2019年,臺(tái)積電便宣布啟動(dòng)2nm工藝的研發(fā),使其成為第一家宣布開(kāi)始研發(fā)2nm工藝的公司。
2021年,IBM完成了2納米技術(shù)的突破。據(jù)預(yù)計(jì),IBM 2nm工藝或能在每平方毫米芯片上集成3.33億個(gè)晶體管。相比7nm工藝提升了45%的性能或者減少75%的功耗,預(yù)計(jì)2024年量產(chǎn)。
據(jù)了解,中科院攻克的疊層垂直納米環(huán)柵晶體管技術(shù)要比GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)更加先進(jìn),這種新型晶體管技術(shù)是2nm制程的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù),也就是說(shuō)在2nm制程上,我國(guó)已經(jīng)成功取得了突破。
2nm芯片潛在優(yōu)勢(shì)包括:讓手機(jī)續(xù)航時(shí)長(zhǎng)翻倍;大幅度減少數(shù)據(jù)中心的能源使用量;讓設(shè)備能更快運(yùn)行應(yīng)用程序、完成語(yǔ)言翻譯和訪問(wèn)互聯(lián)網(wǎng);有助于自動(dòng)駕駛汽車更快完成物體檢測(cè),并減少對(duì)實(shí)時(shí)路況作出反應(yīng)所需的時(shí)間
2nm的實(shí)現(xiàn)可能性很大。在2nm技術(shù)上的突破三大晶圓廠肯定是勝算較大,但是先進(jìn)制程是需要經(jīng)驗(yàn)積累的,所以臺(tái)積電劉德音在最近的股東大會(huì)上才放話,對(duì)于日美合作2納米,三星以及英特爾在2納米技術(shù)上的發(fā)展,臺(tái)積電并不會(huì)特別擔(dān)心。按照過(guò)往的經(jīng)驗(yàn),臺(tái)積電在良率上一直相當(dāng)不錯(cuò)。至于歐洲在2nm技術(shù)上突破應(yīng)該也還有很長(zhǎng)的一段路要走。
炒土豆別放姜,半導(dǎo)體行業(yè)觀察綜合整理
審核編輯 :李倩
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