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防止過(guò)充的有害影響的關(guān)鍵因素是均勻的鋰離子脫出

工程師鄧生 ? 來(lái)源:深水科技咨詢(xún) ? 作者:深水科技 ? 2022-09-16 11:07 ? 次閱讀

背景介紹

層狀鋰過(guò)渡金屬氧化物,包括鋰鎳鈷錳氧化物(Li(Ni1?x?yCoxMny)O2;NCM)和鋰鎳鈷鋁氧化物(Li(Ni1?x?yCoxAly)O2; NCA)作為正極材料在商業(yè)上獲得了成功。

然而,具有層狀正極具有α-NaFeO2(空間群R-3m)型結(jié)構(gòu)的正極材料面臨一個(gè)共同的問(wèn)題,即實(shí)際容量與理論容量不匹配。例如,Li1?xCoO2(0≤ x<1)在充電截止電壓4.2V(vs Li)以下可逆循環(huán),對(duì)應(yīng)于x≈0.5。 提高充電電壓可以充分發(fā)揮正極材料的容量。

然而,高壓充電往往帶來(lái)重大的安全威脅。過(guò)充時(shí)由于鋰離子脫出而導(dǎo)致的陰離子的靜電排斥,誘發(fā)了尖晶石或巖鹽相的相變,阻礙了鋰離子的重新插入,從而導(dǎo)致永久性容量衰減。

此外,過(guò)充導(dǎo)致層間間距的收縮(d0003),這被認(rèn)為是機(jī)械裂縫的主要原因。裂縫作為電解液滲透的途徑,加速了內(nèi)部的相變。

此外,高工作電壓導(dǎo)致電解液分解增強(qiáng)了氣體的產(chǎn)生,這可能引發(fā)的熱失控。最近的研究大多強(qiáng)調(diào)避免過(guò)充,并作出了各種努力來(lái)緩解高壓不穩(wěn)定性。

但是,過(guò)充時(shí)微觀結(jié)構(gòu)的變化和機(jī)制被忽視了。而提升能量密度的最終解決方案可能是開(kāi)發(fā)一種能夠支持過(guò)充的正極材料,因此,了解過(guò)充機(jī)制對(duì)于實(shí)現(xiàn)更安全的下一代正極至關(guān)重要。

正文部分

1、成果簡(jiǎn)介

基于此,近日,韓國(guó)首爾國(guó)立大學(xué)Miyoung Kim團(tuán)隊(duì)研究了鈷酸鋰(LCO)在過(guò)充過(guò)程中的宏觀和微觀變化。在6.0V的充電電壓下(vs Li),觀察到LCO顆粒內(nèi)部和外部嚴(yán)重的變化。過(guò)充時(shí)在LCO內(nèi)誘發(fā)了相的異質(zhì)性,從而導(dǎo)致了異常裂紋的形成以及鋰離子位點(diǎn)的不可逆損失。結(jié)果表明,不均勻的鋰脫出會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重的局部過(guò)充,形成大量晶格收縮導(dǎo)致變形的氧化鈷。

因此,作者認(rèn)為:防止過(guò)充的有害影響的關(guān)鍵因素是均勻的鋰離子脫出,這需要一個(gè)穩(wěn)定的不含鋰的過(guò)渡金屬氧化物的自支撐框架。

由于大多數(shù)正極材料,如NCM和NCA,與LCO具有相同的結(jié)構(gòu),這項(xiàng)研究提高了對(duì)層狀正極過(guò)充機(jī)制的理解,從而有助于縮小理論和實(shí)際容量之間的差距。

2、圖文導(dǎo)讀

為了研究過(guò)充的負(fù)面影響,通過(guò)改變截止電壓來(lái)比較LCO的四種充電狀態(tài),即原始樣品和4.4、5.5和6.0V的充電樣品。1a顯示了原始LCO過(guò)充到6.0V時(shí)的電壓曲線。LCO的理論容量是274 mAh g?1,如圖1a中的紅色虛線所示。4.4V的截止電壓對(duì)應(yīng)于正常的充電條件,而5.5V和6.0V代表兩種不同的過(guò)充條件。

