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存儲產(chǎn)品可靠性測試

mkfounder ? 來源:mkfounder ? 作者:mkfounder ? 2022-10-28 17:01 ? 次閱讀

任何一顆合格的存儲芯片,都是由晶圓(Wafer)經(jīng)過一系列的測試,將符合規(guī)格要求的Die取下,封裝形成日常所見的芯片。MK米客方德的存儲產(chǎn)品也是如此,在批量生產(chǎn)前,都會做大量的測試和驗(yàn)證以確保芯片的性能和可靠性!

以下是MK米客方德對產(chǎn)品進(jìn)行可靠性相關(guān)的測試項(xiàng)目。

Pre-Conditioning(PC):預(yù)處理

芯片先在125℃的高溫箱中烘烤24小時(shí),下一步在溫度為60℃、濕度為60%RH的溫濕箱中吸收一定水分,下一步進(jìn)入回流焊測試。查看芯片是否有脫層、爆米花效應(yīng)等;此實(shí)驗(yàn)用于模擬芯片在生產(chǎn)、運(yùn)輸、上板使用等過程。

加速測試

大多數(shù)半導(dǎo)體器件的壽命在正常使用下可超過很多年。但我們不能等到若干年后再研究器件;我們必須增加施加的應(yīng)力。施加的應(yīng)力可增強(qiáng)或加快潛在的故障機(jī)制,幫助找出根本原因,并幫助MK采取措施防止故障模式。

半導(dǎo)體器件中,常見的一些加速因子為溫度、濕度、電壓和電流。在大多數(shù)情況下,加速測試不改變故障的物理特性,但會改變觀察時(shí)間。加速條件和正常使用條件之間的變化稱為“降額”。

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高加速測試是基于 JEDEC的資質(zhì)認(rèn)證測試的關(guān)鍵部分。以下測試反映了基于JEDEC規(guī)范JEP47的高加速條件。如果產(chǎn)品通過這些測試,則表示器件能用于大多數(shù)使用情況。

Test item Ref. 施加的應(yīng)力/加速因子 Test conditions
高溫老化壽命測試(HTOL) JESD22-A108 溫度和電壓 Ta=125℃/Vcc=Vcc max(3.6V)
溫度循環(huán)(TC) JESD22-A104 溫度和溫度變化率 -65℃/10 min~150℃/10 min
溫濕度偏差(HAST) JESD22-A110 溫度、電壓和濕度 130℃/ 85%RH / Vcc=Vcc max(3.6V)
溫濕度無偏壓高加速應(yīng)力測試(uHAST) JESD22-A118 溫度和濕度 130℃ / 85%RH
貯存烘烤(HTSL) JESD22-A103 溫度 Ta=150°C + Preconditioning

溫度循環(huán)測試

根據(jù) JED22-A104標(biāo)準(zhǔn),溫度循環(huán) (TC)讓部件經(jīng)受極端高溫和低溫之間的轉(zhuǎn)換。進(jìn)行該測試時(shí),將部件反復(fù)暴露于這些條件下經(jīng)過預(yù)定的循環(huán)次數(shù)。以評估芯片封裝對于極端高低溫快速轉(zhuǎn)換的耐受度。

高溫老化壽命測試 (HTOL)

HTOL用于確定高溫工作條件下的器件可靠性。該測試通常根據(jù) JESD22-A108標(biāo)準(zhǔn)長時(shí)間進(jìn)行。

溫濕度偏壓高加速應(yīng)力測試 (BHAST)

根據(jù) JESD22-A110標(biāo)準(zhǔn),THB和 BHAST讓器件經(jīng)受高溫高濕條件,同時(shí)處于偏壓之下,其目標(biāo)是讓器件加速腐蝕。THB和 BHAST用途相同,但 BHAST 條件和測試過程讓可靠性團(tuán)隊(duì)的測試速度比 THB快得多??焖俚貙⑵骷?nèi)部缺陷或薄弱環(huán)節(jié)激發(fā)出來,從而剔除有缺陷的器件,提高器件使用可靠性。

熱壓器/無偏壓 HAST

熱壓器和無偏壓 HAST用于確定高溫高濕條件下的器件可靠性。與 THB和 BHAST一樣,它用于加速腐蝕。不過,與這些測試不同,不會對部件施加偏壓。

高溫貯存

HTS(也稱為“烘烤”或 HTSL)用于確定器件在高溫下的長期可靠性。與 HTOL不同,器件在測試期間不處于運(yùn)行條件下。

靜電放電 (ESD)

靜電荷是靜置時(shí)的非平衡電荷。通常情況下,它是由絕緣體表面相互摩擦或分離產(chǎn)生;一個(gè)表面獲得電子,而另一個(gè)表面失去電子。其結(jié)果是稱為靜電荷的不平衡的電氣狀況。

當(dāng)靜電荷從一個(gè)表面移到另一個(gè)表面時(shí),它便成為靜電放電 (ESD),并以微型閃電的形式在兩個(gè)表面之間移動。

當(dāng)靜電荷移動時(shí),就形成了電流,因此可以損害或破壞柵極氧化層、金屬層和結(jié)。

JEDEC通過以下兩種方式測試 ESD。

1.人體放電模型 (HBM)

一種組件級應(yīng)力,用于模擬人體通過器件將累積的靜電荷釋放到地面的行為。人體接觸器件時(shí)產(chǎn)生的放電。基本上一般消費(fèi)級產(chǎn)品達(dá)到2000V即可。

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2.帶電器件模型 (CDM)

一種組件級應(yīng)力,根據(jù) JEDEC JESD22-C101規(guī)范,模擬生產(chǎn)設(shè)備和過程中的充電和放電事件。在元器件裝配、傳遞、試驗(yàn)、測試、運(yùn)輸和儲存的過程中由于殼體與其它材料磨擦,殼體會帶靜電。一旦元器件引出腿接地時(shí),殼體將通過芯體和引出腿對地放電。

poYBAGNbmCOAINfFAAEZSTK_VIc847.png

FT測試(RDT可靠性驗(yàn)證測試)

MK嵌入式產(chǎn)品在特定環(huán)境下通過Burn In板進(jìn)行離線老化。

pYYBAGNbmCOAbnWYAAHUdxH057I917.png


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審核編輯:湯梓紅

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