天域半導(dǎo)體將用6.3公頃來(lái)用于建設(shè)半導(dǎo)體科技項(xiàng)目

近日，東莞松山湖管委會(huì)公布了《東莞市生態(tài)園2022年度土地征收成片開發(fā)方案》，內(nèi)容顯示擬征地6.316公頃，將被用于保障天域半導(dǎo)體科技有限公司所建設(shè)的半導(dǎo)體項(xiàng)目的落地。

天域半導(dǎo)體將用這塊地來(lái)建設(shè)碳化硅外延材料研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，計(jì)劃2022年開始建設(shè)，將在2025年竣工投產(chǎn)，預(yù)計(jì)年?duì)I收將達(dá)到8.7億元，2028年可全面達(dá)產(chǎn)并實(shí)現(xiàn)84.7億元的年?duì)I收，該項(xiàng)目將建設(shè)全球第一條8英寸碳化硅外延晶片生產(chǎn)線。

該項(xiàng)目核心產(chǎn)品SiC外延片是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈重要環(huán)節(jié)，屬于高精尖產(chǎn)業(yè)，天域半導(dǎo)體是SiC外延片領(lǐng)域國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的廠家之一，正利用該項(xiàng)目對(duì)其產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)進(jìn)一步鞏固，緊跟國(guó)際SiC前沿技術(shù)前進(jìn)的步伐。項(xiàng)目主要內(nèi)容為新增產(chǎn)能達(dá)每年100萬(wàn)片的6英寸、8英寸碳化硅外延晶片生產(chǎn)線；8英寸碳化硅外延晶片產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)；6英寸、8英寸碳化硅外延晶片的生產(chǎn)和銷售。

天域（TYSiC）成立于2009年，是中國(guó)第一家從事碳化硅 （SiC） 外延晶片市場(chǎng)營(yíng)銷、研發(fā)和制造的民營(yíng)企業(yè)。2010年，天域與中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所合作，共同創(chuàng)建了碳化硅研究所，該研究所由該領(lǐng)域最優(yōu)秀的人才組成。天域是中國(guó)第一家碳化硅半導(dǎo)體材料供應(yīng)鏈的企業(yè)獲得汽車質(zhì)量認(rèn)證（IATF 16949） 。目前，天域在中國(guó)擁有最多的碳化硅外延爐-CVD。 憑著最先進(jìn)的外延爐設(shè)備、外延技術(shù)和最先進(jìn)的測(cè)試和表征能力，我們?yōu)槿蚩蛻籼峁?n-型 和 p-型 摻雜外延材料、制作肖特基二極管、JFET、BJT、MOSFET，GTO 和 IGBT等。

綜合整理自 樂(lè)居網(wǎng) 最資訊 集邦半導(dǎo)體觀察

審核編輯 黃昊宇