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圖1. 鈷酸鋰(LCO)顆粒在過(guò)充過(guò)程中的微裂紋發(fā)展。a) 鈷酸鋰過(guò)充時(shí),比容量與電壓曲線。b,c)原始樣品和d,e)4.4V,f,g)5.5V,h,i)6.0V切斷樣品的掃描電子顯微鏡(SEM)圖像。SEM圖像中的箭頭表示物理上損壞的LCO顆粒。黃色箭頭表示水平于(0003)層的裂縫,紅色點(diǎn)的表示垂直裂縫。

1b-i是每個(gè)階段的LCO顆粒的掃描電子顯微鏡(SEM)圖像。在過(guò)充的樣品中觀察到不同的物理?yè)p傷,可以很明顯觀察到微裂紋的演變。各種裂紋在開(kāi)裂方向方面分為兩種類(lèi)型,即平行于(0003)平面和垂直于(0003)平面。平行的情況(圖1f-i中的黃色箭頭)在5.5和6.0V充電的樣品中都被觀察到,但是垂直的情況(圖1h,i中的紅色虛線箭頭)只在6.0V充電的樣品中被觀察到。

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圖2. a)原始、4.4、5.5和6.0V截止的樣品的拉曼光譜。b) 原始樣品和4.4、5.5和6.0V截止的樣品的X射線衍射圖顯示了(0003)峰的變化。c) LCO充電到4.4、5.5和6.0V的截止電壓后的放電曲線。

由于觀察到只有在6.0V充電的樣品中觀察到垂直裂紋,對(duì)每個(gè)樣品進(jìn)行了進(jìn)一步的深入研究。拉曼光譜(2a)證實(shí)了在過(guò)充期間形成了氧化鈷。在X射線衍射(XRD)譜圖中(圖2b),主要的(0003)峰有明顯的變化。6.0V充電的樣品在9.02°(4.52 ?)顯示了一個(gè)額外的峰,對(duì)應(yīng)于≈6%的晶格失配,與上述的裂紋的現(xiàn)象一致。

與5.5V充電的樣品相比,6.0V充電的樣品在放電測(cè)試中表現(xiàn)出明顯的容量衰減和更高的極化(圖2c)。6.0-V電池的放電容量為205.5 mAh g?1,而5.5-V電池的放電容量為245.9 mAh g?1。綜上,過(guò)充時(shí)鋰離子重新插入的情況大大減少,這主要是由于氧化鈷的不可逆形成。

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圖3. a) 楔形裂紋的高角度環(huán)形暗場(chǎng)(HAADF)掃描透射電子顯微鏡(STEM)圖像。b) (a)中黃框所示區(qū)域的原子分辨率HAADF-STEM圖像。c) Li1–xCoO2沿[10-10]軸的原子模型。d) 楔形裂紋的4D STEM數(shù)據(jù)的非負(fù)矩陣因子化分析結(jié)果。

微觀分析表明,在高度過(guò)充(6.0V)的LCO中存在明顯的相分離3)。圖3a顯示了高角度環(huán)形暗場(chǎng)(HAADF)掃描透射電子顯微鏡(STEM)圖像,其中質(zhì)量-厚度對(duì)比顯示了分離為較亮和較暗的相。在較暗的一側(cè),從界面開(kāi)始,有一條明顯的異常裂紋。耐人尋味的是,該裂紋具有蘇美爾楔形文字的形態(tài)特征;為此,稱(chēng)其為楔形裂紋。 圖3b顯示了深色相區(qū)的原子分辨率HAADF-STEM圖像,當(dāng)沿[10-10]軸看時(shí),證實(shí)了原子結(jié)構(gòu)是分層的R-3m;原子模型(Li1?xCoO2)顯示在圖3c。

