雷擊浪涌的起因與基本保護(hù)器件介紹

開關(guān)電源之雷擊浪涌大解剖

1雷擊浪涌的起因

1)雷擊(主要模擬間接雷)：例如，雷電擊中戶外線路，有大量電流流進(jìn)外部線路或接地電阻，因而產(chǎn)生的干擾電壓;又如，間接雷擊(如云層間或云層內(nèi)的雷擊)在線路上感應(yīng)出的電壓或電流;再如，雷電擊中了鄰近物體，在其四周建立了電磁場(chǎng)，當(dāng)戶外線路穿過(guò)電磁場(chǎng)時(shí)，在線路上感應(yīng)出了電壓和電流;還如，雷電擊中了四周的地面，地電流通過(guò)公共接地系統(tǒng)時(shí)所引進(jìn)的干擾。

(2)切換瞬變：例如，主電源系統(tǒng)切換時(shí)(例如補(bǔ)償電容組的切換)產(chǎn)生的干擾;又如，同一電網(wǎng)中，在靠近設(shè)備四周有一些較大型的開關(guān)在跳動(dòng)時(shí)所形成的干擾;再如，切換有諧振線路的晶閘管設(shè)備;還如，各種系統(tǒng)性的故障，例如設(shè)備接地網(wǎng)絡(luò)或接地系統(tǒng)間產(chǎn)生的短路或飛弧故障。

雷擊浪涌發(fā)生后開關(guān)電源不能損壞。兩種通常的類型，“雷擊” 和“振鈴” 波。

2雷擊浪涌基本保護(hù)器件介紹

GDT 陶瓷氣體放電管 Gas Discharge Tubes

陶瓷氣體放電管是一由電壓導(dǎo)通的開關(guān)型器件，使用中并聯(lián)在被保護(hù)設(shè)備的線與線或線與地端之間。陶瓷氣體放電管是防雷保護(hù)設(shè)備中應(yīng)用最廣泛的開關(guān)器件，浪涌電流大，極間電容低最低1p，絕緣阻值可達(dá)10G，擊穿電壓分散性較。

TVS 瞬態(tài)抑制二極管Thyristor Surge Suppressors

瞬態(tài)抑制二極管是一種限壓型的過(guò)壓保護(hù)器件，以pS 級(jí)的速度把過(guò)高的電壓限制在一個(gè)安全范圍之內(nèi)，從而起到保護(hù)后面電路的作用。

MOV 壓敏電阻Metal Oxide Varistors

壓敏電阻是以氧化鋅為材料燒結(jié)而成的半導(dǎo)體限壓型浪涌器件，它以其優(yōu)異的非線性特性和超強(qiáng)的浪涌吸收能力被廣泛應(yīng)用于電子電路中進(jìn)行保護(hù)。

PTC 自恢復(fù)保險(xiǎn)絲 Positive Thermal Coefficient

自恢復(fù)保險(xiǎn)絲是一種過(guò)流電子保護(hù)元件，采用高分子有機(jī)聚合物在高壓、高溫，反應(yīng)的條件下，攙加導(dǎo)電粒子材料后，經(jīng)過(guò)特殊的工藝加工而成。

ESD/TVS 靜電保護(hù)陣列 ESD/TVS Arrays

靜電保護(hù)陣列具有反應(yīng)速度快，小於0.5nS，導(dǎo)通電壓低，體積小、集成度高能同時(shí)實(shí)現(xiàn)多條資料線保護(hù)，電容值較低，可達(dá)0.3pF，是理想的高頻保護(hù)器件。

GGD 玻璃放電管 Glass Gas Discharge Tubes

玻璃放電管是一種抑制異常高壓脈沖、保護(hù)低壓電路免受瞬間高壓破壞的一種過(guò)壓保護(hù)器件。它是利用微隙放電的原理，并利用半導(dǎo)體芯片的激活作用研制而成的引導(dǎo)性保護(hù)組件，具有響應(yīng)速度快、耐沖擊、性能穩(wěn)定、重復(fù)性好和壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。

3雷擊浪涌的測(cè)試項(xiàng)目以及PCB layout需要注意的。

雷擊的測(cè)試項(xiàng)目主要針對(duì)電源火線(L),地線(N),安全地(E)進(jìn)行不同組合測(cè)試主要測(cè)試項(xiàng)目有四種(L→E , N→E, L&N→E, L→N), 一般設(shè)計(jì)考慮上分為共模(Common Mode)與差模(Differential mode)兩大類,

