國產(chǎn)閃存芯片進“果鏈”,與國際技術水平逐漸接近

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)根據(jù) IC Insights 統(tǒng)計，2020年全球存儲芯片市場規(guī)模達1,267億美元，其中DRAM和NAND Flash市場規(guī)模較大，占比分別為53%和44%，NOR Flash 市場規(guī)模25億美元，占比為2%。

當然，我們國產(chǎn)存儲芯片在DRAM、NAND Flash、NOR Flash、EEPROM等芯片皆有涉足。并且，國產(chǎn)存儲芯片的參與感尤其強烈。

把內(nèi)存條價格拉下馬

自2020年合肥長鑫存儲的DRAM顆粒上市后，一些國產(chǎn)內(nèi)存條廠商以其高性價比打入市場。

比如早幾年，8GB DDR4 2400MHz內(nèi)存條，采用國外DRAM顆粒，單條的價格都要600元。

而查閱最近的內(nèi)存條價格，可以看到8G DDR4 2666MHz采用長鑫顆粒的內(nèi)存條低至150元以下。

與長鑫存儲合作的國產(chǎn)存儲產(chǎn)品廠商包括了光威、朗科、金泰克、金百達、七彩虹等等。

雖然說DRAM芯片的價格隨行就市，不過長鑫存儲若要快速打進市場，以同性能產(chǎn)品但更低價格的策略，是必不可少的。

這也就能夠直接拉低內(nèi)存條的價格，讓用戶得到實惠。

國產(chǎn)閃存芯片進“果鏈”

最近長江存儲的128層3D NAND打入蘋果供應鏈的消息被媒體廣泛報道。

消息稱，長存的3D NAND預計最早將于5月開始少量出貨。將應用在iPhone SE上面，同時，蘋果今年秋季將推出的iPhone 14系列也有望采用長江存儲的閃存芯片。

蘋果供應鏈的采用，無疑是對長江存儲3D NAND產(chǎn)品最有力的認可。

其實之前，兆易創(chuàng)新的NOR Flash就率先進入了蘋果的供應鏈，成為蘋果AirPods唯一的NOR Flash供應商。

的確，國產(chǎn)存儲芯片從無到有，已經(jīng)是市場上不可忽視的一股力量。

國產(chǎn)存儲芯片的市場地位并不低

據(jù)此前報道，在2021年上半年長鑫存儲的全球市占已經(jīng)來到1%，排名第五，長江存儲全球市占在2020年下半年達2%。DRAM、NAND Flash市場國產(chǎn)的占比還非常小，但已經(jīng)取得突破。

而在Nor Flash方面，國產(chǎn)芯片的市場情況更好一些。兆易創(chuàng)新在2020年全球NOR Flash市場中市占率達到15.6%，排名第三，僅次于華邦和旺宏。恒爍半導體2020年NOR Flash 收入占市場規(guī)模比例為1.50%。

在NOR Flash市場，不僅有國內(nèi)排名第一的兆易創(chuàng)新，還有東芯股份、普冉半導體、恒爍、芯天下、武漢新芯等廠商。

如果看最近上市比較積極的存儲芯片廠商，有不少都是以NOR Flash為主營業(yè)務的。比如，普冉半導體NOR占比達71%，恒爍NOR占比達86.56%，此外東芯NOR業(yè)務有18.8%的占比。

另外，北京君正表示，2020年度公司SRAM、DRAM、Nor Flash產(chǎn)品收入在全球市場中分別位居第二位、第七位、第六位。

EEPROM方面，2020年聚辰股份EEPROM產(chǎn)品份額為國內(nèi)第一、全球第三的供應商。國內(nèi)EEPROM供應商還有上海貝嶺、航順等等。EEPROM的市場規(guī)模雖不大，但是國產(chǎn)化率相對較高。

除了存儲芯片企業(yè)在上市，我們也看到存儲模組廠商的上市進度在加快，江波龍、佰維存儲都已準備上市，江波龍已在創(chuàng)業(yè)板上會通過，佰維存儲科創(chuàng)板上市已受理，據(jù)悉時創(chuàng)意也有上市計劃。這些存儲模組廠商在國內(nèi)都是比較靠前的廠商，并且競爭力也不容小覷。

