RY912217V2A600KHzECOT同步降壓調(diào)節(jié)器
特性
寬4.5V至17V工作輸入范圍
?2A連續(xù)輸出電流
?600KHz開關(guān)頻率
?ECOT模式控制與快速瞬變響應
?內(nèi)置超過電流限制
內(nèi)置過電壓保護
?輕負荷高效的PFM模式
?內(nèi)部軟啟動
?110mΩ/70mΩ低RDS(ON)內(nèi)部電源
場效電晶體
?輸出0.8V可調(diào)?無需肖特基二極管
?短保護打嗝模式
?整合內(nèi)部薪酬
?熱關(guān)機
?可在SOT23-6包裝
?-40℃~ +85℃溫度范圍
應用程序
數(shù)碼機頂盒(STB)
?平板電腦(Pad)
?平板電視和顯示器
?Wi-Fi路由器/ AP
?數(shù)碼錄像機(DVR)
?便攜式媒體播放器(PMP)
?電纜調(diào)制解調(diào)器/ XDSL
?一般用途
一般的描述
RY9122是一種高頻率,同步,整流,降壓,內(nèi)部電源開關(guān)模式變換器場效應管。它提供了一個非常緊湊的解決方案,在寬輸入電源上提供2A連續(xù)輸出電流范圍廣泛,具有優(yōu)良的負載和線路調(diào)節(jié)。ECOT控制操作提供非??焖俚乃矐B(tài)響應和簡單的回路設(shè)計以及非常緊的輸出調(diào)節(jié)。
RY9122需要最少數(shù)量的現(xiàn)成的、外部組件并且在節(jié)省空間SOT23-6包。
典型應用電路
銷的描述
銷的配置
審核編輯:符乾江
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
相關(guān)推薦
場效應管代換手冊
發(fā)表于 01-08 13:44
?0次下載
在設(shè)計場效應管驅(qū)動電路時,降低場效應管的噪聲是至關(guān)重要的。以下是一些有效的措施來降低場效應管的噪聲: 一、電源噪聲的抑制 選擇穩(wěn)定的電源 :
發(fā)表于 12-09 16:17
?457次閱讀
場效應管,特別是MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),在工業(yè)自動化中扮演著重要角色。以下是場效應管在工業(yè)自動化中的幾個主要應用: 一、電機驅(qū)動與控制 功率開關(guān) :
發(fā)表于 12-09 16:11
?462次閱讀
場效應管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種電壓控制型半導體器件,主要通過改變輸入端的電壓來控制輸出端的電流。場效應管廣泛應用于放大、開關(guān)、電源管理等領(lǐng)
發(fā)表于 12-09 16:02
?1133次閱讀
更低的噪聲水平,適合用于音頻放大器和射頻放大器。 快速開關(guān)特性 :MOSFET等場效應管具有非??斓?b class='flag-5'>開關(guān)速度,適合用于高速數(shù)字電路和開關(guān)電源。 良好的線性特性 :
發(fā)表于 12-09 15:58
?535次閱讀
屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)。JFET使用PN結(jié)作為控制門,而MOSFET使用金屬-氧化物-半導體結(jié)構(gòu)。 2. 場效應管的常見問題 2.1 柵極電壓不穩(wěn)定 問題描述: 柵極電壓波動可能導致場效應管工作不穩(wěn)定,影響電路性
發(fā)表于 12-09 15:57
?522次閱讀
場效應管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種電壓控制型半導體器件,它利用電場效應來控制電流的流動。場效應管的主要類型有結(jié)型場效應管(JFET)、金屬氧化
發(fā)表于 12-09 15:52
?817次閱讀
場效應管(Field Effect Transistor,簡稱FET)是一種通過改變電場來控制半導體材料導電性能的電子器件。根據(jù)導電溝道中載流子的類型,場效應管可以分為N溝道場效應管和P溝道場
發(fā)表于 09-23 16:41
?1578次閱讀
N溝道場效應管(N-Channel Field Effect Transistor, N-Channel FET)和P溝道場效應管(P-Channel Field Effect Transistor
發(fā)表于 09-23 16:38
?2223次閱讀
場效應管(Field Effect Transistor,簡稱FET)是一種重要的半導體器件,在現(xiàn)代電子設(shè)備中扮演著至關(guān)重要的角色。它利用電場效應來控制半導體材料的導電性,從而實現(xiàn)電流的放大、開關(guān)
發(fā)表于 05-31 17:59
?4206次閱讀
你好,在制動模式下,當高壓側(cè)場效應管導通、低壓側(cè)場效應管斷開時,如何獲得反向電動勢電流?
發(fā)表于 05-20 06:03
,由于有導體存在,產(chǎn)生的電阻將會轉(zhuǎn)化為熱量。所以,導通電阻是場效應管發(fā)熱的主要原因之一。 2. 開關(guān)頻率發(fā)熱:逆變器是通過高頻開關(guān)來控制電路
發(fā)表于 03-06 15:17
?3109次閱讀
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《同步降壓三降壓集成場效應管和死區(qū)存儲與釋放的變換器電路TPS65250數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 03-06 13:58
?0次下載
場效應管,即場效應晶體管(簡稱FET),是一種電壓控制型半導體器件。
發(fā)表于 02-20 15:31
?2742次閱讀
逆變器的場效應管發(fā)熱原因? 逆變器是一種將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的裝置,常用于太陽能發(fā)電、風能發(fā)電等可再生能源系統(tǒng)中。其中,場效應管(MOSFET)是逆變器中的關(guān)鍵元件,負責開關(guān)直流電,實現(xiàn)直流電的
發(fā)表于 01-31 17:17
?3193次閱讀
評論