顯示驅(qū)動(dòng)芯片(DDIC)是顯示面板制造中的一個(gè)關(guān)鍵部件。通常,無(wú)晶圓廠IC設(shè)計(jì)公司(如聯(lián)詠科技、奇景光電和LX Semicon)設(shè)計(jì)DDIC,在半導(dǎo)體晶圓代工廠中采用不同的制程節(jié)點(diǎn)(以微米[μm]或納米[nm]為單位)制造IC芯片。晶圓代工廠作為原始設(shè)備制造商(OEM)與IC公司合作,或?yàn)榉职讨圃礻P(guān)系。之后,IC封裝和測(cè)試公司完成DDIC的后道工序。然后,DDIC被交付給顯示面板廠商,將IC粘合在面板上,實(shí)現(xiàn)顯示信號(hào)驅(qū)動(dòng)功能。
DDIC通常以帶載封裝(TCP)形式包裝和運(yùn)輸。圖1顯示了LCD面板和DDIC之間的關(guān)系。
圖1:LCD面板和DDIC
Source: ChipMos
顯示面板的分辨率通常以像素和子像素的形式出現(xiàn)。例如,F(xiàn)HD面板意味著分辨率為1920x1080,而4K或超高清(UHD)面板意味著分辨率為3840x2160。3840表示X軸,而2160表示Y軸。3840x2160分辨率表示面板有3840x2160(8,294,400)個(gè)像素。每個(gè)像素有三個(gè)子像素(紅、綠、藍(lán))。因此,面板總共有3840xRGBx2160(2490萬(wàn))個(gè)子像素。
像素和子像素構(gòu)成了分辨率。DDIC的功能是驅(qū)動(dòng)這些子像素的顯示信號(hào)。因此,分辨率和每顆DDIC的信道數(shù)(pin)決定了每片面板中DDIC的數(shù)量,而不一定由面板尺寸決定。
當(dāng)涉及到DDIC規(guī)格時(shí),面板的分辨率是最關(guān)鍵的因素。
在制造DDIC時(shí),晶圓代工廠的制程節(jié)點(diǎn)是最關(guān)鍵的因素。
DDIC通過(guò)不同的粘合技術(shù)被粘合在面板邊緣,如COG (chip-on-glass) 和COF (chip-on-film)。柔性OLED面板也采用COP (chip-on-plastic) 方式,如圖2所示。
圖2:DDIC的COG、COF和COP粘合
Source: Omdia
由于分辨率是以X軸和Y軸形式出現(xiàn)的,所以有幾種驅(qū)動(dòng)IC:
源極驅(qū)動(dòng)芯片(Source driver IC):它驅(qū)動(dòng)X軸上的信號(hào),也被稱為source端或column端。
柵極驅(qū)動(dòng)芯片(Gate driver IC):它驅(qū)動(dòng)Y軸上的信號(hào),也被稱為gate端或row端。在現(xiàn)代,許多面板設(shè)計(jì)是無(wú)柵極或GOA (gate-on-array),以節(jié)省面板邊緣空間,使邊框更薄。GOA將柵極驅(qū)動(dòng)電路集成到TFT陣列中,這樣就可以省掉柵極驅(qū)動(dòng)IC部分。
智能手機(jī)DDIC(Smartphone DDIC):它將源極和柵極集成到單一驅(qū)動(dòng)芯片中。
觸控和顯示驅(qū)動(dòng)集成(TDDI):這將觸控芯片與顯示芯片整合進(jìn)單一芯片中。
圖3顯示了DDIC的供應(yīng)鏈:
圖3:中國(guó)臺(tái)灣的DDIC行業(yè)
Source: ChipMos
正如前面所述,DDIC是在半導(dǎo)體晶圓廠里制造的。下圖展示了晶圓的外觀和上面的IC芯片。
圖4:半導(dǎo)體硅晶圓與IC芯片的對(duì)比
Source: ChipMos and DISCO
半導(dǎo)體晶圓有兩個(gè)重要的特征:
晶圓尺寸:半導(dǎo)體晶圓有幾種尺寸:6英寸(直徑150毫米)、8英寸(直徑200毫米)和12英寸(直徑300毫米)。主流的尺寸是8英寸和12英寸。
制程節(jié)點(diǎn):這指的是電路鑄造的制程工藝節(jié)點(diǎn)。制程節(jié)點(diǎn)越小,在一塊晶圓上可以制造的集成電路就越多。此外,在裸芯片(IC die chip)上可以設(shè)計(jì)出更微妙和復(fù)雜的電路。制程節(jié)點(diǎn)是以納米來(lái)衡量的。一納米等于一米的十億分之一(0.000000001米)。在科學(xué)符號(hào)中,一納米可以表示為1x10-9米或1/1,000,000,000米。
晶圓尺寸和制程節(jié)點(diǎn)是相關(guān)的。12英寸晶圓代工廠比8英寸晶圓代工廠新;因此,12英寸晶圓采用的制程節(jié)點(diǎn)比8英寸晶圓的制程節(jié)點(diǎn)更先進(jìn)。
