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Nexperia最新發(fā)布的GaN產(chǎn)品

天才小貍花 ? 來源:Nexperia ? 作者:Nexperia ? 2022-09-27 11:53 ? 次閱讀

Nexperia 是基本半導(dǎo)體領(lǐng)域的專家,最近宣布其最新產(chǎn)品添加到越來越多的分立器件中,該器件采用具有側(cè)面可濕性側(cè)面 (SWF) 的無引線 DFN 封裝。這些節(jié)省空間且堅固耐用的組件有助于滿足智能和電動汽車中下一代應(yīng)用的需求

Nexperia 是基本半導(dǎo)體領(lǐng)域的專家,最近宣布其最新產(chǎn)品添加到越來越多的分立器件中,該器件采用具有側(cè)面可濕性側(cè)面 (SWF) 的無引線 DFN 封裝。這些節(jié)省空間且堅固耐用的組件有助于滿足智能和電動汽車中下一代應(yīng)用的需求??捎玫?AEC-Q101 設(shè)備系列涵蓋 Nexperia 的所有產(chǎn)品組,包括:

· BC817QBH-Q 和 BC807QBH-Q 系列 DFN1110D-3 中的 45 V、500 mA NPN/PNP 通用晶體管。

· DFN1006BD-2 中的 BAT32LS-Q 和 BAT42LS-Q 通用肖特基二極管

· 采用 DFN1006BD-2 封裝的 BAS21LS-Q 高速開關(guān)二極管。

· PDTA143/114/124/144EQB-Q 系列 50 V 100 mA PNP 配備電阻器晶體管 (RET) 系列采用 DFN1110D-3 封裝。

· 2N7002KQB – 60 V N 溝道溝槽 MOSFET 和 BSS84AKQB – 50 V、P 溝道溝槽 MOSFET,采用 DFN1110D-3 封裝。

無引線 DFN 封裝比 SOT23 封裝小 90%,這有助于減少最新車輛中使用的電子元件數(shù)量迅速增加所需的電路板空間量。側(cè)面可潤濕的側(cè)面特征提供了非??煽康暮更c質(zhì)量自動光學(xué)檢測 (AOI)。Nexperia 的 DFN 封裝具有出色的熱性能和高 P tot,并且通過了延長壽命和可靠性測試,也是業(yè)內(nèi)最堅固的封裝。

“Nexperia 率先采用側(cè)潤濕 DFN,現(xiàn)在在這些微型無引線封裝中提供最廣泛的符合 AEC-Q101 標準的分立元件”,Nexperia 雙極分立器件業(yè)務(wù)集團高級副總裁兼總經(jīng)理 Mark Roeloffzen 表示。“最近發(fā)布的 DFN1412D-3、DFN1110D-3 和 DFN1006BD-2 封裝提供了 460 多種不同的大批量器件。通過在這些微型封裝中提供更多器件,Nexperia 為設(shè)計工程師提供了更多機會,使他們的設(shè)計面向未來,對未來的移動性產(chǎn)生影響。這項新技術(shù)已經(jīng)在主要一級汽車供應(yīng)商的設(shè)計和承諾方面取得了成功?!?/p>

Wise-integration 是GaN電源和 GaN IC數(shù)字控制專家,發(fā)布了其首款商用產(chǎn)品:120mOhm WI62120 半橋電源 IC,它為電力電子設(shè)計人員提供了前所未有的功率密度、效率、和成本效益。Wise-integration 的 WiseGaN? 系列功率器件包括經(jīng) JEDEC 認證的 WI62120,這是一種 650V 增強模式GaN-on-silicon集成電路。它利用 GaN 的固有特性來提高電流容量、電壓擊穿和開關(guān)頻率,適用于 30W 至 3kW的高效和高密度功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用,國內(nèi)唯樣商城有代理原廠現(xiàn)貨。

“我們很自豪能夠?qū)⑽覀兊牡谝粋€ WiseGan? 產(chǎn)品發(fā)布投入生產(chǎn),”Wise-integration 首席執(zhí)行官 Thierry Bouchet 說?!?20 mOhm WI62120 是市場上最緊湊的半橋,采用 6×8 PQFN 封裝,可最大限度地提高客戶在高功率密度、性能和降低材料成本方面的利益。我們相信,我們的客戶會發(fā)現(xiàn)它在所有 ACF 拓撲和 PFC-LCC 架構(gòu)中都非常有用,并將幫助他們利用更小、更高效和更具成本效益的電力電子設(shè)備所提供的優(yōu)勢。”

使用無橋圖騰柱功率因數(shù)轉(zhuǎn)換 (PFC) 有源鉗位反激式 (ACF)、雙電感單電感器的消費類(例如用于移動和桌面設(shè)備的超快速充電器)、電動汽車和工業(yè) AC/DC 電源和設(shè)計電容器 (LLC) 諧振轉(zhuǎn)換器和同步降壓或升壓半橋拓撲是目標市場領(lǐng)域。

氮化鎵 (GaN) 是下一代寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù),在開發(fā)卓越的電力電子設(shè)備方面變得至關(guān)重要。它的速度比硅快 20 倍,功率高達三倍(或電荷的三倍),而硅器件的尺寸和重量只有硅器件的一半。

這款 WiseWare? 嵌入式數(shù)字控制軟件擴展了這些優(yōu)勢;后續(xù)幾代 WiseGan? 器件將把門控、保護、安全和其他設(shè)計人員友好的功能結(jié)合到 AC/DC [GaN]應(yīng)用中。

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