A. L→E , N→E, L&N→E 測(cè)試屬于共模(Common Mode)

B. L→N 測(cè)試屬于差模(Differential mode)

以下是做雷擊測(cè)試時(shí)Common Mode 和Differential mode 的路徑如下圖所示

圖

共模的雷擊對(duì)策: (Common Mode)

共模雷擊能量泄放路徑,(參考上圖綠線) ,首先考慮跨初、次級(jí)會(huì)因安全距離不足而造成其雷擊跳火或組件損壞的路徑有那些?(變壓器 /光耦合器 /Y-Cap)針對(duì)這三個(gè)組件選擇與設(shè)計(jì)考慮如下:

1. 變壓器:

因變壓器橫跨于初、次級(jí)組件, 依照工作電壓有不同的安規(guī)距離要求, 一般采

用Class B 的等級(jí), 零件本身初次級(jí)需通過(guò)Hi-POT 3000Vac , 需特別注意腳距離與鐵心的距離以及繞組每層膠帶數(shù)量是否符合絕緣強(qiáng)度。

2. 光耦合器:

組件本身的距離需符合安規(guī)的要求, layout 時(shí)零件下方不可有Trace 避免距離

不足的問(wèn)題。

3. Y-Cap:

本身的特性是高頻低阻抗的組件,當(dāng)共模雷擊測(cè)試時(shí),能量會(huì)快速通過(guò)Y-Cap

所擺放的路徑, 因此layout 布局時(shí)半導(dǎo)體組件(PWM IC , TL431, OP…) GND

trace 應(yīng)避開Y Cap 雷擊能量泄放路徑, 以避免成零件的損壞

差模的雷擊對(duì)策: (Differential)

雷擊能量流經(jīng)的路徑主要在橋式整流器前的L 和N 回路, 主要對(duì)策如下: Varistor(MOV) 或 Spark Gap(雷擊管)吸收 等組件吸收并抑制能量流入power supply 內(nèi)部。

1. Thermistor (NTC) :串接于L or N 的路徑上,會(huì)增加回路的阻抗值,進(jìn)而降低進(jìn)入Power supply 的電流能量。

2.MOV(Metal Oxide Varistor ) :金屬氧化物或突波吸收器, 使用上并聯(lián)于L 和N 上,組件本身為一個(gè)高阻抗的組件,在一般的情形下并不會(huì)有損耗產(chǎn)生,只有稍許的漏電流,當(dāng)瞬間的雷擊高電位進(jìn)入電源輸入端且超過(guò)MOV 的崩潰電壓,此時(shí)產(chǎn)生抑制電壓的動(dòng)作,而讓瞬間上升電流流經(jīng)MOV 本身進(jìn)行能量吸收,降低雷擊的能量進(jìn)入Power Supply 本身。

3. Spark Gap or Gas Discharge Tube : 使用上并聯(lián)于Common Choke 同一次側(cè)的兩端,針對(duì)雷擊所產(chǎn)生的動(dòng)作保護(hù)原理當(dāng)瞬間的高電位在Common Choke 兩端超過(guò)其額定的電壓時(shí)會(huì)激發(fā)惰性氣體, 此時(shí)Spark Gap 會(huì)產(chǎn)生電弧放電,將突波的能量抑制下來(lái),不讓大量的能量進(jìn)入Power Supply ,

4. 在layout 上規(guī)劃出鋸齒狀的銅箔形式,兩端距離約1mm,當(dāng)Common Choke 兩端的壓差太大時(shí),產(chǎn)生尖端放電的現(xiàn)象,將能量進(jìn)而宣泄。

