通過(guò)GaN特性優(yōu)化門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路

節(jié)能舉措，如企業(yè)服務(wù)器和云數(shù)據(jù)中心電源的“80+ Titianium”，以及外部電源適配器的歐盟行為準(zhǔn)則（CoC） Tier 2，正使電源設(shè)計(jì)人員轉(zhuǎn)而選擇GaN開(kāi)關(guān)技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)更高能效的設(shè)計(jì)。由于GaN并不是現(xiàn)有硅技術(shù)的直接替代品，為了獲得最大的優(yōu)勢(shì)，驅(qū)動(dòng)器和布板必須與新技術(shù)相匹配。

對(duì)比GaN和硅開(kāi)關(guān)

GaN是高速器件，因其電容很低，且可在沒(méi)有反向恢復(fù)電荷的情況下反向?qū)щ姡ǖ谌笙蓿?，這在硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中是個(gè)真正的優(yōu)勢(shì)。因此，損耗較低，但也有一些缺點(diǎn)。一是器件沒(méi)有雪崩電壓額定值，門(mén)極驅(qū)動(dòng)相當(dāng)關(guān)鍵，絕對(duì)最大額定電壓典型值僅為+/-10V，而Si器件為+/-20V。另外，增強(qiáng)型（E-mode）GaN通常是關(guān)斷的器件，其1.5V左右的門(mén)極導(dǎo)通閾值也低于Si的約3.5V。關(guān)鍵的是，能否實(shí)現(xiàn)低損耗、高功率密度和高可靠性的預(yù)期優(yōu)勢(shì)，取決于具有強(qiáng)固保護(hù)特性的優(yōu)化門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路。

GaN門(mén)極驅(qū)動(dòng)對(duì)性能至關(guān)重要

為了充分增強(qiáng)，E-mode GaN開(kāi)關(guān)需要驅(qū)動(dòng)到約5V，但不很高；除了保持在絕對(duì)最大限值內(nèi)，門(mén)極電路中的功耗隨門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓和頻率的變化而變化。在器件電容和門(mén)極電荷較低的情況下，平均驅(qū)動(dòng)功率可以很低。但由于開(kāi)關(guān)是納秒級(jí)的，峰值電流可以很高，為安培級(jí)，因此驅(qū)動(dòng)電路需要匹配這速度，但仍然能夠提供大量的電流。

理論上，GaN器件在VGS= 0安全關(guān)斷，但是如果沒(méi)有從驅(qū)動(dòng)器返回到開(kāi)關(guān)源的閉合“開(kāi)爾文”連接，則所得到的連接電感在器件開(kāi)關(guān)時(shí)引起電壓尖峰（圖1）。這與門(mén)極驅(qū)動(dòng)器相對(duì)，最佳地降低驅(qū)動(dòng)電壓裕量，和最壞的導(dǎo)致寄生導(dǎo)通從而具有潛在的破壞性結(jié)果。門(mén)極可負(fù)驅(qū)動(dòng)以抵消效應(yīng)，但是通過(guò)謹(jǐn)慎的布局和便于開(kāi)爾文連接的驅(qū)動(dòng)器可以避免這種復(fù)雜性?！癕iller”電容可引起類似的效應(yīng)，但對(duì)于GaN，這可忽略不計(jì)。

圖1：源極和門(mén)極驅(qū)動(dòng)共有的電感會(huì)引起電壓瞬變

高邊門(mén)極驅(qū)動(dòng)的挑戰(zhàn)

一些轉(zhuǎn)換拓?fù)洳捎谩哌叀_(kāi)關(guān)，其門(mén)極驅(qū)動(dòng)器返回是高壓開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)。驅(qū)動(dòng)器必須電平移位，并且不受從輸出到輸入的dv/dt影響，對(duì)于GaN，dv/dt可能是100 V/ns以上。此外，在這種情況下，需要很好的控制通過(guò)驅(qū)動(dòng)器的傳播延遲，以便匹配低邊和高邊信號(hào)，避免發(fā)生災(zāi)難性的“擊穿”，同時(shí)盡可能保持最小的死區(qū)時(shí)間。甚至低邊驅(qū)動(dòng)器有時(shí)也需要信號(hào)和接地電源之間一定的電平移位，以避免從驅(qū)動(dòng)器輸出級(jí)到輸入端的噪聲耦合，這耦合可能會(huì)導(dǎo)致異常運(yùn)行或最壞的設(shè)備故障。

有源鉗位反激應(yīng)用示例

圖2：GaN有源鉗位反激轉(zhuǎn)換器概覽

圖2顯示安森美半導(dǎo)體的NCP51820 GaN門(mén)極驅(qū)動(dòng)器及NCP1568有源鉗位反激控制器。該驅(qū)動(dòng)器采用具有調(diào)節(jié)的+5.2V幅值的門(mén)極驅(qū)動(dòng)器用于高邊和低邊輸出最佳增強(qiáng)型GaN。其高邊共模電壓范圍-3.5V到+650V，低邊共模電壓范圍為-3.5至+3.5V，dv/dt抗擾度200 V/ns，采用了先進(jìn)的結(jié)隔離技術(shù)。如果在低邊器件源極有一個(gè)電流檢測(cè)電阻器，低邊驅(qū)動(dòng)電平移位使開(kāi)爾文連接更容易。驅(qū)動(dòng)波形的上升和下降時(shí)間為1ns，最大傳播延遲為50 ns，且提供獨(dú)立的源汲輸出，以定制導(dǎo)通和關(guān)斷邊沿率，達(dá)到最佳的EMI/能效。

LLC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用示例

該LLC轉(zhuǎn)換器（圖3）的一個(gè)特點(diǎn)是驅(qū)動(dòng)波形為50%的占空比。因此，控制死區(qū)時(shí)間以不發(fā)生重疊至關(guān)重要。

圖3：基于GaN的LLC轉(zhuǎn)換器概覽

所示的安森美半導(dǎo)體NCP51820驅(qū)動(dòng)器確保門(mén)極驅(qū)動(dòng)不重疊。該器件還含一個(gè)使能輸入和全面的保護(hù)，防止電源欠壓和過(guò)溫。它采用PQFN、4×4mm 的15引線封裝，使短、低電感連接到GaN器件的門(mén)極。

布板至關(guān)重要

在所有應(yīng)用中，布板是成功的關(guān)鍵。門(mén)驅(qū)動(dòng)回路必須最小化和匹配，驅(qū)動(dòng)器和GaN器件應(yīng)置于PCB同側(cè)，并使用接地/電源面。

對(duì)于GaN開(kāi)關(guān)，需要仔細(xì)設(shè)計(jì)其門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路，以實(shí)現(xiàn)更高能效、功率密度及可靠性。此外，謹(jǐn)慎的布板，使用專用驅(qū)動(dòng)器如安森美半導(dǎo)體的NCP51820，及針對(duì)高低邊驅(qū)動(dòng)器的一系列特性，確保GaN器件以最佳性能工作。

審核編輯：郭婷