約一半電力需求來自馬達(dá)

據(jù)日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省的數(shù)據(jù),全球電力需求的約一半來自馬達(dá)。使用功率半導(dǎo)體驅(qū)動馬達(dá)旋轉(zhuǎn)的設(shè)備的工作效率得到改善會帶來很大效果。日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省預(yù)測,通過改善功率半導(dǎo)體的性能,日本每年可減排超過983萬噸(到2050年)的二氧化碳。每年的減排量可達(dá)到2020年度總排放量(10.44億噸)的1%。

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備受關(guān)注的是晶圓使用SiC材料的功率半導(dǎo)體。SiC是碳和硅的化合物,不僅硬度高,而且耐熱性和耐用性出色。因此可承受高電壓和高電流。

SiC材料需要人工合成生產(chǎn),穩(wěn)定生產(chǎn)和加工門檻很高。雖然目前在成本方面與硅材料存在數(shù)倍的差距,但大口徑晶圓方面的量產(chǎn)技術(shù)已經(jīng)確立,供應(yīng)鏈已開始完善。

豐田和本田將在純電動汽車上采用SiC功率半導(dǎo)體

SiC功率半導(dǎo)體在純電動汽車等領(lǐng)域的需求迅速增加,正在進(jìn)入普及期。日本汽車企業(yè)也紛紛采用。豐田在2022年冬季以后上市的“雷克薩斯”純電動汽車“RZ”配備的逆變器中使用SiC功率半導(dǎo)體。本田也打算于2026年在中大型純電動汽車的逆變器中采用SiC產(chǎn)品。

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Yole的統(tǒng)計(jì)顯示,在SiC功率半導(dǎo)體全球份額排名前十的企業(yè)中,日本企業(yè)除羅姆外,還有三菱電機(jī)、富士電機(jī)、東芝等。由東芝和三菱電機(jī)等共同開發(fā)的產(chǎn)品,已被JR東海的東海道新干線列車“N700S”的馬達(dá)驅(qū)動系統(tǒng)采用,日本企業(yè)的技術(shù)實(shí)力逐步提高。

海外企業(yè)的SiC功率半導(dǎo)體份額擁有領(lǐng)先優(yōu)勢??偛吭谌鹗康?a href="http://www.wenjunhu.com/tags/意法半導(dǎo)體/" target="_blank">意法半導(dǎo)體(ST Microelectronics)的SiC市場份額達(dá)到約40%,位列全球首位。該公司的SiC功率半導(dǎo)體已經(jīng)迅速被美國特斯拉的主力純電動汽車“Model 3”的部分產(chǎn)品采用。意法半導(dǎo)體10月還宣布了在意大利新建SiC晶圓工廠的消息。

GaN也作為新一代功率半導(dǎo)體備受關(guān)注

新一代功率半導(dǎo)體方面,氮化鎵(GaN)基板材料也備受關(guān)注。GaN是氮和鎵的化合物,擁有比SiC更穩(wěn)定的結(jié)構(gòu),可以提高頻率。

如果提高頻率,就能更精細(xì)地控制電力,可以使調(diào)整所需要的外圍零部件等縮小尺寸或者減少數(shù)量。隨著電力控制容易發(fā)生電力損耗,但GaN可以減小這種損耗。適用于方便攜帶和容易安裝的充電器及基站等小型產(chǎn)品。

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不過,由于很難制造高品質(zhì)的晶體,目前基板使用的是硅。如果GaN基板能實(shí)現(xiàn)實(shí)用化,還可以承受跟SiC同等以上的高電壓,用途將擴(kuò)大到EV等。也有人期待其成為可以比SiC提高性能的實(shí)力技術(shù)。

在GaN功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,日本企業(yè)的優(yōu)勢在于基礎(chǔ)技術(shù)。據(jù)日本專利廳統(tǒng)計(jì),2000~2019年在世界上申請的相關(guān)專利,日本企業(yè)占4成。在GaN基板領(lǐng)域,三菱化學(xué)集團(tuán)將與日本制鋼所合作,預(yù)計(jì)2023年初實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),住友化學(xué)最早2024年度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