除了上述設(shè)計(jì)上所應(yīng)注意的地方之外, Layout 上如何達(dá)到對(duì)電擊的防制亦是重要一環(huán)。

地線(Ground) 的處理,如下圖所示

A. 一次側(cè)的部分,Ground 的layout 順序大電容的Ground →Current

sensor→Y-Cap→一次側(cè)變壓器輔助繞組Vcc 電容的Ground→PWM IC 外圍

組件的ground →PWM IC 的ground 。

B. 二次側(cè)的部分:1. TL431 的地接至第二級(jí)輸出電容的地。

C. 二次側(cè)Y-cap 的出腳接至二次側(cè)變壓器的ground 。

2. 正端高壓部分的處理, 如下圖所示。

A. L,N 兩線距離2.5mm 以上及與E 的距離在4mm 以上。

B. 高壓的銅箔與低壓的銅箔安全距離在1.5mm 以上。

C. 一、二次側(cè)的距離在6mm 以上。

4. PWM IC layout 的注意事項(xiàng) ,因PWM IC 相較于其它的組件而言是屬于比較脆弱且易損傷的組件, ,舉例在一般的PWM IC 都會(huì)定義每支腳位所能承受的最大電位及負(fù)向電壓如下圖所示,所以一開始layout 其組件的擺置相形重要。

Vcc 的電解電容及陶瓷電容。

Cs pin 的陶瓷電容。

CT pin 的陶瓷電容。

COMP pin 的陶瓷電容。

以上電容都要盡量要靠近IC,以防止瞬間電壓進(jìn)入PWM IC(尤其是負(fù)電壓)。再來(lái)

就Ground 的處理, 首先將PWM IC 之 CT / CS / COMP 所有GND 接在一起后,單點(diǎn)

進(jìn)入IC GND,再接至Vcc 電解/陶瓷電容的Ground 最后再接至輔助繞組的Ground。

對(duì)于layout ground 的部分用實(shí)例來(lái)解釋 如下圖所示, Ground 的layout 準(zhǔn)則

1. Current sense 電阻直接回到大電容的地。

2.由大電容的地先到變壓器的地再到輔助繞組 Vcc 電解電容的地。

3. 由輔助繞組 Vcc 電解電容再分出去給光耦合器的地及IC 外圍陶瓷電容的地,最后接到PWM IC 的地。

4典型的雷擊測(cè)試和對(duì)策以及小技巧

下面是一個(gè)典型的規(guī)格: (1.2uS / 50uS)

– 沒(méi)有誤動(dòng)作: 4 kV / 12 Ω共模, 2kV/ 2 Ω 差模

– 可以交流重啟(關(guān)機(jī)，短時(shí)間不工作): 6kV / 12 Ω 共模, 4kV / 2Ω差模

– 更高雷擊電壓時(shí)，不能出現(xiàn)安規(guī)問(wèn)題

● 雷擊有兩種模式：差模雷擊和共模雷擊

● 雷擊的峰值電壓是規(guī)定的，在kV級(jí)別

● 輸入阻抗也是規(guī)定的，或者有時(shí)規(guī)定輸入短路電流

– 例如：6 kV / 12 Ω = 500A

● 連續(xù)的雷擊脈沖和重置時(shí)間又非常短造成損害比較大:

– 一個(gè)非常短的重置時(shí)間如：15s 或1分鐘, 使其很難通過(guò)測(cè)試， 原因?yàn)閴好綦娮韬推渌牟糠譀](méi)時(shí)間把溫度降下來(lái)!

差模雷擊

差模雷擊是高電壓加在L和N線之間.

電流從L線流入從N線流出

共模雷擊(1)

當(dāng)開關(guān)在接右位置，電壓加在L線和大地線上(雷擊發(fā)生器上顯示“L1/PE”).

當(dāng)開關(guān)在接左位置，電壓加在N線和大地線上(雷擊發(fā)生器上顯示“L2/PE”).

上面兩個(gè)實(shí)際上是在電源產(chǎn)品上產(chǎn)生共模和差模電流電流。

共模雷擊(2)

當(dāng)雷擊發(fā)生器設(shè)定為“L1, L2 / PE”, 開關(guān)同時(shí)接到兩線上。這是唯一真的共模雷擊測(cè)試設(shè)定。如果客戶簡(jiǎn)單說(shuō)共模雷擊指的就這個(gè)設(shè)定.

系統(tǒng)只有兩線輸入，輸出有懸空(不接大地), 共模雷擊是沒(méi)有意義的! (很容易通過(guò)測(cè)試, 只要輸出真的懸空)

雷擊會(huì)產(chǎn)生什么損壞?

差模雷擊產(chǎn)生高的差模電流能導(dǎo)致輸入大電容的電壓升高，而損壞輸入大電解電容和開關(guān)管的漏極。

共模雷擊會(huì)產(chǎn)生非常高的共模電壓，共模電壓能造成電弧放電。電弧放電發(fā)生會(huì)產(chǎn)生一個(gè)非常高的高頻的電流。如果沒(méi)有電弧放電發(fā)生，電流比較小，只有寄生電容Cparasitic * dv/dt.

