榮湃半橋驅(qū)動(dòng)芯片具備哪些出色性能表現(xiàn)

榮湃Pai8131/Pai8171有別于傳統(tǒng)半橋驅(qū)動(dòng)芯片，采用了電平轉(zhuǎn)換器Level Shifter，實(shí)現(xiàn)輸入側(cè)到半橋高側(cè)驅(qū)動(dòng)的控制信號(hào)傳輸。

榮湃半橋驅(qū)動(dòng)芯片具備哪些出色性能表現(xiàn)？本期「技術(shù)課堂」榮湃資深技術(shù)將作詳細(xì)解析

榮湃半橋驅(qū)動(dòng)芯片Pai8131/Pai8171是基于榮湃iDivider隔離技術(shù)實(shí)現(xiàn)的高側(cè)700V耐壓的半橋驅(qū)動(dòng)芯片。因?yàn)椴捎酶綦x技術(shù)實(shí)現(xiàn)信號(hào)傳輸，高側(cè)承受電壓由隔離柵設(shè)計(jì)決定，可以輕松實(shí)現(xiàn)非常高的耐壓。

以Pai8131/Pai8171為例，雖然由于爬電距離標(biāo)稱高側(cè)耐壓為700V，但實(shí)測(cè)高側(cè)承受電壓在2000V以上。

得益于隔離技術(shù)重要參數(shù)指標(biāo)之一，CMTI共模瞬態(tài)抗擾度，Pai8131/Pai8171 VS引腳瞬變電壓抗擾度高達(dá)100V/ns，非常適合高頻、高壓、高可靠性的各類橋臂驅(qū)動(dòng)應(yīng)用場(chǎng)景。

VS引腳產(chǎn)生震蕩和負(fù)壓的原因是當(dāng)上管關(guān)閉時(shí)，由于負(fù)載呈感性，電流不能突變，電流便會(huì)從GND通過(guò)下管MOS的體二極管進(jìn)行續(xù)流。在真實(shí)電路PCB布線中，該電流路徑上會(huì)存在寄生電感，續(xù)流電流通過(guò)路徑中的寄生電感，會(huì)在VS上產(chǎn)生負(fù)壓。

電壓大小與寄生電感、電流的變化速率成正比。如果負(fù)載電流越大，開(kāi)關(guān)頻率越高，即di/dt 越大；同時(shí)電路中寄生電感越大，則VS引腳產(chǎn)生的震蕩和負(fù)壓就會(huì)越大，就會(huì)越容易損壞驅(qū)動(dòng)芯片。

此外，開(kāi)關(guān)頻率越大，開(kāi)通速度越快，VS引腳產(chǎn)生的dv/dt，即電壓變化速率越大。如果選擇的半橋驅(qū)動(dòng)芯片VS引腳dv/dt 抗干擾能力不足，便會(huì)導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)芯片內(nèi)部邏輯錯(cuò)誤，可能會(huì)使得驅(qū)動(dòng)器的高側(cè)和低側(cè)同時(shí)輸出高電平。上下管同時(shí)打開(kāi)，造成短路，燒壞上下橋功率管。

榮湃將隔離技術(shù)方案應(yīng)用于Pai8131/Pai8171半橋驅(qū)動(dòng)芯片中，很好地解決了上述問(wèn)題。內(nèi)置了典型值520ns的死區(qū)時(shí)間，dv/dt抗干擾能力超過(guò)100V/ns，VS引腳能承受700V直流高壓，非常適合高頻、高壓、高可靠性的各類橋臂驅(qū)動(dòng)應(yīng)用場(chǎng)景。

審核編輯：湯梓紅