此外,顯示了倒置的晶格矢量(d*0001)的方向,它對(duì)應(yīng)于層狀結(jié)構(gòu)的(0003)平面。為了明確區(qū)分亮面的未知相,獲得了掃描電子納米衍射譜圖(4D STEM譜)。 進(jìn)一步分析了不同鋰含量的相的異質(zhì)性。圖3a中顏色較深的相對(duì)應(yīng)的是原來(lái)的分層結(jié)構(gòu),較暗的相顯示Li/Co比率為0.215和0.135,另一方面,較亮的相的Li/Co比率為0.020。因此,較亮的區(qū)域?qū)?yīng)的是由氧化鈷相組成的高電荷狀態(tài)。

就鈷(Z=27)密度而言,Co3O4和Co2O3的氧化鈷相比原來(lái)的含鋰層狀結(jié)構(gòu)更密。換句話說(shuō),氧化鈷層之間缺乏緩沖層,即鋰離子層,這導(dǎo)致結(jié)構(gòu)的大幅收縮,這在HAADF-STEM圖像中顯示為一個(gè)對(duì)比度更強(qiáng)的區(qū)域。

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圖4. 明亮區(qū)域的氧化鈷相的形成。a)尖晶石相Co3O4的[121]晶粒,以及b)剛玉相Co2O3的[2-1-10]和[11-20]晶粒的原子分辨率高角度環(huán)形暗場(chǎng)掃描透射電子顯微鏡(HAADF-STEM)圖像。c)(b)的快速傅里葉變換結(jié)果顯示了氧化鈷相的結(jié)晶學(xué)方向關(guān)系。d)[2-1-10]晶粒和e)由鏡像對(duì)稱(chēng)晶粒[2-1-10]和[11-20]組成的重疊結(jié)構(gòu)之間的區(qū)別。f)各相的原子模型,包括重疊結(jié)構(gòu)。

為了了解氧化鈷的形成,在4的較亮區(qū)域分析了原子結(jié)構(gòu)。結(jié)果發(fā)現(xiàn)尖晶石Co3O4(空間群Fd-3m)和剛玉Co2O3(空間群R-3c)存在于整個(gè)區(qū)域。圖4a顯示了尖晶石Co3O4沿方向的原子分辨率HAADF-STEM圖像,它與R-3m結(jié)構(gòu)的[10-10]方向平行。這是由于這兩個(gè)相都有一個(gè)面心立方(FCC)氧框架。尖晶石的(-11-1)平面對(duì)應(yīng)于原始層狀結(jié)構(gòu)的(0001)平面。

重要的是,剛玉Co2O3與尖晶石相共存(圖4b)。特別的,剛玉相的兩個(gè)變體,即[2-1-10]和[11-20],以鏡像對(duì)稱(chēng)的形式被觀察到。這種對(duì)稱(chēng)性源于剛玉相的六方結(jié)構(gòu)。 在快速傅里葉變換(FFT)模式中突出了共存相之間的結(jié)晶學(xué)方向關(guān)系(圖4c)。在FFT模式中確定的關(guān)系如下。[121]尖晶石//[2-1-10]剛玉或[11-20]剛玉,以及(-11-1)尖晶石//(0001)剛玉。此外,還觀察到疊加的[2-1-10]和[11-20]Co2O3變體。圖4d,e是Co2O3[2-1-10]和疊加結(jié)構(gòu)的放大圖像。圖4f是上述各相的原子模型。

此外,F(xiàn)FT譜圖與圖3d中的衍射譜圖w2相匹配。顯示了沿R-3m LCO的[11-20]方向觀察的過(guò)充電LCO的衍射圖案,該方向從[10-10]方向旋轉(zhuǎn)30°;同時(shí),在[10-10]剛玉方向上觀察到Co2O3,這與上述取向關(guān)系一致。 剛玉和尖晶石鈷氧化物的形成是基于它們的結(jié)構(gòu)相似性。尖晶石Co3O4是電池運(yùn)行中鈷離子遷移到鋰離子位置的常見(jiàn)副產(chǎn)物。