當(dāng)發(fā)生一個(gè)電弧放電，會(huì)得到一個(gè)非常高的峰值高頻電流，高頻電流產(chǎn)生噪聲能耦合進(jìn)入低壓電路導(dǎo)致誤動(dòng)作。

雷擊的損壞：

– 非常高的共模電壓能導(dǎo)致跨接在初級(jí)和次級(jí)間的Y電容損壞。

– 非常高的差模電壓導(dǎo)致輸入回路產(chǎn)生過(guò)高的電壓和過(guò)大的電流，損壞輸入端的元器件(保險(xiǎn)絲，輸入整流橋，X電容，壓敏電阻，開關(guān)管)。

振鈴的損壞：

– 高頻電流能導(dǎo)致在漏極上產(chǎn)生不安全的高壓。

– 高頻電流能導(dǎo)致不安全的高壓振鈴，可以損壞像肖特基二極管等器件。

雷擊電流在電路中是怎么流的?

差模雷擊電流在電路中的流向(CLC結(jié)構(gòu))

從上面電路圖來(lái)看，大部分的差模電流通過(guò)C1和C2

– C1 和C2 的電壓將迅速升高，導(dǎo)致漏極電壓過(guò)高。

– 要想漏極在輸入電容電壓升高時(shí)不損壞，需要加入輸入的過(guò)壓保護(hù)線路，在輸入電壓高一定值，停止開關(guān)，漏極電壓就會(huì)降低，就像TOP系列都有輸入過(guò)壓保護(hù)線路

– 降低輸入大電容的值，也同時(shí)降低了成本.

RT1上的損耗是非常大的，輸入電容相當(dāng)短路，所有的壓降在RT1上，電流非常大：V * I * t = 能量---- 可能會(huì)失效。保險(xiǎn)絲也是如此。D1可以看到非常高的電壓---- 如果整流二極管損壞是因?yàn)殡妷哼^(guò)高，那加RC是非常有幫助(在PIN1和PIN2，PIN3和PIN4間接電容, 不需要安規(guī)電容)C30 將看到高電壓. X電容具體KV級(jí)別的雷擊電壓。

如果在C30處并聯(lián)一個(gè)壓敏電阻

– 可以保護(hù)整流橋和輸入電容

– 通過(guò)保險(xiǎn)絲和RT1的峰值電流會(huì)增大

● 如果保險(xiǎn)絲燒斷，考慮更大的保險(xiǎn)絲(更高的I2f)，但不要使用“電路保護(hù)保險(xiǎn)絲”

● 任何額外串聯(lián)阻抗將減少峰值電流，

– 高阻值的負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻RT1

– 輸入共模電感

– 輸入差模電感

● 如果因?yàn)椴钅＠讚綦娏魈笤斐傻氖?比如：保險(xiǎn)絲，RT1)，可以外加一個(gè)差模電感來(lái)減少峰值電流

● 注意：有些電感非常容易飽和，電感從流過(guò)它的電流中存儲(chǔ)大量的能量，然后可能因?yàn)獒尫拍芰慨a(chǎn)生高壓而引發(fā)電弧放電或者燒毀電感(所以電感在布線時(shí)需要加放電針)。

差模雷擊電流在電路中的流向(普通結(jié)構(gòu))

當(dāng)電路中沒(méi)有C1

– 共模電感L1要承受更高的電壓和更多的電流

– 多槽的共模電感對(duì)繞組電弧放電有更多的阻抗

● 注意：有些電感器會(huì)非常飽和，從電流中存儲(chǔ)大量的能量，然后可能因?yàn)獒尫拍芰慨a(chǎn)生高壓而引發(fā)電弧放電或者燒毀電感。

● MOV壓敏電阻:

– 壓敏電阻的直徑大小是其吸收能量的指標(biāo)

– 記住壓敏電阻是一個(gè)電壓箝位----如圖：壓敏電阻會(huì)增加在他左邊的器件上的峰值電流

– 例如：在X電容上并聯(lián)一個(gè)壓敏電阻，保險(xiǎn)絲和RT1上的雷擊電流會(huì)增大。

差模雷擊電流在電路中的流向(電容等效電感)

有時(shí)在大的電解電容上的短時(shí)間尖峰電壓(因?yàn)殡娙莸牡刃Т?lián)電感ESL和引腳電感造成的), 損壞漏極.

