國星光電獲“21年度廣東省科技進步二等獎”

4月15日，廣東省人民政府網(wǎng)發(fā)布了《廣東省人民政府關于頒發(fā)2021年度廣東省科學技術獎的通報》，國星光電及下屬國星半導體憑借“照明通信LED外延芯片關鍵技術及應用”項目榮獲“2021年度廣東省科技進步二等獎”，也標志著國星光電在LED芯片領域技術創(chuàng)新和成果轉化再上新臺階。

“照明通信LED外延芯片關鍵技術及應用”項目突破寬禁帶半導體器件寄生電容高的技術瓶頸，開發(fā)了高低溫量子阱結合生長技術以及階梯型Si摻雜超晶格應力釋放層結構，降低量子阱內應力，減少寄生電容效應，提高量子阱復合速率，提高光通信芯片的響應速度和頻率。

在照明芯片方面采用新型Ag結構復合反射電極體系，突破現(xiàn)有倒裝LED芯片的亮度限制，進一步提高倒裝芯片的取光效率。在可靠性方面設計了一種疊對式鈍化結構，提升芯片的絕緣效果，大幅提高了大功率倒裝芯片的可靠性；同時引入平衡型電極體系，一方面降低封裝空洞率，提高芯片和基板之間的焊接強度，另一方面提高電流擴散的均勻性，實現(xiàn)熱量均勻分散，保證在高溫大電流注入的情況下芯片依然具有很好的耐受性，提高了芯片在應用過程中的耐沖擊性能力，整體項目技術處于國內領先水平。

目前，項目部分技術已實現(xiàn)成果有效轉化，相關產(chǎn)品憑借其大功率、高亮度、高光效等優(yōu)勢，提高了車用照明產(chǎn)品的質量及可靠性，廣受市場好評；同時，相關產(chǎn)品正逐漸向手機閃光燈、場館照明、舞臺燈、投影儀、車載HUD等高附加值領域擴大應用，市場前景廣闊。

近年來，在廣晟集團創(chuàng)新驅動發(fā)展戰(zhàn)略引領下，國星光電創(chuàng)新實力顯著提升，綜合競爭力日益增強，榮膺國家科技進步獎一等獎、國家科技進步獎二等獎、國家知識產(chǎn)權示范企業(yè)等多項國家級、省級大獎，并入選國資委“科改示范企業(yè)”名單。

未來，國星光電將繼續(xù)深入貫徹落實創(chuàng)新驅動發(fā)展戰(zhàn)略，圍繞“五新”改革發(fā)展總思路，用好“科改示范企業(yè)”政策優(yōu)勢，自覺履行高水平科技自立自強的使命擔當，堅持面向世界科技前沿、面向經(jīng)濟主戰(zhàn)場，著力提升基礎研究水平，聚焦關鍵核心技術攻關，加速科技成果產(chǎn)業(yè)化，為廣晟集團奮進世界500強注入強勁動能，為加快建設更高水平的科技創(chuàng)新強省，為我國建設世界科技強國作出新的更大貢獻！