【摘要】
在某單板開發(fā)工作中,高速信號(hào)線非常多,為了保證單板的EMI性能,在PCB布線中,盡可能保證信號(hào)線走內(nèi)部信號(hào)層,防止因?yàn)檫^(guò)多表層高速信號(hào)線產(chǎn)生的EMC問(wèn)題無(wú)法定位。但是該方案帶來(lái)的直接問(wèn)題是高速信號(hào)線躍層過(guò)多,過(guò)孔較多,極大的增加了信號(hào)線的插入損耗,影響了信號(hào)完整性。在本單板設(shè)計(jì)中,為了兼顧性能和EMC,采取了反焊盤、電容下方挖地走線等方案改進(jìn)了性能。
一、問(wèn)題提出
該單板存在多組高速信號(hào)線:16路GE,4對(duì)5Gbps的QSGMII Serdes,4對(duì)2.5Gbps的Flexlink Serdes以及5對(duì)125MHZ的差分時(shí)鐘線,25MHZ,48MHZ,125MHZ單端時(shí)鐘各一組等,另外還包括16-54路左右的POE供電網(wǎng)絡(luò)等。考慮到后續(xù)的EMC情況,不可控因素非常多,所以為了保險(xiǎn)起見,在PCB設(shè)計(jì)中嚴(yán)格遵照EMC要求來(lái)布局布線,并盡可能將高速信號(hào)線以距離管腳盡可能短的位置走過(guò)孔到內(nèi)部信號(hào)層。這樣導(dǎo)致的直接后果是高速信號(hào)線經(jīng)過(guò)的過(guò)孔較多,插入損耗較大,對(duì)于性能方面的影響是顯而易見的。 為兼顧EMC性能,高速信號(hào)線的過(guò)孔較多,尤其是5Gbps的SERDES信號(hào)對(duì),一般都經(jīng)過(guò)了4個(gè)過(guò)孔,根據(jù)仿真結(jié)果,插入損耗理想情況下最大值達(dá)到了-10.4dB,而廠家給的插入損耗閾值僅有-12.5dB,已經(jīng)非常接近閾值,對(duì)于高速信號(hào)的數(shù)據(jù)傳送性能造成了極大的隱患。 通過(guò)EDA仿真,以及查閱相關(guān)資料,目前的優(yōu)化方案主要有以下三種: ?反焊盤 ?Stub 長(zhǎng)度優(yōu)化 ?電容下方挖地
二、優(yōu)化方案
1. 反焊盤
反焊盤指的是負(fù)片中銅皮與焊盤的距離。在高速PCB設(shè)計(jì)中,較大的反焊盤尺寸和較低的介電常數(shù)材料可以減少電容負(fù)載,從而可以降低過(guò)孔阻抗,減小傳輸延時(shí)。在該單板中,主要針對(duì)5Gbps的QSGMII SERDES差分對(duì)采用反焊盤處理。本單板使用的反焊盤示例如圖2-1所示,
圖2-1 反焊盤示例
通過(guò)對(duì)本板的仿真,采用反焊盤技術(shù)效果極為明顯,仿真數(shù)據(jù)如表2-1所示。
表2-1 反焊盤插入損耗仿真數(shù)據(jù)
Via typeUndo VIARound Anti-Pad
Frequency5GHz5GHz
Insertion Loss(dB)-1.4050-0.9430
2.STUB長(zhǎng)度優(yōu)化
STUB指殘端效應(yīng)。在PCB設(shè)計(jì)中,往往為了降低成本,過(guò)孔都做成了通孔形式。在此情況下,從信號(hào)通過(guò)過(guò)孔到另一個(gè)信號(hào)層,往往信號(hào)在過(guò)孔的中間,過(guò)孔還殘余一部分,這一部分殘端即為STUB。STUB形成了一個(gè)天然的天線,它既可以發(fā)射信號(hào),也可以接收干擾信號(hào),造成對(duì)信號(hào)完整性的危害。STUB還會(huì)給PCB走線增加特性阻抗,并且減少走線的自身阻抗,對(duì)于高速信號(hào)線存在任何的stub都是不完美的。如果一個(gè)open stub是1/2波長(zhǎng),則其就等效于走線上的一個(gè)對(duì)地電容;而如果short stub是1/2波長(zhǎng),其相對(duì)于在一個(gè)走線上加上一個(gè)電感。STUB如圖2-2所示
