東芝半導(dǎo)體DTMOSVI系列MOSFET的應(yīng)用及特性

如今，市場(chǎng)對(duì)于高效率電源的需求日益增漲，在此背景下，東芝拓展了新一代650V超結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”，推出TK090E65Z、TK090E65Z、TK110E65Z、TK155E65Z和TK190E65Z產(chǎn)品，它們適用于數(shù)據(jù)中心、光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備的開(kāi)關(guān)電源。這四款產(chǎn)品進(jìn)一步完善了上一代產(chǎn)品在封裝、漏源導(dǎo)通電阻和柵漏電荷方面的設(shè)計(jì)。

與上一代DTMOSIV-H系列相比，新一代DTMOSVI系列“漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷”的品質(zhì)因數(shù)降低約40%[1]，開(kāi)關(guān)電源效率提高約0.36%[2]。未來(lái)，順應(yīng)市場(chǎng)需求，東芝將繼續(xù)拓展新一代超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的產(chǎn)品線，為提高電源效率增添“芯”助力。

應(yīng)用：

工業(yè)設(shè)備開(kāi)關(guān)電源：

數(shù)據(jù)中心(服務(wù)器電源等)

光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器

不間斷電源系統(tǒng)

特性：

“漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷”的值降低約40%[1]，有助于提高開(kāi)關(guān)電源的效率

直插式TO-220封裝

主要規(guī)格：

(@Ta=25℃)

內(nèi)部電路

應(yīng)用電路示例

注：

[1]與上一代DTMOSIV-H系列相比

[2]截至2022年2月，東芝測(cè)量的數(shù)值(采用輸出功率為2500W的PFC電路時(shí)，TO-247封裝的新系列TK040N65Z與上一代TK62N60X相比)

[3]DTMOSIV系列

關(guān)于東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社是先進(jìn)的半導(dǎo)體和存儲(chǔ)解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，公司累積了半個(gè)多世紀(jì)的經(jīng)驗(yàn)和創(chuàng)新，為客戶和合作伙伴提供分立半導(dǎo)體、系統(tǒng)LSI和HDD領(lǐng)域的杰出解決方案。

公司23,100名員工遍布世界各地，致力于實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品價(jià)值的最大化，東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社十分注重與客戶的密切協(xié)作，旨在促進(jìn)價(jià)值共創(chuàng)，共同開(kāi)拓新市場(chǎng)，公司現(xiàn)已擁有超過(guò)7,110億日元(62億美元)的年銷售額，期待為世界各地的人們建設(shè)更美好的未來(lái)并做出貢獻(xiàn)。

原文標(biāo)題：東芝DTMOSVI系列MOSFET，有效提高電源效率

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審核編輯：湯梓紅