HHI InP平臺(tái)能達(dá)到100GHz帶寬

HHI的那個(gè)InP平臺(tái)，這幾年更新了幾個(gè)版本，目前能達(dá)到100GHz帶寬

光學(xué)帶寬并不是整個(gè)電光轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的帶寬瓶頸，而是光學(xué)集成度雖然越來(lái)越高，但電學(xué)才是真正讓整體帶寬受限的主要因素。

射頻信號(hào)長(zhǎng)度導(dǎo)致射頻衰減增大，各個(gè)電路信號(hào)節(jié)點(diǎn)，阻抗失配、反射、行波速度等等，導(dǎo)致無(wú)法真正實(shí)現(xiàn)電光轉(zhuǎn)換帶寬提升。

在InP平臺(tái)上，各個(gè)光學(xué)器件也越來(lái)越密集，比如多個(gè)MZM的緊湊布局

可以達(dá)到25μm超窄間距布局

還有更緊湊的MZ相控布局

更緊湊的探測(cè)器陣列，基于InP平臺(tái)，并wafer反向用BCB膠粘貼在硅襯底上，做微米級(jí)的緊湊布局，比如用在Lidar上。

光學(xué)器件越來(lái)越小，集成度越來(lái)越高，對(duì)電芯片與光芯片的互相適配就更加重要了。之前寫過(guò)很多硅光集成與集成電路的晶圓級(jí)設(shè)計(jì)，那是有材料一致性的優(yōu)勢(shì)。

但I(xiàn)nP集成光學(xué)和硅（或鍺硅）集成電路，二者之間的鍵合有晶格不匹配的可靠性風(fēng)險(xiǎn)。常見(jiàn)的是BCB膠黏合，或者用親水界面的氧做原子鍵合。

這兩個(gè)都不算十分完美。

這次ECOC的workshop，TUE介紹了NXP的鍺硅集成電路上鍵合3吋HHI InP集成晶圓，做wafer級(jí)密集互聯(lián)，提高帶寬。

從示意圖與歐洲這幾個(gè)廠的傳統(tǒng)工藝來(lái)看，大概率用薄層BCB做的鍵合層（回頭等確認(rèn)了這個(gè)材料，再補(bǔ)上）。

審核編輯：劉清