圖2-2 STUB對(duì)比
在實(shí)際應(yīng)用中,尤其是高速信號(hào)線的過(guò)孔,一般會(huì)采用埋孔來(lái)消除STUB影響,也有會(huì)通過(guò)鉆孔處理,在單板完成后,將STUB部分挖除。 在本板中,考慮到成本及工藝方法,使用的過(guò)孔完全是通孔,所以STUB的問(wèn)題無(wú)法規(guī)避,只能在每對(duì)差分對(duì)的過(guò)孔處添加GND孔,降低回流阻抗。
3.電容下方挖空處理
電容下方地平面挖空處理也是一種非常有效的方法,電容挖空主要解決的是電容不連續(xù)問(wèn)題。在高速差分串行布線中,電容不連續(xù)是最常見的問(wèn)題,主要問(wèn)題是由于PAD和參考平面之間形成的寄生電容。而電容不連續(xù)極易產(chǎn)生插入損耗。 減小寄生電容的最常見方式是挖空PAD下方的參考平面,尤其是對(duì)于差分對(duì)中的AC耦合電容,效果尤其明顯。在本次單板的PCB設(shè)計(jì)中,對(duì)于仿真結(jié)果最差的差分線執(zhí)行了電容下方挖空處理。如圖2-3所示:
圖2-3 電容下方挖空處理
而通過(guò)對(duì)本單板進(jìn)行仿真,得到的仿真結(jié)果如表2-3所示:
表2-3 電容下方挖空仿真結(jié)果
Via type未掏空掏空
Frequency5GHz5GHz
Insertion Loss(dB)-1.2467-0.8363
三、仿真結(jié)果對(duì)比
如前所述,考慮到QSGMII接口速率較高,達(dá)到了5Gbps,同時(shí)有的差分對(duì)達(dá)到了4個(gè)過(guò)孔,并且最長(zhǎng)走線達(dá)到了5000mil,很難保證最終的性能。所以為了保證插入損耗優(yōu)化,綜合采用了反焊盤及電容下挖空處理方案。如圖3-1所示,為原始未作任何處理情況下的仿真結(jié)果,該仿真對(duì)象為走線最差的MV_SD0_RX_P/N差分對(duì),由下圖可見,隨著頻率增加,插入損耗越大,在5GHZ情況下,插入損耗達(dá)到了最差的-10.4741dB,與官方提供的閾值-12.5dB已經(jīng)非常接近了。
圖3-1 原始最差路徑
插入損耗在綜合采用了反焊盤,電容下挖空處理以及過(guò)孔處打地孔形成回流路徑等手段后,得到的仿真結(jié)果如圖3-2所示:
圖3-2 處理后仿真結(jié)果
由上圖可見,經(jīng)過(guò)處理的走線插入損耗降低到了-8.2349dB,相對(duì)處理前降低了2.2392dB,插入損耗降額效果還是比較理想的。
四、總結(jié)
隨著通信系統(tǒng)的越來(lái)越復(fù)雜,速率越來(lái)越高,高速信號(hào)的各種性能要求會(huì)越來(lái)越高,遇到的問(wèn)題也會(huì)越來(lái)越復(fù)雜。本次單板開發(fā)中,針對(duì)高速信號(hào)的插入損耗問(wèn)題,在PCB布局和布線中,應(yīng)用反焊盤,電容下方挖空,回流地孔等各種綜合解決方案較有效的提高了插入損耗問(wèn)題。本次實(shí)踐是對(duì)于插入損耗問(wèn)題的一次有效嘗試,對(duì)于后續(xù)的開發(fā)具有一定的實(shí)踐和借鑒意義。
審核編輯:湯梓紅
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