DDR3系列之時鐘信號的差分電容

差分電容？沒看錯吧，有這種電容嗎？當然是沒有的，只是這個電容并聯(lián)在差分信號P/N中間，所以我們習慣性的叫它差分電容罷了。如下圖一中紅色框中所示即我們今天的主角，下面容我慢慢給大家介紹。

圖一

大家看到它是否有種似曾相識又不曾見過的感覺？確實，它只不過是一個普普通通的不起眼的電容罷了！但是，如果它真的只是一個普通的電容，高速先生也不屑拿出來和大家講了，其實它普通的表面隱藏著很深的道道。到底有什么呢？噓！一般人我不告訴他！

圖一是Intel平臺設計指導上經?？梢钥吹降?a target="_blank">DDR3時鐘拓撲結構，我們也經常會在仿真實踐中去人為的添加這個差分電容，如下圖二時鐘信號一拖四所示為我們在設計中看到的一個真實案例。

圖二 無差分電容的時鐘信號拓撲及波形

雖然看起來這個波形還湊合，沒有太大的問題，但還是有優(yōu)化的余地（工程師的強迫癥又來了，真是傷不起?。。?，可以通過在前端并聯(lián)一個電容來優(yōu)化，如下圖三所示為并聯(lián)了2．2pF差分電容后的拓撲結構和仿真波形。

圖三 有差分電容的拓撲結構和波形

在前端加了差分電容后，雖然上升沿有微小的變緩，但波形真的是呈現(xiàn)了一個完美的正弦波曲線，振蕩消除了，實在是苦逼的工程師們居家（埋頭實驗室）旅行（客戶現(xiàn)場出差）、殺人滅口（消除反射等）之必備良方。此優(yōu)化設計也已經投入使用，在加了這個電容后系統(tǒng)能穩(wěn)定運行在800MHz的頻率，如果沒有焊接這個電容，系統(tǒng)只能穩(wěn)定運行在667MHz，運行到800MHz時系統(tǒng)時有錯誤發(fā)生。

看到這里，一些腦洞大開的工程師可能會問，這個電容的位置有什么講究嗎？我可不可以把這個電容放在最后面那個顆粒？高速先生就喜歡有人提這種高質量的問題。下面還是看看仿真結果吧。

首先看看將電容放在第一個顆粒處的仿真結果，如下圖四所示。

圖四、電容在第一個顆粒處的拓撲和波形

可以看出此時波形已經沒有放在前端（靠近發(fā)送芯片端）時的完美了，甚至出現(xiàn)了振蕩的小苗頭。接著把電容放在最后一片顆粒處，仿真結果如下圖五所示。

圖五 電容在最后處的拓撲和波形

此時波形振蕩甚至比沒有電容的效果還明顯，仿真結果表明此電容還是不要放在末端為好，最好的位置還是靠近發(fā)送端吧。