8英寸晶圓廠通常使用100納米到500納米的制程制造芯片。
對(duì)于12英寸晶圓來(lái)說(shuō),它們通常采用150納米和更小的制程節(jié)點(diǎn),大多在14納米到90納米之間。
目前,世界上最先進(jìn)的晶圓制程節(jié)點(diǎn)是中國(guó)臺(tái)灣臺(tái)積電的3納米和5納米,如圖5所示。
圖5:臺(tái)積電的3納米和5納米晶圓制程節(jié)點(diǎn)
Source: TSMC
然而,DDIC不需要用如此精細(xì)的制程工藝來(lái)生產(chǎn)。DDIC需要的制程節(jié)點(diǎn)為28納米到300納米。
一般來(lái)說(shuō),DDIC和制程節(jié)點(diǎn)之間的關(guān)系可以歸納為以下幾點(diǎn):
高清分辨率的大尺寸TFT LCD驅(qū)動(dòng)IC:200納米至300納米
FHD大尺寸TFT LCD驅(qū)動(dòng)IC:110納米至160納米
4K (UHD) TFT LCD驅(qū)動(dòng)IC:55納米至90納米
智能手機(jī)和平板電腦TDDI驅(qū)動(dòng)IC:55納米至90納米
標(biāo)準(zhǔn)分辨率(HD)TDDI驅(qū)動(dòng)IC:55納米至110納米
高分辨率(FHD及以上)TDDI驅(qū)動(dòng)IC:40納米至55納米
高分辨率OLED驅(qū)動(dòng)IC:28納米至40納米
沒(méi)有專門生產(chǎn)DDIC的半導(dǎo)體晶圓廠,這表示晶圓代工廠生產(chǎn)各種不同的邏輯IC和應(yīng)用IC ─ DDIC只是其中之一。這種產(chǎn)能共享在半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)造成了供需波動(dòng)。
在半導(dǎo)體行業(yè)中,有許多不同的邏輯和應(yīng)用IC共用晶圓代工廠產(chǎn)能。它們與DDIC的關(guān)系如圖6所示。
圖6:制程節(jié)點(diǎn)、應(yīng)用和DDIC的對(duì)比
Source: Omdia
Type-B USB接口IC在8英寸晶圓廠中使用250–500納米制程生產(chǎn)。
PMIC在8英寸晶圓廠中采用110–180納米制程生產(chǎn)。目前,為了利用12英寸晶圓廠增加的產(chǎn)能,正在開(kāi)發(fā)在12英寸晶圓上使用80-90納米制程制造PMIC。
寬屏擴(kuò)展圖形陣列(WXGA)和FHD分辨率的車載顯示源極驅(qū)動(dòng)芯片是在8英寸和12英寸晶圓廠中采用110–160納米制程生產(chǎn)的。
由于產(chǎn)能共享,PMIC的緊缺正在影響車載顯示源極驅(qū)動(dòng)芯片。
對(duì)于液晶電視面板,高清分辨率的源極和柵極驅(qū)動(dòng)IC是在8英寸晶圓廠使用200–300納米制程生產(chǎn)的。FHD和UHD源極驅(qū)動(dòng)IC是在8英寸晶圓廠使用110–160納米制程生產(chǎn)的。
對(duì)于液晶桌上型顯示器面板,HD和FHD源極和柵極驅(qū)動(dòng)IC是在8英寸晶圓廠中用190-300納米制程制造的。FHD、UHD和高分辨率游戲顯示驅(qū)動(dòng)IC是在8英寸晶圓廠中用110-160納米制程制造的。
對(duì)于筆記本電腦面板,HD驅(qū)動(dòng)IC是在8英寸晶圓上采用200-300納米制程制造的,而FHD和UHD驅(qū)動(dòng)IC是在8英寸晶圓上采用110-160納米制程制造。一些高分辨率的UHD源極驅(qū)動(dòng)IC是在12英寸晶圓上采用70-80納米制程制造的。
T-con芯片是在8英寸和12英寸晶圓上分別采用100-110納米或40–55納米制程制造的,范圍很廣。有些甚至是用28納米以下的制程制造的。
FoD (Fingerprint-on-display ) IC是在8英寸晶圓上采用180納米制程制造的。
所有平板電腦和智能手機(jī)的LCD和OLED DDIC都是在12英寸晶圓上制造的。TDDI芯片是主流,它將觸控芯片與顯示芯片整合在單一芯片中。
平板顯示TDDI驅(qū)動(dòng)IC是在12英寸晶圓上使用55-90納米制程制造的。
智能手機(jī)高清分辨率TDDI驅(qū)動(dòng)芯片是在12英寸晶圓廠采用55-110納米制程制造的。
智能手機(jī)FHD TDDI驅(qū)動(dòng)芯片是在12英寸晶圓上采用40–55納米制程制造的。