解決的辦法：在輸入電解電容靠近開關(guān)管和變壓器處并聯(lián)一個(gè)高頻的旁路電容，縮小回路面積會(huì)有幫助的。

共模雷擊電流在電路中的流向----輸出接大地

手機(jī)，路由器，機(jī)頂盒等其他應(yīng)用，其輸出接天線或者外接線的電源設(shè)備，需要按上圖測(cè)試?yán)讚艏釉谳斎攵撕洼敵龆?

● 電壓加在電源的輸入端和輸出端上

● 注意：在左邊，雷擊加在L和N線上(“L1,L2 / PE”)

雷擊電流會(huì)流經(jīng)B+和B-銅皮

● 盡管事實(shí)是共模雷擊，你也能看到差模的影響

– 因?yàn)長(zhǎng)和N線上的阻抗并非完全相同(電流分流器概念)

● Y電容跨接初次級(jí)，必需要承受高電壓(雷擊電壓在kV)

● 隔離層將看到高壓經(jīng)過(guò)：

– 光耦器(圖上沒(méi)有，實(shí)際應(yīng)用中都會(huì)有光耦)

– 從變壓器來(lái)看，次級(jí)繞組和初級(jí)繞組

– 從變壓器來(lái)看，次級(jí)繞組和輔助繞組

共模和差模電流結(jié)合(L1/PE, L2/PE)

如果你設(shè)定雷擊發(fā)生器為“L1/PE” 或“L2/PE”，共模和差模電流結(jié)合的效果

● 這個(gè)不是普通規(guī)格

● 將得到同樣的共模電流流向

● 此外輸入大電容的電壓迅速上升和其他的一些差模電流效果

電流流向----共模雷擊電壓加在輸出端

在比較差的電路圖中，電流流過(guò)變壓器耦合電容(初級(jí)和次級(jí)耦合電容)和Y電容，電流流過(guò)C腳的電容地和IC的地之間的連線，連線上有雜散電感，造成電壓下降，將顯示在C腳電壓上(共模阻抗耦合)

串聯(lián)一個(gè)電阻在光耦的反射極(TOP-GX)

電流流向：穿過(guò)光耦的雜散電容流入初級(jí)

● 能注入一個(gè)非常大的電流造成C腳誤動(dòng)作，損壞或者鎖住(和爆掉)

● 在光耦連接到C腳串聯(lián)一個(gè)300 ?電阻減少電流脈沖

共模雷擊電流流向---3線輸入

如果雷擊有加但沒(méi)有穿過(guò)電源, (e.g. 輸出不接地)，然后只有Y電容要耐壓。

● 如果L和N線阻抗不平衡，就會(huì)產(chǎn)生差模電流

● Y電容要有KV級(jí)別雷擊電壓

有時(shí)，必須結(jié)合測(cè)試把雷擊發(fā)生器的地線接到交流接頭上的大地端子上和輸出共模.

● 必須分開兩種都測(cè)試

● 一些電源有金屬底架，和有的在內(nèi)部有接地線，接到AC端子的接地線上

● 必須考慮雷擊是怎樣進(jìn)入客戶系統(tǒng)

● 舉例,如果系統(tǒng)有金屬底架，和這金屬底架是接地的，必須試著把底架的接地點(diǎn)接到雷擊發(fā)生器的地

附加小技巧

修理和預(yù)防任何的電弧放電。因?yàn)殡娀》烹妼?dǎo)致大的高頻電流流。

● 增加空間距離或者在PCB上開槽。

● 一旦發(fā)生電弧放電，會(huì)在銅皮的上留下痕跡，這個(gè)地方很容易再次發(fā)生電弧放電地方。因此需要改善這個(gè)地方

● 如果壓敏電阻容易炸裂開，可以在壓敏電阻上加熱縮套管。壓敏電阻放在離保險(xiǎn)絲比較遠(yuǎn)的地方。

● 不能把壓敏電阻加在保險(xiǎn)絲前，如果這樣做了違背了安規(guī)

雷擊需要考慮下面問(wèn)題:

– 哪兒的電壓變形?

