我們你都知道,電阻可以用來串聯,也可以用來并聯。那么,二極管適合串聯和并聯嗎?二極管串聯二極管串聯時,需要注意靜態(tài)截止電壓和動態(tài)截止電壓的對稱分布。
在靜態(tài)時,由于串聯各元件的截止漏電流具有不同的制造偏差,導致具有最小漏電流的元件承受了最大的電壓,甚至達到擎住狀態(tài)。但只要元件具有足夠的擎住穩(wěn)定性,則無必要在線路中采用均壓電阻。只有當截止電壓大于1200V的元件串聯時,一般來說才有必要外加一個并聯電阻。
假設截止漏電流不隨電壓變化,同時忽略電阻的誤差,則對于n個具有給定截止電壓VR的二極管的串聯電路,我們可以得到一個簡化的計算電阻的公式:
以上Vm是串聯電路中電壓的最大值,△Ir是二極管漏電流的最大偏差,條件是運行溫度為最大值。我們可以做一個安全的假設:
上式中,Irm是由制造商所給定的。利用以上估計,電阻中的電流大約是二極管漏電流的六倍。
經驗表明,當流經電阻的電流約為最大截止電壓下二極管漏電流的三倍時,該電阻值便是足夠的。但即使在此條件下,電阻中仍會出現可觀的損耗。
原則上,動態(tài)的電壓分布不同于靜態(tài)的電壓分布。如果一個二極管pn結的載流子小時得比另外一個要快,那么它也就更早地承受電壓。
如果忽略電容的偏差,那么在n個給定截止電壓值Vr的二極管相串聯時,我們可以采用一個簡化的計算并聯電容的方法:
以上△QRR是二極管存儲電量的最大偏差。我們可以做一個充分安全的假設:
條件是所有的二極管均出自同一個制造批號。△QRR由半導體制造商所給出。除了續(xù)流二極管關斷時出現的存儲電量之外,在電容中存儲的電量也同樣需要由正在開通的IGBT來接替。根據上述設計公式,我們發(fā)現總的存儲電量值可能會達到單個二極管的存儲電量的兩倍。
一般來說,續(xù)流二極管的串聯電流并不多見,原因還在于存在下列附件的損耗源:
1、pn結的n重擴散電壓;
2、并聯電阻中的損耗;
3,需要由IGBT接替的附加存儲電量;
4、由RC電路而導致的元件的增加。
所以在高截止電壓的二極管可以被采用時,一般不采用串聯方案。
唯一的例外是當應用電路要求很短的開關時間和很低的存儲電量時,這兩點正好是地奈亞二極管所具備的。當然此時系統(tǒng)的通態(tài)損耗也會大大增加。
二極管并聯二極管并聯,并不需要附加的RC緩沖電路。重要的是在并聯時通態(tài)電壓的偏差應盡可能小。
判斷一個二極管是否適合并聯的重要參數是其通態(tài)電壓對溫度的依賴性。如果通態(tài)電壓隨溫度的增加而下降,則它具有負的溫度系數。對于損耗來說,這是一個優(yōu)點。
如果通態(tài)電壓隨溫度的增加而增加,則溫度系數為正。
在典型的并聯應用中,這是一個優(yōu)點,其原因在于,較熱的二極管將承受較低電流,從而導致系統(tǒng)的穩(wěn)定。因為二極管總是存在一定的制造偏差,所以在二極管并聯時,一個較大的負溫度系數(>2mV/K)則有可能產生溫升失衡的危險。
并聯的二極管會產生熱耦合: 1.在多個芯片并聯的模塊中通過基片; 2.在多個模塊并聯于一塊散熱片時通過散熱器。
一般對于較弱的負溫度系數來說,這類熱偶合足以避免具有最低通態(tài)電壓的二極管走向溫度失衡。但對于負溫度系數值>2mM/K的二極管,我們則建議降額使用,即總的額定電流應當小于各二極管額定電流的總和。 學習資料 技術交流群
原文標題:為何二極管不適合串聯?
文章出處:【微信公眾號:STM32嵌入式開發(fā)】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
審核編輯:湯梓紅
-
串聯
+關注
關注
6文章
424瀏覽量
37577 -
并聯
+關注
關注
5文章
237瀏覽量
35397 -
二極管
+關注
關注
147文章
9639瀏覽量
166508
原文標題:為何二極管不適合串聯?
文章出處:【微信號:c-stm32,微信公眾號:STM32嵌入式開發(fā)】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
評論