與國際技術水平逐漸接近

放眼全球的競爭，在NOR Flash方面，此前行業(yè)內(nèi)主流NOR Flash產(chǎn)品的工藝節(jié)點為65nm，旺宏48nm量產(chǎn)、華邦46nm量產(chǎn)，兆易創(chuàng)新也從65nm往55nm切換。2020年以來東芯、武漢新芯、恒爍、博雅等都實現(xiàn)了50nm/48nm的NOR Flash量產(chǎn)。國內(nèi)技術水平與國際廠商差距不大，進入50nm時代國產(chǎn)NOR Flash的市場機會更大。

3D NAND方面，長江存儲的128層3D NAND已經(jīng)量產(chǎn)，在量產(chǎn)進度上晚于三星、美光兩年。美光在2022年1月宣布開始批量出貨業(yè)界首款176層QLC NAND SSD。鎧俠將在2022年至2023年期間將162層3D NAND作為其主流制造工藝。

而長江存儲的下一代3D NAND據(jù)稱是192層。當初從2018年到2020年，長江存儲實現(xiàn)了從32層到64層再到128層的技術躍進，也就是說跳過了96層，這樣就很快縮短了與國際廠商之間的技術代差。如今長存128層3D NAND量產(chǎn)大量出貨，在192層3D NAND研發(fā)上與國際大廠的距離更接近。

那么長江存儲在技術逐漸同步的時候，同樣重要的就是更快速地擴大市場份額。

國產(chǎn)DRAM沒有EUV***之痛

根據(jù)臺媒的報道，合肥長鑫存儲將在今年二季度試產(chǎn)17nm工藝的DDR5內(nèi)存芯片。目前合肥長鑫的17nm工藝DDR5內(nèi)存芯片良率已經(jīng)達到了40%。

長鑫存儲于2018年研發(fā)國內(nèi)首個8Gb DDR4芯片，2019年三季度成功量產(chǎn)19nm工藝的DDR4/LPDDR4/LPDDR4X芯片。

長鑫存儲在2020年、2021年分別實現(xiàn)了4.5萬片晶圓/月、6萬片晶圓/月的產(chǎn)能目標。2022年的產(chǎn)能目標是12萬片晶圓/月，與2021年相比實現(xiàn)翻倍。未來的產(chǎn)能目標是30萬片晶圓/月。

長鑫存儲未來規(guī)劃將推出10nm制程的產(chǎn)品。

值得注意的是，現(xiàn)在，在DRAM芯片的生產(chǎn)上，一些存儲芯片大廠陸續(xù)啟用EUV***。

例如，2021年7月SK海力士宣布，公司第一代使用EUV***生產(chǎn)的DRAM正式量產(chǎn)。

據(jù)介紹，公司旗下第四代 10 納米級(1a)制程8Gb LPDDR4 移動設備專用DRAM已經(jīng)量產(chǎn)。作為SK海力士旗下首款采用EUV生產(chǎn)的DRAM，與上一代產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品可以將使相同尺寸晶圓生產(chǎn)的 DRAM 芯片數(shù)量增加25%，并能將功耗降低20%。

2021年10月12日全球最大存儲芯片制造商三星電子宣布,該公司開始使用極紫外光刻(EUV)技術批量生產(chǎn)業(yè)界最小的14納米DRAM芯片。

此外，美光計劃EUV***設備要到2024 年才會投入生產(chǎn)線，首發(fā)將會用于1γ 的10 納米級制程內(nèi)存上。

也就是說，在DRAM芯片的角逐中EUV***同樣非常重要，對于國產(chǎn)芯片而言，沒有EUV***是一大硬傷。

小結(jié)

國產(chǎn)存儲芯片缺的可能不是技術，而是產(chǎn)品在市場中反復驗證，快速規(guī)?；?，獲得更多市場，從而在與國際的競爭中拿到更多的話語權，定價權，同時還起到平衡供應鏈的穩(wěn)定與彈性的作用。

原文標題：國產(chǎn)存儲芯片發(fā)威!內(nèi)存條價格殺瘋了!果鏈啟用國產(chǎn)3D NAND!

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審核編輯：湯梓紅