Tower發(fā)布第二代最先進65納米BCD

Tower推出第二代65納米BCD可擴展功率LDMOS，將電壓擴展至24V，Rdson降低20%；并在其180納米BCD平臺上增加深槽隔離（DTI）技術，使裸片尺寸減少40%，支持工作電壓高達125V

Tower將在德國紐倫堡舉行的2022年度PCIM會議上展示其最新的電源管理技術

以色列，米格達勒埃梅克，2022年5月9日——高價值模擬半導體代工解決方案的領先廠商Tower Semiconductor（NASDAQ/TASE：TSEM）今日宣布擴大其電源管理平臺，發(fā)布第二代最先進的65納米BCD，將工作電壓擴大至24V，并將Rdson減少20%。公司還在其180納米BCD平臺上增加深槽隔離技術，可在高達125V的電壓下將芯片尺寸減小多達40%。這些全新擴展?jié)M足了市場對更高電壓和更高功率IC日益增長的需求，進一步加強了Tower在功率IC領域的領先市場地位；根據(jù)Yole Développement（Yole）的數(shù)據(jù)，到2026年，該市場規(guī)模將超過255億美元。

Tower的65納米BCD平臺以其在功率性能、成本和集成競爭力方面的領先優(yōu)勢而被譽為同類最佳的90納米以下BCD技術。得益于針對16V器件LDMOS Rdson的電阻率降低，以及高至24V的電壓擴展，更高的功率性能和/或達20%芯片尺寸縮減讓第二代65納米BCD大幅獲益。這些進步有力地滿足了計算與消費市場對單片大功率轉換器的需求；其中包括用于CPU和GPU的大功率穩(wěn)壓器，以及充電器、大功率電機驅動器，和功率轉換器等應用。

Tower的180納米BCD憑借在電壓覆蓋率、隔離方案、功率性能、裸片尺寸和掩模數(shù)方面的卓越優(yōu)勢，成為業(yè)界最廣泛、同類最佳的平臺。180納米BCD深槽隔離方案（DTI）在單個IC內提供了更高的抗噪能力；且在高電壓下具有更強靈活性，可以選擇多種隔離方案，并將裸片尺寸縮小40%。所有這些戰(zhàn)略特性都為市場上不斷增加的48V系統(tǒng)部署帶來助力；該類系統(tǒng)要求IC支持高達120V或更高的電壓。該平臺還特別滿足了工業(yè)和汽車應用的要求，包括柵極驅動器、功率轉換器、電機驅動器和車載48V系統(tǒng)，以及它們對具有多個電壓域且芯片尺寸更小IC中高階隔離的需求。
審核編輯：彭靜