– 電流流向哪兒?(電弧放電會(huì)產(chǎn)生非常高的電流)

– 記?。汗材＠讚魰?huì)產(chǎn)生差模雷擊的效果

– 控制IC的低壓腳，思考一下“共模阻抗在哪里使高頻電流造成問(wèn)

題?”

記住共模阻抗噪聲耦合

● 能加阻抗減少峰值電流?

– 例如，共模電感，差模電感，或者電阻串聯(lián)在光耦器上----但是記

住這些器件都會(huì)電弧穿越，如果要加，需要小心

● 能箝住高壓?jiǎn)?用壓敏電阻，電容，或者穩(wěn)壓管?

壓敏電阻的正確接法

壓敏電阻的線要越短越好減少寄生電感

5LED驅(qū)動(dòng)電源雷擊浪涌設(shè)計(jì)

LED 驅(qū)動(dòng)電源雷擊浪涌保護(hù)設(shè)計(jì)( 電源沒(méi)有接地的情況)

常見的保護(hù)方法是在AC 輸入端先串一個(gè)熔斷型保險(xiǎn)絲(fuse)做過(guò)電流的保護(hù)，然后在兩線L-N 之間并聯(lián)壓敏電阻(MOV)可以有效地抑制差模出現(xiàn)的異常過(guò)電壓，起到對(duì)后級(jí)電路的保護(hù)。

根據(jù)壓敏電阻失效特性基本上為短路情況，考慮壓敏電阻失效短路后如果前端保險(xiǎn)絲未能及時(shí)斷開電路，可能導(dǎo)致壓敏電阻過(guò)熱而燒壞，為了防止這種情況發(fā)生，我們可在壓敏電阻上串接一個(gè)溫度保險(xiǎn)絲(T-fuse)，以便壓敏電阻失效短路后能及時(shí)將壓敏電阻從電中斷開，避免造成不必要的損失。

這里我們也可以用陶瓷氣體放電管(GDT)來(lái)替代溫度保險(xiǎn)絲，分別使用兩種器件的不同在于采用放電管后浪涌沖擊時(shí)，殘余電壓會(huì)更高，而浪涌通流能力會(huì)增強(qiáng)。

LED 驅(qū)動(dòng)電源雷擊浪涌保護(hù)設(shè)計(jì)( 電源有接地情況)

戶外的LED 路燈驅(qū)動(dòng)電源都有嚴(yán)格的雷擊浪涌試驗(yàn)要求(如差模、共模6KV/3KA)，常見的防雷浪涌保護(hù)方案是：分別在L-N 兩線之間以及L/N-PE 兩線分別對(duì)地采用壓敏電阻(MOV) 來(lái)吸收差模和共模出現(xiàn)的異常浪涌，保護(hù)后級(jí)電路。

由于線對(duì)地間的浪涌能力要求比較高，壓敏電阻的浪涌能力與其尺寸基本成正比。而且如果所接大地不干凈，常有異常浪涌出現(xiàn)的話會(huì)導(dǎo)致接地的壓敏電阻加速老化，從而影響產(chǎn)品的使用壽命，因此我們會(huì)在與地相連的壓敏電阻上串陶瓷氣體放電管，以便杜絕壓敏電阻的漏電流，提高保護(hù)電壓防止壓敏電阻過(guò)快老化，延長(zhǎng)產(chǎn)品的使用壽命。

雷擊浪涌要求較高時(shí)，相應(yīng)壓敏電阻殘壓較高，如果后級(jí)整流橋或場(chǎng)效應(yīng)管耐壓較低時(shí)，有可能導(dǎo)致整流橋或MOSFET 失效，則可采用差模兩極防護(hù)即在整流橋后再加一個(gè)壓敏電阻或共模電感上并聯(lián)放電管進(jìn)一步抑制過(guò)電壓的沖擊。

路燈電源除了雷擊浪涌的測(cè)試要求外一般還有絕緣耐壓(Hi-Pot)的測(cè)試要求(如線對(duì)地耐壓1500VAC或以上，漏電流小于5MA，持續(xù)時(shí)間60S 等)，我們的解決方案是將放電管選擇到3000V 或以上電壓, 既滿足將耐壓的測(cè)試要求，同時(shí)也滿足6KV 以上浪涌電壓的雷擊試驗(yàn)。

原文標(biāo)題：開關(guān)電源之雷擊浪涌大解剖

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審核編輯：湯梓紅