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      如何在絕緣層上硅形成高質(zhì)量和大面積的化合物半導體材料

      工程師鄧生 ? 來源：Semi Connect ? 作者：Cathy ? 2022-09-16 09:56 ? 次閱讀

      第一代半導體材料主要是以硅和鍺為代表的IV族材料，而第二代和第三代半導體材料主要是化合物半導體（Compound Semiconductor）材料，其中砷化鎵(GaAs)和磷化銦（InP）是第二代半導體材料中的代表，氮化鎵（GaN)和碳化硅(SiC）是第三代半導體材料中的代表。

      與硅基的分立器件及其集成電路相比，化合物半導體的分立器件及其集成電路呈現(xiàn)出更優(yōu)異的性能。例如，氮化鎵（GaN）適用于較高的工作頻率，碳化硅(SiC）適用于較高的工作溫度和電壓，砷化銦（InAs）和砷化鎵（GaAs)適用于混合發(fā)光源，二硫化鉬（MoS2）或二硒化鎢（WSe2）具有較高的遷移率。

      這些化合物半導體材料比硅具有更優(yōu)異的材料特性，如較寬的帶隙及直接能帶間隙產(chǎn)生較強的發(fā)光能力等。但III-V族或II-VI族等化合物材料在現(xiàn)代硅半導體工廠中被認為有交叉污染的風險，而且只有小尺寸的襯底（150mm 或更小，因而全面用化合物半導體形成的集成電路的發(fā)展和制造較緩慢。

      如何在絕緣層上硅（SOI） 或體硅襯底上形成高質(zhì)量和大面積（或選擇性局部區(qū)域）的化合物半導體材料技術是一項使能技術(Enabling Technology），不僅能利用硅工藝集成技術進一步加快發(fā)展化合物半導體器件的應用和制造，而且也能擴展硅基集成電路的功能。





      審核編輯：劉清

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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      原文標題：化合物半導體器件及其集成電路

      文章出處：【微信號：Semi Connect，微信公眾號：Semi Connect】歡迎添加關注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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