單晶片背面和斜面清潔（下篇）

高級(jí)應(yīng)用

在正面具有對(duì)損壞敏感的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的應(yīng)用中，例如對(duì)于32nm柵極多晶硅(AR>5:1)圖案化的晶片，該 系統(tǒng)可以被設(shè)置為無(wú)損壞地清潔。這是通過(guò)修改背面化學(xué)噴嘴和配方配置，并保持正面干燥來(lái)實(shí)現(xiàn)的， 如圖9所示。雖然僅由10瓦的兆頻超聲波能量增強(qiáng)的氣泡爆炸可能導(dǎo)致物理?yè)p壞，如果正面是濕的，即 使通過(guò)硅晶片和空氣傳遞100瓦的兆頻超聲波能量，這也不會(huì)發(fā)生。在整個(gè)過(guò)程中，供應(yīng)到背面的化學(xué) 物質(zhì)/DIW不會(huì)從晶片邊緣

如圖4所示，晶圓邊緣和斜面清潔是需要解決的嚴(yán)重問(wèn)題，因此Akrion Systems開發(fā)了一種將金手指正面兆頻超聲波系統(tǒng)(FS Meg)與其BS Meg工藝相結(jié) 合的工藝。圖10顯示了這個(gè)合并的過(guò)程是如何工作的。金手指乙二醇被拉出到邊 緣區(qū)域，并與BS乙二醇同時(shí)使用，以加強(qiáng)邊緣和斜面區(qū)域的清潔效率。清洗前后: 的顆粒圖和SEM檢查證實(shí)，邊緣和斜面處的PRE大大改善。

結(jié)論

在這項(xiàng)研究中，Akrion Systems設(shè)計(jì)的單晶片背面兆頻超聲波系統(tǒng)被證明能夠同時(shí)去除晶片兩面 的污染物。根據(jù)進(jìn)入的晶片狀況，該系統(tǒng)還能夠僅清潔晶片背面，從而保護(hù)關(guān)鍵圖案免受 任何物理/化學(xué)損害。此外，該系統(tǒng)可以被修改以增強(qiáng)晶片邊緣/斜面區(qū)域的清 洗效率。預(yù)評(píng)估和SEM檢查證實(shí)了這一點(diǎn)。實(shí)驗(yàn)還揭示了DHF預(yù)處理有助于去 除強(qiáng)烈粘附的ESC標(biāo)記。

審核編輯 黃昊宇