CIS在12英寸晶圓代工廠產(chǎn)能中占據(jù)重要地位。低端CIS與大尺寸TFT LCD顯示驅(qū)動(dòng)IC共享產(chǎn)能,而中端CIS與智能手機(jī)高清TDDI共享產(chǎn)能。高端CIS與智能手機(jī)FHD TDDI共享產(chǎn)能。
AMOLED DDIC是在12英寸晶圓上使用28–40納米制程制造的。
半導(dǎo)體晶圓廠通常與無(wú)晶圓廠IC設(shè)計(jì)公司簽訂長(zhǎng)期合同,包括DDIC制造,以分配晶圓產(chǎn)能。
然而,IC的價(jià)格始終是第一考慮因素。晶圓代工廠商,如臺(tái)積電(TSMC)、聯(lián)電(UMC)、Global Foundries、力積電(PSMC)、世界先進(jìn)(VIS)、晶合集成(Nexchip)、中芯國(guó)際(SMIC)、華邦電子(Winbond)等,都在經(jīng)營(yíng)分包制造業(yè)務(wù)。因此,實(shí)現(xiàn)收益和利潤(rùn)最大化是他們的首要任務(wù)。
IC芯片的價(jià)格水平是決定產(chǎn)能分配的一個(gè)因素。
下圖顯示了8英寸和12英寸晶圓廠的產(chǎn)能分配優(yōu)先級(jí)與IC價(jià)格水平。
圖7:8英寸晶圓應(yīng)用和IC價(jià)格水平
Source: Omdia
對(duì)于8英寸晶圓,IC價(jià)格從低到高排序如下:
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFETs):110-300納米
LED驅(qū)動(dòng)IC:300–500納米
NOR閃存IC:100-180納米
音頻IC:110-300納米
DDIC:110-300納米,特別是用于9英寸及以上的大尺寸TFT LCD面板
T-cons: 110-180納米
CIS: 110–280納米
TPM ICs: 110–280納米
PMICs: 110–280納米
Retimer/redriver IC(用于PC內(nèi)部傳輸):110-180納米
USB控制器:110-180納米
MCU,特別是用于汽車應(yīng)用:150-300納米
如上所示,MCU是8英寸晶圓上價(jià)格最高的芯片,而DDIC的價(jià)格水平居中。
當(dāng)MCU需求激增時(shí),8英寸晶圓往往會(huì)生產(chǎn)更多的MCU,而不是價(jià)格較低的MOSFET。另一方面,PMIC和DDIC的需求穩(wěn)定,因此晶圓代工廠商總是為PMIC和DDIC分配一定的產(chǎn)能。
然而,隨著電動(dòng)汽車的增長(zhǎng)、5G電信的增長(zhǎng)以及所有設(shè)備的功耗問(wèn)題導(dǎo)致了PMIC需求的激增。這種激增影響到晶圓代工廠商對(duì)PMIC和DDIC的產(chǎn)能分配。
圖8:12英寸晶圓應(yīng)用和IC價(jià)格水平
Source: Omdia
對(duì)于12英寸晶圓,從低到高的IC價(jià)格排序如下:
NOR閃存IC:55–90納米
T-cons: 22–90納米
用于智能手機(jī)LCD和OLED的DDIC:28-55納米
CIS: 22–90納米
TPM IC: 40–60納米
PMIC: 55–90納米
Retimer/redriver IC(用于PC內(nèi)部傳輸):110-180納米
USB控制器:28–90納米
MCU: 40–90納米
存儲(chǔ)控制IC:28–40納米
復(fù)雜可編程邏輯器件(CPLD),也是邏輯IC:22-28納米
現(xiàn)場(chǎng)可編程邏輯門陣列(FPGA),通常是定制的:22-28納米
BMCs,用于PC服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備:28-60納米
網(wǎng)絡(luò)IC:14納米以下和14-55納米,取決于設(shè)計(jì)和規(guī)格
在12英寸晶圓廠,CPU和GPU是最賺錢的產(chǎn)品。晶圓代工廠商關(guān)心的是其12英寸晶圓廠的盈利,而不是保持100%的產(chǎn)能利用率。
就IC價(jià)格而言,DDIC是12英寸晶圓產(chǎn)品中價(jià)格最低的產(chǎn)品之一。OLED和筆記本顯示面板需求的增加,搶占了12英寸晶圓廠40-55納米制程的更多產(chǎn)能。在28-55納米節(jié)點(diǎn)范圍,DDIC有許多產(chǎn)能競(jìng)爭(zhēng)者,如CIS、TPM、retimer/redriver/MCU和BMC。
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