2014年因開發(fā)藍(lán)色發(fā)光二極管LED)而共同獲得諾貝爾物理學(xué)獎的名古屋大學(xué)的天野浩教授認(rèn)為應(yīng)該積極開發(fā)GaN,表示“日本的優(yōu)勢在于材料和器件等”。

化學(xué)及材料等知識的積累將左右功率半導(dǎo)體的競爭力。量產(chǎn)所需要的投資規(guī)模也比尖端邏輯(運(yùn)算)半導(dǎo)體等要小,有很多參與者涉足該領(lǐng)域。日本要想充分利用企業(yè)占優(yōu)勢的基礎(chǔ)技術(shù),行業(yè)重組及并購(M&A)等戰(zhàn)略將左右今后在世界上的競爭力。

功率半導(dǎo)體用途廣,市場仍將增長

功率半導(dǎo)體的特點(diǎn)是用途多樣。不僅用于純電動汽車(EV),還用于家電、鐵路車輛、工業(yè)機(jī)械及可再生能源相關(guān)設(shè)備等需要電氣控制的所有機(jī)器。

三菱電機(jī)功率器件制作所所長巖上徹說:“要想實(shí)現(xiàn)碳中和,需要有利于節(jié)能的功率半導(dǎo)體,今后市場將迅猛增長”。

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英國調(diào)查公司Omdia預(yù)計(jì),2027年的市場規(guī)模將達(dá)到約290億美元,是2020年的近2倍。雖說目前碳化硅(SiC)半導(dǎo)體在迅猛增長,但傳統(tǒng)的硅(Si)半導(dǎo)體仍占市場的9成以上,仍是主流。

半導(dǎo)體市場迎來“硅周期”,進(jìn)入低迷狀態(tài)。受智能手機(jī)及個人電腦供貨量減少的影響,占整個市場7成的運(yùn)算半導(dǎo)體使用的邏輯半導(dǎo)體和存儲用存儲器正在加快減速。

而功率半導(dǎo)體保持堅(jiān)挺。預(yù)測整個半導(dǎo)體市場負(fù)增長的2023年,功率半導(dǎo)體也將增長5%左右。雖然規(guī)模并不大,但以EV為中心,用途多樣,并且左右節(jié)能性能的功率半導(dǎo)體的交易大。

由于預(yù)計(jì)將穩(wěn)定增長,目前的投資動向活躍。瑞薩電子投資約900億日元,重啟了關(guān)閉的工廠作為功率半導(dǎo)體用工廠,計(jì)劃到2025年將產(chǎn)能提高到2倍。日本大型半導(dǎo)體制造裝置企業(yè)迪思科(DISCO)表示:“跟市場減速的存儲器等消費(fèi)類半導(dǎo)體不同,需求旺盛”。

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據(jù)Omdia介紹,功率半導(dǎo)體市場份額第4名以后是三菱電機(jī)(6%)及富士電機(jī)(5%)等日本企業(yè)。前三名是英飛凌科技(21%,排在第一)等歐美企業(yè)。

中國企業(yè)的追趕也很激烈。據(jù)業(yè)界團(tuán)體SEMI統(tǒng)計(jì),中國半導(dǎo)體工廠相關(guān)新建項(xiàng)目(截至10月)中,26家新興企業(yè)中有9家將功率半導(dǎo)體列為生產(chǎn)產(chǎn)品。

杭州士蘭微電子10月籌資65億元,將用于建設(shè)SiC功率半導(dǎo)體的新生產(chǎn)線及每年可生產(chǎn)36萬枚功率半導(dǎo)體大口徑基板的生產(chǎn)線等。

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英飛凌的SiC晶圓(圖片由英飛凌提供)

功率半導(dǎo)體跟邏輯半導(dǎo)體和存儲器不同,使用的是傳統(tǒng)的制造技術(shù),因此制造裝置也不在美國對華制裁之列。

三菱電機(jī)功率器件制作所所長巖上徹雖然說“不僅設(shè)備投資,制造工藝的改善等都需要技術(shù)”,但中國企業(yè)的大膽投資也會成為日本企業(yè)的威脅。

日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省在半導(dǎo)體戰(zhàn)略中將把功率半導(dǎo)體作為重要領(lǐng)域之一。在市場巨變的背景下,日本企業(yè)能否繼續(xù)保持影響力將受到考驗(yàn)。


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