UnitedSiC推出具有顯著優(yōu)勢的第四代SiC FET

2020年750V第四代SiC FET誕生時，它與650V第三代器件的比較結(jié)果令人吃驚，以6毫歐器件為例，品質(zhì)因數(shù)RDS?A降了近一半，由于體二極管反向恢復能量，動態(tài)損耗也降了近一半。關(guān)閉能量Etot顯著降低，而短路耐受時間和體二極管浪涌電流提高到了兩倍以上。

這些進步使得SiC FET在效率和成本至關(guān)重要的系統(tǒng)中遙遙領先于競爭性技術(shù)：IGBT、Si-MOSFET、SiC-MOSFET，甚至GaN，例如在電動車/太陽能逆變器中、電池充電器中、PFC級中以及一般的直流和交直流轉(zhuǎn)換中。在應用中，與其他器件相比，750V額定值是一個有用的新增優(yōu)勢，使其擁有比額定電壓通常僅為650V的其他技術(shù)器件更大的安全裕度。這甚至能降低要將電壓過沖保持在最大額定值內(nèi)所需的高損耗緩沖，增效節(jié)能。
第三代技術(shù)提供了1200V和更高額定電壓的器件，而現(xiàn)在，UnitedSiC（現(xiàn)名Qorvo）提供了1200V第四代器件，它們具有一系列導通電阻額定值，可滿足通常使用800V總線的各種應用的需要。為了能靈活設計，RDS(on)值為23/30/53和70毫歐的產(chǎn)品均以TO-247-4L封裝提供，并額外采用開爾文源極連接，滿足開關(guān)速度極快的應用的需求。53和70毫歐器件還以TO-247-3L封裝提供，供重要性略低但對成本更為敏感的設計使用。與750V器件一樣，每個器件都有業(yè)界出眾的導電和動態(tài)相關(guān)損耗品質(zhì)因數(shù)：RDS?A、RDS(on)?Coss,tr和RDS(on)?Qg。1200V器件還利用在第四代產(chǎn)品中開發(fā)出的技術(shù)，即先進的單元最大化技術(shù)、晶圓減薄技術(shù)和銀燒結(jié)晶粒連接方法。這為器件帶來了出色的熱能力，符合總線電壓較高的系統(tǒng)中較高功率電平的要求以及利用的先進冷卻技術(shù)的要求。新的UF4C/SC器件經(jīng)過優(yōu)化，可用于硬開關(guān)應用，如連續(xù)導電模式中廣受歡迎的圖騰柱PFC級。它們還非常適合軟開關(guān)設計，在此類設計中，SiC FET的低輸出電容和低導電損耗都是顯著優(yōu)勢。

新1200V器件的一個顯而易見的應用是采用800V電池的電動車，它需要車載充電器和輔助直流轉(zhuǎn)換器。當然，新的1200V第四代器件具有SiC FET的既有優(yōu)勢：常關(guān)型、柵極驅(qū)動輕松、體二極管損耗低和碳化硅固有的強度。

來源：UnitedSiC