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發(fā)射信號(hào)與接收信號(hào)之間的相位差如何計(jì)算

GReq_mcu168 ? 來(lái)源:物聯(lián)網(wǎng)全棧開發(fā) ? 作者:物聯(lián)網(wǎng)全棧開發(fā) ? 2022-07-25 11:23 ? 次閱讀
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在發(fā)射線圈施上交流電壓,產(chǎn)生交流電流并在空間生成交流磁場(chǎng),

該磁場(chǎng)在接收線圈感應(yīng)用電動(dòng)勢(shì),并通過(guò)調(diào)理電路處理,最終得到電壓信號(hào)送入處理器,計(jì)算得到待測(cè)物導(dǎo)致的發(fā)射信號(hào)與接收信號(hào)之間的相位差,

根據(jù)這一相位差判斷待測(cè)物的類型。

不存在待測(cè)物的情況

當(dāng)不存在待測(cè)物時(shí),發(fā)射線圈的等效電路由電阻和電感組成,如下圖:

a0986a98-0660-11ed-ba43-dac502259ad0.png

發(fā)射線圈等效電路

其中R1為線圈電阻,其電阻值大概為4Ω;L1為線圈電感,其電感量大概為 10mH。

其阻抗a0b93502-0660-11ed-ba43-dac502259ad0.png表示為:

a0c50abc-0660-11ed-ba43-dac502259ad0.png

存在待測(cè)物的情況

發(fā)射線圈通入交流電流I1時(shí),線圈周圍產(chǎn)生一個(gè)交變磁場(chǎng)H1。

當(dāng)待測(cè)物位于線圈磁場(chǎng)范圍內(nèi)時(shí),待測(cè)物內(nèi)部生產(chǎn)感應(yīng)渦流電流I2,

渦流信號(hào)在待測(cè)物附近產(chǎn)生交變磁場(chǎng)H2,渦流的中心之處H1和H2同軸但是方向相反。

因此,原有外部磁場(chǎng)被削弱,導(dǎo)致線圈的等效阻抗、相位均發(fā)生變化。

a0d55462-0660-11ed-ba43-dac502259ad0.jpg

渦流示意圖

線圈和待測(cè)物視為兩個(gè)互感的耦合線圈。

等效電路如圖所示:

a0f57eae-0660-11ed-ba43-dac502259ad0.jpg

待測(cè)物渦流影響下的等效電路

其中R1為發(fā)射線圈的電阻,L1為發(fā)射線圈的電感,R2為待測(cè)物渦流效應(yīng)的等效電阻,L2為待測(cè)物渦流效應(yīng)的等效電感,M為發(fā)射線圈與待測(cè)物之間的互感。

根據(jù)基爾霍夫定律,在發(fā)射線圈側(cè),有:

a10e564a-0660-11ed-ba43-dac502259ad0.png

在待測(cè)物側(cè),有:

a1193a60-0660-11ed-ba43-dac502259ad0.png

聯(lián)立上述兩式,求解,得到:

a12783f4-0660-11ed-ba43-dac502259ad0.png

a12f92ec-0660-11ed-ba43-dac502259ad0.png

對(duì)于不同類型的待測(cè)物,由于待測(cè)物的影響,

將使得發(fā)射線圈的等效電阻增大,而等效電抗可增大,或者減少。

通過(guò)判斷等效電抗增大或者減小,實(shí)現(xiàn)對(duì)待測(cè)物進(jìn)行分類。

審核編輯:彭靜
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原文標(biāo)題:一個(gè)巧妙的相位差檢測(cè)電路的詳細(xì)分析

文章出處:【微信號(hào):mcu168,微信公眾號(hào):硬件攻城獅】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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