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2.4G頻段的SI24R2E無線單發(fā)芯片技術(shù)問答,常見問題進(jìn)行匯總解答

李志煌 ? 來源:f596582105 ? 作者:f596582105 ? 2022-10-27 14:06 ? 次閱讀

針對2.4G頻段的無線單發(fā)芯片——SI24R2E,在開發(fā)過程中會遇到的常見問題進(jìn)行匯總解答。

雖說Si24R2E布局走線非常簡單,是否有提供建議參考,可以避免一些誤區(qū)?

芯片數(shù)據(jù)手冊上有標(biāo)準(zhǔn)的參考原理圖,同時我們會提供一份《Si24R2E硬件設(shè)計(jì)指南》,避免客戶在設(shè)計(jì)過程中的一些問題,減少后期調(diào)試改板等工作。

我看到大多數(shù)Si24R2E的板子上都會加一顆100uf的鉭電容,具體作用是什么?

因?yàn)镾i24R2E主要針對是低功耗有源標(biāo)簽應(yīng)用,一般是紐扣電池供電,加100uf鉭電容可以有效穩(wěn)定供電,同時保護(hù)電池延長電池壽命。

Si24R2E SPI 輸入口必須強(qiáng)制10K電阻上拉,否則靜態(tài)電流異常。如果這個10K上拉電阻沒有加,會有什么影響?

靜態(tài)電流會大一些。對于芯片的燒錄以及芯片的燒錄均沒有影響,但是我們強(qiáng)烈建議加上這幾個10K上拉電阻,主要還是穩(wěn)定性更好。

Si24R2E是如何進(jìn)行芯片燒錄的?是否可以外掛MCU控制?

正常是通過我司提供的PC端芯片燒錄上位機(jī)編程器進(jìn)行程序的下載,測試與量產(chǎn)都非常的方便。同時也支持外接MCU控制。

Si24R2E/Si24R2F/Si24R2H,三款產(chǎn)品有什么區(qū)別?

三款芯片均是脫胎于Si24R1,主要的區(qū)別是針對應(yīng)用領(lǐng)域不同,所以功能有所差異。

Si24R2F兼容Si24R2E情況下新增了部分功能:

1.自動發(fā)射模式下,最多支持4個不同信道輪詢發(fā)射;

2.集成溫度監(jiān)測和報警功能(開啟溫度監(jiān)測,每次發(fā)射數(shù)據(jù)都會包含芯片工作環(huán)境溫度數(shù)據(jù));

3.支持按鍵發(fā)射功能;

4.支持發(fā)射數(shù)據(jù)加密。

Si24R2H相比Si24R2E有幾個較大的區(qū)別:

1.R2H功率要高于R2E。分別是12dBm和7dBm;

2.封裝不一樣,分別是R2H QFN32和R2E QFN20;

3.R2H內(nèi)置125K,R2E則沒有;

4.跳頻通道不一樣,R2H只支持4通道跳頻,R2E只支持3通道跳頻;

5.內(nèi)置NVM寄存器燒寫次數(shù)不一樣,R2H可燒寫次數(shù)較少為32次,R2E為128次;

6.R2H支持?jǐn)?shù)據(jù)加密功能,R2E則不支持;

7.R2H支持內(nèi)部測溫,NTC測溫,外掛溫濕度傳感器。R2E則不支持。

如果您還有其他技術(shù)問題未得到解決,可以在評論區(qū)留言一起交流,我們有專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)給您提供強(qiáng)大的技術(shù)支持!

審核編輯 黃昊宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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