因此,尖晶石相和R-3m層狀相共享一個(gè)具有類(lèi)似結(jié)構(gòu)的平面并不令人驚訝,盡管它們?cè)诳臻g群方面有所不同。如上所述,這兩種結(jié)構(gòu)共享一個(gè)FCC氧框架。在氧化鈷的情況下,Co3O4的形成首先通過(guò)陽(yáng)離子遷移發(fā)生,而沒(méi)有氧堆積的變化。由于過(guò)充期間的高氧化電位,具有較高氧化狀態(tài)(+3)的三價(jià)Co(III)2O3,變得比尖晶石相(+2.67)更有利,盡管它們?cè)谘醵逊e方面有所不同。

因此,從尖晶石到剛玉的轉(zhuǎn)變是通過(guò)移動(dòng)氧框架完成的,其中兩個(gè)對(duì)稱(chēng)的Co2O3變體是同樣有利的。

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圖5. 楔形裂紋的孿生晶粒邊界。a) 裂紋邊界的放大的高角度環(huán)形暗場(chǎng)掃描透射電子顯微鏡(HAADF-STEM)圖像。每個(gè)晶粒的(0003)平面用不同顏色標(biāo)記。鋰離子位點(diǎn)的鈷離子用紅色箭頭表示。b)基于[10-10]R-3m結(jié)構(gòu)的孿生邊界與(1-213)的孿生面的原子模型結(jié)構(gòu)。c)(a)的快速傅里葉變換譜圖顯示{1-213}峰的重疊。(a)中相同的顏色被用來(lái)區(qū)分不同的晶粒。d)HAADF-STEM圖像顯示裂縫邊界附近的陽(yáng)離子混排。陽(yáng)離子混排區(qū)域顯示出模糊的對(duì)比度,由紅色點(diǎn)的區(qū)域突出。黃色點(diǎn)的區(qū)域表示空隙型缺陷,并出現(xiàn)暗色對(duì)比。

按下來(lái),詳細(xì)研究了楔形裂紋,特別是它的孿生晶界。如前所述,裂紋所在的深色區(qū)域呈現(xiàn)出分層的R-3m結(jié)構(gòu)形式。5顯示,晶界是由(0003)層的變形形成的;特別的,它表現(xiàn)為一個(gè)類(lèi)孿生的邊界。圖5a顯示了晶界的原子分辨率的HAADF-STEM圖像。圖5b顯示了基于R-3m結(jié)構(gòu)的孿生邊界的相應(yīng)原子模型。它顯示兩個(gè)[10-10]變體共享一個(gè)共同的平面(1-213)作為孿生平面,這被圖5c中的FFT模式所證實(shí),這也與圖3d中的NMF結(jié)果一致。在這里,測(cè)量的錯(cuò)位角是33.2°,這與根據(jù)理想的孿生邊界模型預(yù)期的33.4°的角度是一致的。

然而,晶界并不像體部區(qū)域那樣穩(wěn)定。為了證實(shí)孿生晶界的穩(wěn)定性,進(jìn)行了第一原理計(jì)算來(lái)比較界面能量。[10-10](1-213)晶界的界面能為0.46 J m?2,而[11-20](-1104)晶界的界面能為0.3 J m?2。盡管[10-10](1-213)晶界的能量較高,但由于幾何差異,它可以形成。值得注意的是,在[11-20](-1104)晶界的情況下,平面(-1104)和(1-104)是不對(duì)稱(chēng)的,而[10-10]系統(tǒng)具有對(duì)稱(chēng)的性質(zhì),如圖5d所示。((1-213)和(-12-13)兩個(gè)平面都對(duì)稱(chēng)地作為孿生邊界)。因此,[11-20](-1104)晶界不穩(wěn)定,在幾何上無(wú)法形成楔形裂紋。 在邊界附近可以觀察到陽(yáng)離子混排,即鈷離子遷移到鋰離子位點(diǎn)(圖5a)。陽(yáng)離子混排區(qū)阻礙了鋰離子的轉(zhuǎn)移。這導(dǎo)致了內(nèi)部殘余鋰的捕獲,并導(dǎo)致了局部電荷狀態(tài)的差異。此外,陽(yáng)離子混排沿晶界廣泛發(fā)生(圖5d)。

