中科院攻克2nm芯片技術，中國2nm制程取得突破

現(xiàn)在全球芯片行業(yè)都聚焦在了2nm制程上，臺積電、三星、IBM等芯片巨頭也都相繼宣布了2nm制程技術的相關消息，臺積電和三星已經(jīng)著手3nm制程的量產(chǎn)了，而在中國大陸，芯片行業(yè)還停留在研發(fā)7nm制程的階段。

由于我國工業(yè)起步較晚，在許多技術方面都要從其他國家地區(qū)購入，但美國等勢力針對中國的半導體行業(yè)推出了制裁政策，因此在芯片代工、光刻機供應等方面，中國幾乎處于孤立無援的狀態(tài)，只能靠自己研發(fā)來推動芯片技術的發(fā)展。

晶體管是芯片中的一種元器件，隨著科技進步，芯片中晶體管的數(shù)量越來越多，以往老舊的晶體管結(jié)構已經(jīng)不能滿足要求，于是現(xiàn)在使用最為廣泛的FinFET晶體管就被研發(fā)了出來，這是一種3D晶體管，它的出現(xiàn)極大地改善了芯片的性能，現(xiàn)在廣泛應用在22nm、16nm、7nm等制程工藝上。不過這種晶體管還是有局限性，在7nm之后的先進制程中，F(xiàn)inFETch晶體管已經(jīng)不再適合了，這時更加先進的GAA環(huán)繞柵極晶體管就被研發(fā)了出來，目前這是最先進的晶體管技術。

但由于美國等國家制裁政策的緣故，GAA環(huán)繞柵極晶體管技術已經(jīng)被禁止向中國提供，這對中國的芯片行業(yè)將是一個沉重的打擊，不過好在在各位科研人員不斷的努力之下，我國的芯片技術終于取得了重大突破。據(jù)媒體報道，中科院已經(jīng)攻克了一項重大的2nm制程技術——疊層垂直納米環(huán)柵晶體管。

據(jù)了解，中科院攻克的疊層垂直納米環(huán)柵晶體管技術要比GAA環(huán)繞柵極晶體管技術更加先進，這種新型晶體管技術是2nm制程的一項關鍵技術，也就是說在2nm制程上，我國已經(jīng)成功取得了突破。

不過即便如此，疊層垂直納米環(huán)柵晶體管也只不過是2nm制程諸多關鍵技術中的一部分，真要想達到2nm技術還有很長的路要走。

綜合整理自 品閱網(wǎng) 大迪愛畫畫 百家眾神

審核編輯 黃昊宇