0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

有機(jī)晶體管及其面臨的挑戰(zhàn)

SSDFans ? 來(lái)源:SSDFans ? 作者:SSDFans ? 2022-07-22 09:49 ? 次閱讀

電子產(chǎn)品更無(wú)縫地融入日常生活的愿望激發(fā)了人們對(duì)柔性電子產(chǎn)品的興趣。像柔性顯示器和嵌入衣服/人體的電子產(chǎn)品這樣的用例越來(lái)越受歡迎,要實(shí)現(xiàn)它們需要對(duì)傳統(tǒng)電子產(chǎn)品進(jìn)行新的改造。

實(shí)現(xiàn)柔性電子,有機(jī)晶體管是其中一項(xiàng)頗有前景的技術(shù)。

上周,TU Dresden大學(xué)的研究人員宣布首次展示有機(jī)BJT(OBJT),這在有機(jī)電子領(lǐng)域制造了一大轟動(dòng)。

本文將討論有機(jī)晶體管及其面臨的挑戰(zhàn),以及TU Dresden大學(xué)的新研究。

什么是有機(jī)半導(dǎo)體?

有機(jī)半導(dǎo)體是實(shí)現(xiàn)高柔性電子器件的一種潛在技術(shù),它是由有機(jī)半導(dǎo)體材料制成的晶體管設(shè)備,主要由碳原子和氫原子組成。由有機(jī)材料制成的有機(jī)半導(dǎo)體與傳統(tǒng)電子產(chǎn)品相比有幾大優(yōu)勢(shì)。

其中一大優(yōu)勢(shì)是它們與簡(jiǎn)單的制造技術(shù)相兼容。與硅電子相比,這種制造技術(shù)可以在相對(duì)較低的溫度下實(shí)現(xiàn)。此外,有機(jī)半導(dǎo)體通常具有令人印象深刻的材料特性,如高靈活性、更天然和低成本。有了這些特性,有機(jī)半導(dǎo)體可以被打印到塑料、衣服甚至人體等柔性基板上。

所有這些都使得有機(jī)半導(dǎo)體被認(rèn)為是未來(lái)制造柔性電子產(chǎn)品的關(guān)鍵組件。如今,有機(jī)LED(OLED)顯示器是有機(jī)半導(dǎo)體最受歡迎的應(yīng)用,與傳統(tǒng)LED顯示器相比,它可以用更薄的設(shè)計(jì)提供更好的圖像質(zhì)量。

有機(jī)半導(dǎo)體面臨的挑戰(zhàn)

盡管有機(jī)半導(dǎo)體已經(jīng)在顯示技術(shù)中找到了應(yīng)用,但到目前為止,該技術(shù)所實(shí)現(xiàn)的晶體管只有有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(OFET)。雖然自O(shè)FET誕生以來(lái)的幾十年里,這項(xiàng)技術(shù)已經(jīng)取得了顯著的發(fā)展,但仍有一些挑戰(zhàn)阻礙了它們被主流采用。

2f437aa0-0957-11ed-ba43-dac502259ad0.png

一個(gè)挑戰(zhàn)是有機(jī)材料是傳統(tǒng)的絕緣體,這意味著有機(jī)晶體管往往比硅晶體管具有更低的載流子遷移率。這種特性,再加上較大的重疊電容和接觸電阻,最終限制了OFET的運(yùn)行速度、能效和頻率范圍。

迄今為止,大多數(shù)研究只報(bào)道過(guò)OFET工作在中低兆赫范圍內(nèi),這個(gè)頻率范圍無(wú)法適用于廣大應(yīng)用場(chǎng)景。

理想情況下,應(yīng)該有同時(shí)提供低電容和接觸電阻的有機(jī)晶體管,這將允許更高的性能和更好的頻率響應(yīng)。為此,OBJT一直備受追捧,但尚未實(shí)現(xiàn),因?yàn)樗鼈円蕾囉诰_摻雜的基材層,這對(duì)于制造是一大挑戰(zhàn)。

“世界上首個(gè)”O(jiān)BJT

上周,來(lái)自TU Dresden大學(xué)的研究人員宣布他們能夠制造出世界上第一個(gè)高效OBJT,這成為了該領(lǐng)域的重大新聞。

正如他們?cè)凇蹲匀弧冯s志上所描述的那樣,研究人員通過(guò)開(kāi)發(fā)基于n型和p型摻雜rubrene的晶體薄膜器件來(lái)解決OBJT面臨的制造挑戰(zhàn)。

具體實(shí)現(xiàn)時(shí),首先通過(guò)真空沉積在基底上沉積一層薄的非晶rubrene,然后在氮?dú)庵型嘶餽ubrene以開(kāi)始晶體生長(zhǎng)。與傳統(tǒng)的在熔爐中生長(zhǎng)的晶體相比,這些晶體薄膜直接在基板表面生成,這有利于大規(guī)模生產(chǎn)。

