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如何使用SBR提高電源轉(zhuǎn)換效率

科技觀察員 ? 來源:Diodes Incorporated ? 作者:Shane Timmons ? 2022-04-20 17:33 ? 次閱讀
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對于幾乎任何電子或電氣系統(tǒng)的設(shè)計,最大限度地提高電源效率非常重要。在移動設(shè)備中,更好的電源效率可提供更長的電池壽命,這是一個關(guān)鍵賣點(diǎn)。對于基本上任何應(yīng)用,提高能效意味著可以減小尺寸和重量,并簡化熱管理——從而降低成本。當(dāng)然,使用更少的功率也有助于產(chǎn)品滿足能源等級要求,這可能是法律要求,也是對客戶有吸引力的功能。

在許多產(chǎn)品中,能源效率的最大收益可以在所使用的電源或電壓轉(zhuǎn)換器中實(shí)現(xiàn)。因此,多年來,功率半導(dǎo)體器件供應(yīng)商一直致力于逐步提高能效。

現(xiàn)在有一種設(shè)備,基于專有的深溝工藝,使電源能夠顯著提高其性能和效率:超級勢壘整流器 (SBR?)。它可以以與標(biāo)準(zhǔn)肖特基二極管完全相同的方式用于廣泛的應(yīng)用——從汽車照明到可再生能源和消費(fèi)產(chǎn)品。

在本文中,我們將介紹 SBR,解釋其特性,并討論如何將其用于汽車日間行車燈的示例應(yīng)用中。

SBR技術(shù)解釋

SBR 是 Diodes Incorporated 開發(fā)的專有專利技術(shù),與用于傳統(tǒng)肖特基二極管的雙極工藝相比,它采用金屬氧化物半導(dǎo)體 (MOS) 制造工藝制造。

MOS 溝道的存在為多數(shù)載流子形成了一個低勢壘,導(dǎo)致正向偏置性能類似于低電壓下的肖特基二極管。然而,由于重疊的 PN 耗盡層和不存在勢壘降低,泄漏電流要低得多。

SBR 由與肖特基二極管相同的電子原理圖符號表示。實(shí)際上,內(nèi)部結(jié)構(gòu)就像一個 MOSFET,其柵極和源極端子連接在一起,形成 SBR 陽極端子。MOSFET 漏極充當(dāng) SBR 陰極。

除了具有出色的溫度穩(wěn)定性和雪崩能力外,SBR 表現(xiàn)出更低的泄漏,在任何電路中都表現(xiàn)得像二極管,因此它可以用作類似肖特基器件的直接替代品。

這意味著 SBR 可立即提高效率并降低設(shè)備外殼溫度,從而簡化熱管理并提高可靠性,無需重新設(shè)計 PCB 或添加額外組件即可實(shí)現(xiàn)。此外,SBR 具有高浪涌電流額定值,可承受不可預(yù)測的功率流和雷擊等危險,并具有 PN 外延二極管的熱穩(wěn)定性和高可靠性特性。

使用 SBR 提高效率

在降壓-升壓轉(zhuǎn)換器中,肖特基二極管通常被選為最有效的選擇,因?yàn)榕c傳統(tǒng)的整流二極管相比,它們具有更低的正向壓降 (V F ) 和更快的開關(guān)能力。另一方面,它們的反向漏電流相對較高并且隨著溫度的升高而增加。

雖然 SBR 的行為類似于肖特基二極管,但 SBR 在用于開關(guān)轉(zhuǎn)換器時可提供更高的效率。它的結(jié)構(gòu)意味著正向電壓和反向恢復(fù)時間是相當(dāng)?shù)模╇娏饕偷枚?,并且對溫度的依賴性更小。雪崩能力也顯著提高,從而提高了耐用性。

表 1 比較了控制 SBR 和具有相似反向電壓和電流額定值的典型肖特基二極管續(xù)流性能的關(guān)鍵參數(shù)。您可以看到漏電流要低得多,為 1.7 μA,而85°C 時為 18 μA,肖特基二極管在 125°C 的較高溫度下也顯示出更大的漏電流增加。

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示例應(yīng)用:汽車照明

基于 LED 的外部照明正迅速成為汽車應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn),這在很大程度上是由于其較低的電力消耗。

該行業(yè)一直在尋求進(jìn)一步提高 LED 照明系統(tǒng)的效率,特別是日間行車燈 (DRL),它在汽車使用時會持續(xù)亮起,主要是作為一種安全功能。

