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發(fā)射信號與接收信號之間的相位差如何計算

GReq_mcu168 ? 來源:物聯(lián)網全棧開發(fā) ? 作者:物聯(lián)網全棧開發(fā) ? 2022-07-25 11:23 ? 次閱讀

在發(fā)射線圈施上交流電壓,產生交流電流并在空間生成交流磁場,

該磁場在接收線圈感應用電動勢,并通過調理電路處理,最終得到電壓信號送入處理器,計算得到待測物導致的發(fā)射信號與接收信號之間的相位差,

根據這一相位差判斷待測物的類型。

不存在待測物的情況

當不存在待測物時,發(fā)射線圈的等效電路由電阻和電感組成,如下圖:

a0986a98-0660-11ed-ba43-dac502259ad0.png

發(fā)射線圈等效電路

其中R1為線圈電阻,其電阻值大概為4Ω;L1為線圈電感,其電感量大概為 10mH。

其阻抗a0b93502-0660-11ed-ba43-dac502259ad0.png表示為:

a0c50abc-0660-11ed-ba43-dac502259ad0.png

存在待測物的情況

發(fā)射線圈通入交流電流I1時,線圈周圍產生一個交變磁場H1。

當待測物位于線圈磁場范圍內時,待測物內部生產感應渦流電流I2,

渦流信號在待測物附近產生交變磁場H2,渦流的中心之處H1和H2同軸但是方向相反。

因此,原有外部磁場被削弱,導致線圈的等效阻抗、相位均發(fā)生變化。

a0d55462-0660-11ed-ba43-dac502259ad0.jpg

渦流示意圖

線圈和待測物視為兩個互感的耦合線圈。

等效電路如圖所示:

a0f57eae-0660-11ed-ba43-dac502259ad0.jpg

待測物渦流影響下的等效電路

其中R1為發(fā)射線圈的電阻,L1為發(fā)射線圈的電感,R2為待測物渦流效應的等效電阻,L2為待測物渦流效應的等效電感,M為發(fā)射線圈與待測物之間的互感。

根據基爾霍夫定律,在發(fā)射線圈側,有:

a10e564a-0660-11ed-ba43-dac502259ad0.png

在待測物側,有:

a1193a60-0660-11ed-ba43-dac502259ad0.png

聯(lián)立上述兩式,求解,得到:

a12783f4-0660-11ed-ba43-dac502259ad0.png

a12f92ec-0660-11ed-ba43-dac502259ad0.png

對于不同類型的待測物,由于待測物的影響,

將使得發(fā)射線圈的等效電阻增大,而等效電抗可增大,或者減少。

通過判斷等效電抗增大或者減小,實現(xiàn)對待測物進行分類。

審核編輯:彭靜
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原文標題:一個巧妙的相位差檢測電路的詳細分析

文章出處:【微信號:mcu168,微信公眾號:硬件攻城獅】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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