在HAADF-STEM圖像的質(zhì)量-厚度對(duì)比部分,陽(yáng)離子混排區(qū)域顯示為一個(gè)模糊的區(qū)域。此外,在邊界上有許多空隙型缺陷(在圖5d中顯示為暗色對(duì)比的區(qū)域)。鈷和鋰的空隙形成能量在晶界處比體相低。這與觀察到的陽(yáng)離子混排和空隙的現(xiàn)象一致,因?yàn)榫Ы绲年?yáng)離子可以更好地被脫出和遷移。因此,空隙加劇了降解,包括陽(yáng)離子混排,因?yàn)樗鳛橐粋€(gè)電解液滲透的路徑。雖然以前認(rèn)為降解主要發(fā)生在顆粒的表面,但裂紋的形成直接使內(nèi)部暴露,導(dǎo)致降解。

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圖6. a)高角度環(huán)形暗場(chǎng)掃描透射電子顯微鏡(HAADF-STEM)圖像顯示(0003)層的變形。b)源于應(yīng)力松弛的 "孿生狀變形 "的示意圖。c) 4D STEM獲得的楔形裂紋應(yīng)變映射結(jié)果。

楔形裂紋的起源可以通過(guò)應(yīng)力松弛來(lái)進(jìn)一步理解。圖6a是裂縫的HAADF-STEM圖像,突出顯示了(0003)層的變形。圖6b是基于CoO2層的裂紋的原子模型結(jié)構(gòu)。為了確定晶格變形的空間分布,對(duì)4D STEM數(shù)據(jù)進(jìn)行了應(yīng)變映射分析(圖6c)。對(duì)于4D數(shù)據(jù)集的每個(gè)衍射譜圖,測(cè)量?jī)蓚€(gè)衍射點(diǎn)的方差,即(-12-10)和(0006),并與分層的R-3m區(qū)域作為參考進(jìn)行比較。這些衍射點(diǎn)對(duì)應(yīng)于Co3O4結(jié)構(gòu)的(-22-2)和(40-4),以及Co2O3結(jié)構(gòu)的(0006)和(03-30),因?yàn)樗鼈冇邢嗨频木w結(jié)構(gòu)。

值得注意的是,Co2O3顯示出(0006)點(diǎn)的顯著晶格收縮。Co2O3中(0003)的層間間距為4.320?,而LiCoO2和Co3O4的層間間距分別為4.685和4.667?。這在圖6c的eyy圖中可以清楚地看到。藍(lán)色的對(duì)比區(qū)域中觀察到如上所述觀察到鈷的氧化物,表明了≈7%的負(fù)應(yīng)變,這與預(yù)測(cè)值(7.8%)一致。類(lèi)似的應(yīng)變圖譜特征也說(shuō)明應(yīng)力松弛導(dǎo)致裂紋形成。因此,可以得出結(jié)論,楔形裂紋的作用是松弛氧化鈷(主要是剛玉Co2O3)形成的應(yīng)力;此外,塌陷的氧化鈷相導(dǎo)致永久容量衰減,因?yàn)檫@些相不能插入鋰。

3、總結(jié)和展望

在過(guò)充的LCO中觀察到了楔形裂紋,研究表明這是Li1?xCoO2的類(lèi)孿生(0003)層變形。本工作首次報(bào)告了該裂紋的形狀和變形機(jī)制。異常裂紋是在分離相的邊界處觀察到的,即Li1?xCoO2和鈷氧化物。相的不均勻性引發(fā)了裂紋的形成。 鈷氧化物的形成,特別是不常見(jiàn)的剛玉結(jié)構(gòu)Co2O3,在d0003中引起了明顯的晶格失配。

