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如何使用簡(jiǎn)單電路來(lái)實(shí)現(xiàn)隔離轉(zhuǎn)換器的平滑軟啟動(dòng)

科技觀察員 ? 來(lái)源:羅姆半導(dǎo)體社區(qū) ? 作者:羅姆半導(dǎo)體社區(qū) ? 2022-04-16 16:46 ? 次閱讀

大多數(shù)DC / DC轉(zhuǎn)換器需要軟啟動(dòng)電路來(lái)限制啟動(dòng)時(shí)的浪涌電流。雖然具有上電復(fù)位(POR)的系統(tǒng)需要平滑的軟啟動(dòng),但對(duì)于具有初級(jí)側(cè)控制器和有限占空比或電流的隔離式轉(zhuǎn)換器而言,這是很困難的。

圖1顯示了正向轉(zhuǎn)換器的軟啟動(dòng),初級(jí)側(cè)具有占空比軟啟動(dòng)。轉(zhuǎn)換器的穩(wěn)態(tài)輸出為12V。在10V(系統(tǒng)的POR閾值)下施加50%的負(fù)載電流。一旦施加負(fù)載,輸出就會(huì)下降并觸發(fā)系統(tǒng)關(guān)閉,從而導(dǎo)致系統(tǒng)多次循環(huán)。在軟啟動(dòng)結(jié)束時(shí),輸出超過(guò)10%,這是不可取的。

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圖1:?jiǎn)?dòng)期間正向轉(zhuǎn)換器的輸出,負(fù)載施加在10V

在這篇文章中,我將使用一個(gè)簡(jiǎn)單的電路來(lái)實(shí)現(xiàn)隔離轉(zhuǎn)換器的平滑軟啟動(dòng)。該電路應(yīng)用于有源鉗位正激轉(zhuǎn)換器,LM5025作為控制器。圖2顯示了次級(jí)側(cè)軟啟動(dòng)的概念。

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圖2:隔離式轉(zhuǎn)換器的次級(jí)側(cè)軟啟動(dòng)電路

首次施加輸入時(shí),轉(zhuǎn)換器輸出(V OUT)開(kāi)始上升。電容器(C SS)正在充電。C SS充電電流(I SS)流過(guò)電阻器(R SS)。當(dāng)I SS為高電平時(shí),則為V BE(on) / R SS。Q SS導(dǎo)通并開(kāi)始從次級(jí)側(cè)復(fù)合節(jié)點(diǎn)(SEC COMP)拉電流,從而減少占空比。在軟啟動(dòng)期間,誤差放大器飽和,軟啟動(dòng)電路支配反饋環(huán)路。轉(zhuǎn)換器,C SS,R SS,Q SS和光耦合器形成一個(gè)閉環(huán)。當(dāng)輸出上升到調(diào)節(jié)時(shí),誤差放大器開(kāi)始調(diào)節(jié),并且I SS減小。Q SS關(guān)閉。

公式1顯示了從V OUT到光耦合器電流的傳遞函數(shù):

poYBAGJaglCADeeNAAA1UAQDplo820.png

雖然有效,但這個(gè)簡(jiǎn)單的電路可能不穩(wěn)定,因?yàn)镼 SS正向增益(β)很高并且在不同部件之間變化很大。要穩(wěn)定該電路,請(qǐng)?jiān)赒 SS的發(fā)射極和地之間插入增益降低電阻(R E),如圖3所示。增加R E可以降低啟動(dòng)期間的反饋環(huán)路增益。

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圖3:添加R E以穩(wěn)定軟啟動(dòng)電路

公式2顯示了帶R E的軟啟動(dòng)電路傳遞函數(shù):

pYYBAGJagkmAK9kpAABW7MGdk6c335.png

在高頻時(shí),使用公式3作為公式2的近似值:

poYBAGJagkWAUyQPAAAa-6hWHaE449.png

我使用以下參數(shù)將軟啟動(dòng)電路添加到轉(zhuǎn)換器:

C SS =0.1μF。

R SS =100kΩ。

R E =1.18kΩ。

圖4顯示了帶有這些電路參數(shù)的軟啟動(dòng)波形。當(dāng)系統(tǒng)開(kāi)始拉電流時(shí),軟啟動(dòng)電路停止從COMP吸取電流,占空比迅速增加。在負(fù)載瞬變引起輕微下降后,轉(zhuǎn)換器繼續(xù)軟啟動(dòng)。

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圖4:軟啟動(dòng)電路的軟啟動(dòng)波形,如圖3所示

圖4還示出了在施加負(fù)載之后,轉(zhuǎn)換器開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)(VSW)具有額外的電壓尖峰。圖5顯示了放大的波形。很明顯,系統(tǒng)振蕩頻率為9.5kHz。

pYYBAGJagj2AB1RxAAHpG_temo0429.png

圖5:帶軟啟動(dòng)電路的放大軟啟動(dòng)波形

該設(shè)計(jì)中的控制器是電壓模式控制器。由于雙極,功率級(jí)具有180度的相位下降。有必要加零以提高穩(wěn)定性; 你可以通過(guò)增加一個(gè)與R E并聯(lián)的電容(C E)來(lái)做到這一點(diǎn)。為了在相位裕度上增加45度,我將測(cè)得的振蕩頻率置于9.5kHz。當(dāng)R E =1.18kΩ時(shí),我添加了一個(gè)15nF電容。

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圖6:具有改善穩(wěn)定性的軟啟動(dòng)電路

圖7顯示了C E = 15nF 的啟動(dòng)波形。消除了振蕩。總軟啟動(dòng)時(shí)間為50ms。

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圖7:軟啟動(dòng)波形,C E = 15nF

在軟啟動(dòng)期間,典型的光耦二極管電流(I opto_D)為1.2mA至0.8mA。這由LM5025和光耦前向增益決定。當(dāng)R E =1.18kΩ時(shí),R SS兩端的電壓為V BE(ON) + R E ×0.8mA = 1.644V。VBE(on)= 0.7V。因此,您可以將I SS計(jì)算為I SS =(V BE(ON) + R E ×I opto_D)/ R SS。I SS / C SS設(shè)置輸出V OUT,dv / dt。為了確保次級(jí)側(cè)軟啟動(dòng)的有效性,應(yīng)將初級(jí)側(cè)軟啟動(dòng)設(shè)置為比次級(jí)側(cè)軟啟動(dòng)快得多。

測(cè)試結(jié)果表明,這種簡(jiǎn)單的軟啟動(dòng)電路有效地實(shí)現(xiàn)了隔離式轉(zhuǎn)換器的平滑軟啟動(dòng)。

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