作為“始終開啟”功能,改進(jìn) LED DRL 的一種方法是提高 LED 驅(qū)動器/控制器電路中發(fā)生的功率轉(zhuǎn)換效率。升降壓拓?fù)渫ǔS糜谠S多汽車應(yīng)用中,以提供 DC-DC 轉(zhuǎn)換,包括 LED 所需的驅(qū)動電壓。

圖 1 顯示了采用 Diodes 公司的 ZXLD1371 升降壓 LED 驅(qū)動器/控制器的簡化電路。這是一個通用電路,通常包含一個開關(guān) MOSFET (Q1) 和一個續(xù)流二極管 (D1)。

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圖 1. 用于 DRL 應(yīng)用的降壓-升壓 LED 驅(qū)動器的簡化原理圖

由于這是一個升壓轉(zhuǎn)換器,MOSFET 和續(xù)流二極管的峰值電流遠(yuǎn)大于 LED 的平均電流。這意味著這兩個組件的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗會對轉(zhuǎn)換器的整體功耗產(chǎn)生重大影響。

更高的效率,更冷的運(yùn)行

表 1 比較了由 ZXLD1371 LED 驅(qū)動器/控制器控制的相同升降壓 DRL 電源中的 SBR 和肖特基二極管,如圖 1 所示。特別是,它顯示了肖特基二極管的泄漏電流如何更高,并且隨著溫度。這導(dǎo)致 SBR 實(shí)現(xiàn)了顯著的效率優(yōu)勢。這在較高的環(huán)境溫度下會增加,此時肖特基電路效率會降低多達(dá) 6%,如圖 2 和圖 3 所示。

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圖 2. 25 ° C 環(huán)境溫度下的效率比較

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圖 3. 85 ° C 環(huán)境溫度下的效率比較

繪制兩個電路的效率與環(huán)境溫度的關(guān)系圖(圖 4)表明效率隨溫度降低。這是由于增加了二極管 V F、漏電流和開關(guān)損耗以及整個系統(tǒng)損耗的組合。與使用肖特基二極管的電路相比,SBR 卓越的溫度穩(wěn)定性可最大限度地減少這種效率降低。

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圖 4. SBR 效率優(yōu)勢在較高環(huán)境溫度下更大

SBR 的卓越效率可節(jié)省能源,并降低設(shè)備工作溫度。圖 5 顯示了 SBR 外殼溫度如何在整個環(huán)境溫度范圍內(nèi)始終比肖特基二極管低約 5 ° C。在我們的 DRL LED 照明應(yīng)用示例中,這種較低的溫度為設(shè)計人員提供了更大的靈活性來管理散熱器尺寸和成本,同時還實(shí)現(xiàn)了所需的系統(tǒng)可靠性。

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圖 5. 較低的 SBR 外殼溫度可簡化熱管理和可靠性設(shè)計

廣泛的應(yīng)用

Diodes 提供涵蓋各種額定電壓和封裝樣式的 SBR,使其成為工業(yè)、消費(fèi)電子、通信和計算機(jī)系統(tǒng)中許多應(yīng)用的理想選擇,包括 DC-DC 轉(zhuǎn)換、電池充電器和反極性保護(hù)。

具有更高額定電壓(高達(dá) 300V)的器件可用于開關(guān)模式電源 (SMPS) 和太陽能逆變器等應(yīng)用。對于汽車,包括 SBR10M100P5Q 在內(nèi)的 Q 系列 SBR 針對特定應(yīng)用要求進(jìn)行了優(yōu)化,符合 AECQ101 高可靠性汽車標(biāo)準(zhǔn),并得到 PPAP 3 級文檔的支持。

另一個可以從 SBR 的效率中受益的應(yīng)用是太陽能電池板,它們可以替代旁路二極管。它們極低的 V F可最大限度地減少溫升,從而有助于提高系統(tǒng)可靠性,并且 SBR 具有較寬的工作溫度窗口,可確保符合太陽能行業(yè)安全標(biāo)準(zhǔn) IEC 61730-2。

結(jié)論

SBR 是功率半導(dǎo)體設(shè)計的真正創(chuàng)新,可實(shí)現(xiàn)功率轉(zhuǎn)換性能的階躍變化和更高的效率。與肖特基二極管相比,它具有更低的漏電流、更高的開關(guān)性能、相當(dāng)或更低的 V F以及出色的溫度穩(wěn)定性,并具有工作溫度更低的額外優(yōu)勢。

它可以用作直接替代品,無需重新設(shè)計,從而縮短上市時間。SBR 提供卓越的性能和可靠性,從而使電源轉(zhuǎn)換器能夠在各種應(yīng)用中滿足最新的生態(tài)設(shè)計目標(biāo)和安全標(biāo)準(zhǔn)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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