因此,作者認(rèn)為裂紋的形成是由于應(yīng)力松弛造成的。 此外,過(guò)充的LCO在裂紋形成后表現(xiàn)出衰減的證據(jù),在裂紋邊界形成許多空隙,這可以作為電解液滲透的路徑,空隙附近發(fā)生陽(yáng)離子混排(限制了鋰離子的擴(kuò)散),以及顆粒的物理?yè)p傷,包括垂直于(0003)面的異常裂紋。因此,需要開(kāi)發(fā)防裂的層狀過(guò)渡金屬鋰氧化物,因?yàn)榱鸭y會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重的不可逆轉(zhuǎn)的降解。此外,鑒于目前對(duì)快充的要求,防止不均勻的充電反應(yīng)需要得到更高的重視。



審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:Adv. Sci.:過(guò)充也不怕!鈷酸鋰過(guò)充誘導(dǎo)的相異質(zhì)性及孿生層形變

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    的頭像 發(fā)表于 12-04 09:13 ?448次閱讀
    高能鋰金屬電池中的宏觀<b class='flag-5'>均勻</b>界面層與<b class='flag-5'>鋰離子</b>傳導(dǎo)通道

    鋰離子電池的種類(lèi)有哪些

    鋰離子電池的工作原理其實(shí)相當(dāng)精妙。它主要由四大主材構(gòu)成:正極材料、負(fù)極材料、電解液和隔膜。其中,正極和負(fù)極材料統(tǒng)稱(chēng)為電極材料,是電池性能與價(jià)格的關(guān)鍵因素。
    的頭像 發(fā)表于 10-16 14:22 ?412次閱讀
    <b class='flag-5'>鋰離子</b>電池的種類(lèi)有哪些

    解析選購(gòu)LED大屏幕的關(guān)鍵因素

    采購(gòu)部門(mén)關(guān)注的焦點(diǎn)。邁普光彩小編將為您解析選購(gòu)LED大屏幕的關(guān)鍵因素,幫助您做出明智的選擇。 一、明確應(yīng)用場(chǎng)景 首先,明確您的LED大屏幕將用于何種場(chǎng)景至關(guān)重要。室內(nèi)與室外環(huán)境對(duì)屏幕的要求截然不同。室內(nèi)屏幕更注重清晰度和色彩表
    的頭像 發(fā)表于 10-11 21:37 ?249次閱讀

    XB8886A單芯鋰離子/聚合物電池保護(hù)IC英文手冊(cè)

    了用于控制電池充放電的開(kāi)關(guān)元件,民信微減少了外部元件的需求,從而簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)并降低了成本。高精度電壓檢測(cè)電路:確保了對(duì)電池電壓的精確監(jiān)測(cè),有效防止了電池過(guò)過(guò)放的情況,延長(zhǎng)了電池的
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    工控機(jī)選型的八大關(guān)鍵因素

    提高生產(chǎn)效率、保障設(shè)備穩(wěn)定性和延長(zhǎng)使用壽命具有重要意義。本文將探討工控機(jī)選型的幾個(gè)關(guān)鍵因素,以幫助企業(yè)和工程師在進(jìn)行工控機(jī)選型時(shí)做出更為科學(xué)合理的決策。一、明確應(yīng)用
    的頭像 發(fā)表于 08-21 16:23 ?460次閱讀
    工控機(jī)選型的八大<b class='flag-5'>關(guān)鍵因素</b>

