東芝半導(dǎo)體N溝道30V MOSFET器件SSM6K809R介紹

隨著科技的不斷革新發(fā)展，MOSFET產(chǎn)品也經(jīng)過技術(shù)的迭代升級有了更加優(yōu)越的表現(xiàn)。但如何提升器件性能的同時(shí)進(jìn)一步降低器件的自身損耗依舊是亟待解決的問題。為此東芝半導(dǎo)體拓展了MOSFET產(chǎn)品線，推出了適用于頭燈控制開關(guān)等車載小型設(shè)備的N溝道30V MOSFET器件——SSM6K809R，該器件通過東芝新型工藝技術(shù)設(shè)計(jì)把設(shè)備功耗深度壓縮。

一、電氣屬性綜述

SSM6K809R采用東芝半導(dǎo)體獨(dú)有的新工藝技術(shù)(U-MOSⅧ-H)設(shè)計(jì)，具有行業(yè)先進(jìn)的低導(dǎo)通電阻。并且通過扁平引腳封裝的設(shè)計(jì)，提升了器件安裝能力，降低了熱阻。該產(chǎn)品采用的小型TSOP6F封裝，減少了所占板載空間。額定功率損耗為1.5W，不會造成能源浪費(fèi)。此外，SSM6K809R符合AEC-Q101車規(guī)級標(biāo)準(zhǔn)，通道溫度最高可達(dá)175℃，滿足車載環(huán)境要求。

二、動(dòng)態(tài)特性分析

SSM6K809R的漏極電流最高可達(dá)6A，最大支持1KHz的PWM脈沖信號，對于車載燈的控制恰到好處。

得益于產(chǎn)品強(qiáng)大的負(fù)載能力，在設(shè)計(jì)中可以將其配合額外的多組輸入信號源做矩陣式LED控制電路，從而達(dá)到獨(dú)立控制多個(gè)LED的照明目的。具體可前往東芝官網(wǎng)，參考東芝矩陣式LED前照燈設(shè)計(jì)。

三、應(yīng)用場景部署

隨著節(jié)能減排的大力發(fā)展，新能源車的產(chǎn)業(yè)得到了蓬勃發(fā)展，提高電池容納能力和降低車載器件設(shè)備功耗開銷是有效節(jié)能的一個(gè)重要措施。SSM6K809R適合用于車載應(yīng)用，如前大燈、轉(zhuǎn)向燈、日間行車燈、USB充電器等，以低導(dǎo)通電阻降低功耗持續(xù)節(jié)能。

科技引領(lǐng)生活，東芝半導(dǎo)體堅(jiān)持科技創(chuàng)新用更安全、更出色、更智能的電子產(chǎn)品服務(wù)市場大眾。作為全球知名的半導(dǎo)體企業(yè)，東芝擁有先進(jìn)的實(shí)驗(yàn)設(shè)備和專業(yè)的研發(fā)團(tuán)隊(duì)，持續(xù)耕耘創(chuàng)新電子元器件的性能特性，致力打造一個(gè)可持續(xù)的未來迎接美好生活。

審核編輯：湯梓紅