2f61449a-0957-11ed-ba43-dac502259ad0.png

這項(xiàng)技術(shù)的結(jié)果是非常積極的,因?yàn)檠芯咳藛T能夠進(jìn)行n型和p型摻雜,并交付一個(gè)厚度約為1μm和垂直遷移率約為3 cm2 V-1 s-1的晶體管。

最后獲得一種單位增益頻率達(dá)到1.6 GHz的OBJT,標(biāo)志著第一個(gè)達(dá)到千兆赫頻率范圍的有機(jī)晶體管。

研究人員稱,他們研發(fā)的OBJT是邁向未來(lái)柔性電子產(chǎn)品的成功商業(yè)化和超快有機(jī)晶體管生產(chǎn)的一大步。隨著這一壯舉的完成,這項(xiàng)技術(shù)還將如何發(fā)展,讓我們拭目以待!

審核編輯 :李倩

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    334

    文章

    27515

    瀏覽量

    219805
  • 晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    77

    文章

    9706

    瀏覽量

    138490
  • 柔性電子
    +關(guān)注

    關(guān)注

    4

    文章

    181

    瀏覽量

    15999

原文標(biāo)題:“世界首個(gè)”O(jiān)BJT問(wèn)世,有機(jī)半導(dǎo)體迎來(lái)曙光?

文章出處:【微信號(hào):SSDFans,微信公眾號(hào):SSDFans】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    英特爾IEDM 2024大曬封裝、晶體管、互連等領(lǐng)域技術(shù)突破

    遠(yuǎn)的發(fā)展。 英特爾通過(guò)改進(jìn)封裝技術(shù)將芯片封裝中的吞吐量提升高達(dá)100倍,探索解決采用銅材料的晶體管在開(kāi)發(fā)未來(lái)制程節(jié)點(diǎn)時(shí)可預(yù)見(jiàn)的互連微縮限制,并繼續(xù)為先進(jìn)的全環(huán)繞柵極(GAA)晶體管及其它相關(guān)技術(shù)定義和規(guī)劃晶體管路線圖。 這些技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 12-25 09:52 ?178次閱讀
    英特爾IEDM 2024大曬封裝、<b class='flag-5'>晶體管</b>、互連等領(lǐng)域技術(shù)突破

    7納米工藝面臨的各種挑戰(zhàn)與解決方案

    本文介紹了7納米工藝面臨的各種挑戰(zhàn)與解決方案。 一、什么是7納米工藝? 在談?wù)?納米工藝之前,我們先了解一下“納米”是什么意思。納米(nm)是一個(gè)長(zhǎng)度單位,1納米等于10的負(fù)九次方米。對(duì)于半導(dǎo)體芯片
    的頭像 發(fā)表于 12-17 11:32 ?426次閱讀

    如何測(cè)試晶體管的性能 常見(jiàn)晶體管品牌及其優(yōu)勢(shì)比較

    如何測(cè)試晶體管的性能 晶體管是電子電路中的基本組件,其性能測(cè)試對(duì)于確保電路的可靠性和穩(wěn)定性至關(guān)重要。以下是測(cè)試晶體管性能的一些基本步驟和方法: 1. 外觀檢查 外觀檢查 :檢查晶體管
    的頭像 發(fā)表于 12-03 09:52 ?326次閱讀

    晶體管與場(chǎng)效應(yīng)管的區(qū)別 晶體管的封裝類型及其特點(diǎn)

    晶體管與場(chǎng)效應(yīng)管的區(qū)別 工作原理 : 晶體管晶體管(BJT)基于雙極型晶體管的原理,即通過(guò)控制基極電流來(lái)控制集電極和發(fā)射極之間的電流。 場(chǎng)效應(yīng)管 :場(chǎng)效應(yīng)管(FET)基于單極型
    的頭像 發(fā)表于 12-03 09:42 ?303次閱讀

    晶體管反相器的原理及應(yīng)用

    晶體管反相器是一種常見(jiàn)的電子電路元件,在現(xiàn)代電子設(shè)備中起著至關(guān)重要的作用。它通過(guò)利用晶體管的放大特性和反相特性,實(shí)現(xiàn)了輸入信號(hào)和輸出信號(hào)的反相。本文將詳細(xì)探討晶體管反相器的工作原理、特性及其
    的頭像 發(fā)表于 10-08 16:03 ?1499次閱讀

    NMOS晶體管和PMOS晶體管的區(qū)別

    NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見(jiàn)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)類型,它們?cè)诙鄠€(gè)方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景等方面詳細(xì)闡述NMOS晶體管
    的頭像 發(fā)表于 09-13 14:10 ?4104次閱讀