    硅谷VPS優(yōu)勢(shì)及關(guān)鍵因素

    硅谷VPS是一個(gè)虛擬專(zhuān)用服務(wù)器(VPS)的集群,它位于美國(guó)硅谷,為各類(lèi)在線業(yè)務(wù)和科技企業(yè)提供了強(qiáng)大的計(jì)算能力和穩(wěn)定的網(wǎng)絡(luò)連接。Rak部落為您整理發(fā)布硅谷VPS優(yōu)勢(shì)及關(guān)鍵因素。
    的頭像 發(fā)表于 08-09 11:46 ?257次閱讀

    AC/DC電源模塊可靠性是確保設(shè)備長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵因素

    BOSHIDA ?AC/DC電源模塊可靠性是確保設(shè)備長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵因素 AC/DC電源模塊作為一種常見(jiàn)的電源供應(yīng)設(shè)備,被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。它的主要功能是將交流電轉(zhuǎn)換成直流電,并為設(shè)備
    的頭像 發(fā)表于 06-11 17:31 ?402次閱讀
    AC/DC電源模塊可靠性是確保設(shè)備長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行的<b class='flag-5'>關(guān)鍵因素</b>

    焊接之道:深入剖析PCBA可焊性的四大關(guān)鍵因素

    在電子制造業(yè)中,印刷電路板組裝(PCBA)焊接是一個(gè)至關(guān)重要的工藝環(huán)節(jié)。焊接質(zhì)量直接影響到電子產(chǎn)品的性能、可靠性和壽命??珊感宰鳛樵u(píng)價(jià)焊接效果的關(guān)鍵因素,受多種因素影響。本文將從多個(gè)角度深入分析PCBA焊接可焊性的影響因素,并提
    的頭像 發(fā)表于 05-07 09:36 ?540次閱讀
    焊接之道:深入剖析PCBA可焊性的四大<b class='flag-5'>關(guān)鍵因素</b>

    行星攪拌在鋰離子電池液中的關(guān)鍵作用

    鋰離子電池是電力的支柱,其重要組成部分電池液的質(zhì)量和一致性至關(guān)重要。行星攪拌機(jī)擅長(zhǎng)以高精度和可重復(fù)性混合高粘度流體,在確保鋰離子電池的性能和可靠性方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。
    的頭像 發(fā)表于 05-07 09:31 ?420次閱讀
    行星攪拌在<b class='flag-5'>鋰離子</b>電池液中的<b class='flag-5'>關(guān)鍵</b>作用

    鋰離子電池不能過(guò)的原因

    鋰離子電池是目前應(yīng)用最廣泛的可充電電池技術(shù)之一,它們以其高能量密度、長(zhǎng)循環(huán)壽命和低自放電率而受到青睞。
    的頭像 發(fā)表于 04-28 15:37 ?1218次閱讀

    工業(yè)電腦選擇組件的十大關(guān)鍵因素

    對(duì)于工業(yè)電腦,有許多不同的組件可供選擇。那么,您如何知道為您的特定應(yīng)用選擇哪些?本文將討論為工業(yè)電腦選擇組件時(shí)需要考慮的十大關(guān)鍵因素,從存儲(chǔ)和處理能力考慮到內(nèi)存要求、輸入和輸出需求。1.我
    的頭像 發(fā)表于 03-29 12:02 ?450次閱讀
    工業(yè)電腦選擇組件的十大<b class='flag-5'>關(guān)鍵因素</b>

    深入了解影響ZR執(zhí)行器性能的關(guān)鍵因素

    深入了解影響ZR執(zhí)行器性能的關(guān)鍵因素-速程精密 在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域,ZR執(zhí)行器作為關(guān)鍵的終端設(shè)備,其性能的穩(wěn)定性對(duì)于整個(gè)自動(dòng)化系統(tǒng)的運(yùn)行至關(guān)重要。了解影響ZR執(zhí)行器性能的因素有助于更好地維護(hù)和優(yōu)化其
    的頭像 發(fā)表于 03-20 15:04 ?562次閱讀
    深入了解影響ZR執(zhí)行器性能的<b class='flag-5'>關(guān)鍵因素</b>