    CMOS晶體管和MOSFET晶體管的區(qū)別

    CMOS晶體管和MOSFET晶體管在電子領(lǐng)域中都扮演著重要角色,但它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、工作原理和應(yīng)用方面存在顯著的區(qū)別。以下是對(duì)兩者區(qū)別的詳細(xì)闡述。
    的頭像 發(fā)表于 09-13 14:09 ?1870次閱讀

    PNP晶體管符號(hào)和結(jié)構(gòu) 晶體管測(cè)試儀電路圖

    PNP晶體管是一種雙極性晶體管,用于電子電路中放大、開(kāi)關(guān)和控制電流的器件。與NPN晶體管相對(duì)應(yīng),PNP晶體管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)在于其三個(gè)不同的半導(dǎo)體區(qū)域:正極(P型)、負(fù)極(N型)、正極(P型
    的頭像 發(fā)表于 07-01 17:45 ?2778次閱讀
    PNP<b class='flag-5'>晶體管</b>符號(hào)和結(jié)構(gòu) <b class='flag-5'>晶體管</b>測(cè)試儀電路圖

    達(dá)林頓晶體管的工作原理與主要特性

    在電子工程中,晶體管是一種廣泛應(yīng)用的半導(dǎo)體器件,它能夠控制電流的流動(dòng)。在眾多晶體管類型中,達(dá)林頓晶體管(Darlington Transistor)以其獨(dú)特的工作原理和顯著的特性而備受矚目。本文將深入探討達(dá)林頓
    的頭像 發(fā)表于 05-22 16:49 ?1435次閱讀

    晶體管的分類與作用

    堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ),更為后來(lái)的集成電路、大規(guī)模集成電路乃至超大規(guī)模集成電路的誕生和發(fā)展提供了可能。本文將詳細(xì)探討晶體管的分類及其作用,以期為讀者提供一個(gè)全面且深入的理解。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:17 ?1041次閱讀

    晶體管測(cè)試儀的工作原理和主要作用

    在現(xiàn)代電子技術(shù)領(lǐng)域中,晶體管作為核心電子器件,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。為了確保晶體管的質(zhì)量和性能符合規(guī)格,晶體管測(cè)試儀成為了必不可少的工具。本文將詳細(xì)介紹晶體管測(cè)試儀的基本概念、工作
    的頭像 發(fā)表于 05-15 17:20 ?2498次閱讀

    晶體管測(cè)試儀適用于哪些場(chǎng)景

    晶體管測(cè)試儀在電子工程領(lǐng)域中用于評(píng)估和測(cè)試晶體管、壓電陶瓷以及其他電子元件的性能。通過(guò)測(cè)量晶體的電學(xué)參數(shù),如電阻、電容和電感等,工程師可以確定晶體
    的頭像 發(fā)表于 05-09 16:38 ?491次閱讀

    什么是達(dá)林頓晶體管?達(dá)林頓晶體管的基本電路

    達(dá)林頓晶體管(Darlington Transistor)也稱為達(dá)林頓對(duì)(Darlington Pair),是由兩個(gè)或更多個(gè)雙極性晶體管(或其他類似的集成電路或分立元件)組成的復(fù)合結(jié)構(gòu)。通過(guò)這種結(jié)構(gòu),第一個(gè)雙極性晶體管放大的電流
    的頭像 發(fā)表于 02-27 15:50 ?5653次閱讀
    什么是達(dá)林頓<b class='flag-5'>晶體管</b>?達(dá)林頓<b class='flag-5'>晶體管</b>的基本電路

    晶體管的三種工作狀態(tài)及其特點(diǎn)

    晶體管的三種工作狀態(tài)及其特點(diǎn)? 晶體管是一種半導(dǎo)體器件,常用于電子電路中作為放大器、開(kāi)關(guān)等功能的實(shí)現(xiàn)。晶體管具有三種基本的工作狀態(tài),包括截止?fàn)顟B(tài)、飽和狀態(tài)和放大狀態(tài)。 截止?fàn)顟B(tài)是指在
    的頭像 發(fā)表于 02-02 17:06 ?4119次閱讀

    晶體管Ⅴbe擴(kuò)散現(xiàn)象是什么?

    晶體管并聯(lián)時(shí),當(dāng)需要非常大的電流時(shí),可以將幾個(gè)晶體管并聯(lián)使用。因?yàn)榇嬖赩BE擴(kuò)散現(xiàn)象,有必要在每一個(gè)晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個(gè)小電阻。電阻R用以保證流過(guò)每個(gè)晶體管的電流近似相同。電阻值R
    發(fā)表于 01-26 23:07