0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線(xiàn)課程
  • 觀(guān)看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

Nexperia發(fā)布增強(qiáng)型電熱模型 羅姆開(kāi)發(fā)8英寸新一代SiC MOSFET

lhl545545 ? 來(lái)源:Nexperia 羅姆 NVIDIA ? 作者:Nexperia 羅姆 NVID ? 2022-03-28 09:56 ? 次閱讀

Nexperia發(fā)布增強(qiáng)型電熱模型

基本半導(dǎo)體專(zhuān)家Nexperia今天宣布為其 MOSFET 器件發(fā)布新的增強(qiáng)型電熱模型。半導(dǎo)體制造商通常會(huì)為其 MOSFET 提供仿真模型,但這些模型通常只包含在典型工作溫度下建模的有限數(shù)量的器件參數(shù)。Nexperia 的新高級(jí)模型可在 -55 °C 至 175 °C 的整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)捕獲整套設(shè)備參數(shù)的熱相關(guān)性。

這些高級(jí)模型中包含反向二極管恢復(fù)時(shí)間和設(shè)備電磁兼容性 (EMC) 性能,進(jìn)一步提高了整體精度。這些使工程師能夠創(chuàng)建準(zhǔn)確的電路和系統(tǒng)級(jí)仿真,并在承諾構(gòu)建原型之前評(píng)估電氣、熱和 EMC 性能。這些模型還有助于節(jié)省時(shí)間和資源,因?yàn)橐郧靶枰_保他們的設(shè)計(jì)可以在(不太可能的)最壞情況下運(yùn)行的工程師現(xiàn)在可以在特定溫度范圍內(nèi)模擬他們的設(shè)計(jì)。

Nexperia 與一家 1 級(jí) OEM 密切合作開(kāi)發(fā)了這些模型,該 OEM 的要求無(wú)法滿(mǎn)足目前可用的任何其他設(shè)備。Nexperia 的應(yīng)用工程師 Andy Berry 表示:“這些新的先進(jìn)電熱模型旨在讓設(shè)計(jì)人員對(duì)其電路仿真結(jié)果充滿(mǎn)信心”?!澳P驮陔p脈沖測(cè)試期間預(yù)測(cè)真實(shí)設(shè)備行為的準(zhǔn)確性證明了他們前所未有的精度水平。我們合作伙伴的初步反饋表明,這些模型是他們見(jiàn)過(guò)的最精確的模型。

羅姆開(kāi)發(fā)8英寸新一代SiC MOSFET

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(ROHM Co., Ltd.,以下簡(jiǎn)稱(chēng)“羅姆”)針對(duì)日本國(guó)立研究開(kāi)發(fā)法人新能源產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開(kāi)發(fā)機(jī)構(gòu)(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“NEDO”)公開(kāi)征集的“綠色創(chuàng)新基金事業(yè)/新一代數(shù)字基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)”項(xiàng)目的研發(fā)項(xiàng)目之一“新一代功率半導(dǎo)體產(chǎn)品制造技術(shù)開(kāi)發(fā)”,提出“8英寸新一代SiC MOSFET的開(kāi)發(fā)”(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“本項(xiàng)目”)方案,并成功入選。

“綠色創(chuàng)新基金”是2020年12月25日由日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省會(huì)同相關(guān)省廳制定的“2050年碳中和綠色增長(zhǎng)戰(zhàn)略”中,為打造“經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)與環(huán)境保護(hù)的良性循環(huán)”而設(shè)立的基金。

“新一代數(shù)字基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)”項(xiàng)目的目標(biāo)是促進(jìn)實(shí)現(xiàn)碳中和社會(huì)所不可或缺的數(shù)字基礎(chǔ)設(shè)施的節(jié)能化和高性能化的研發(fā)和社會(huì)實(shí)際應(yīng)用。而本項(xiàng)目則旨在通過(guò)提高新一代半導(dǎo)體制造技術(shù)能力,促進(jìn)其在電動(dòng)汽車(chē)和工業(yè)設(shè)備等各種設(shè)備和設(shè)施中的普及。

NVIDIA為 Maxine 添加回聲消除和基于 AI 的上采樣技術(shù)

NVIDIA Maxine 提供了 GPU 加速且支持 AI 軟件開(kāi)發(fā)套件,可幫助開(kāi)發(fā)者構(gòu)建可擴(kuò)展的低延遲音頻視頻效果管線(xiàn),提高通話(huà)質(zhì)量和用戶(hù)體驗(yàn)。

音頻超分辨率可使用基于 AI 的技術(shù)恢復(fù)較高頻段中丟失的能量,提高低帶寬音頻信號(hào)的質(zhì)量。Maxine 音頻超分辨率支持將音頻從 8 kHz(窄帶)到 16 kHz(寬帶)、從 16 kHz 到 48 kHz(超寬帶)以及從 8 kHz 到 48 kHz 的上采樣。較低的采樣率(例如 8 kHz)通常會(huì)導(dǎo)致聲音含糊不清,并會(huì)突出齒音等瑕疵,導(dǎo)致語(yǔ)音難以理解。

為了保持原始信號(hào)的保真度和清晰度,現(xiàn)代影視工作室通常使用 48 kHz(或更高)的采樣率錄制音頻。音頻超分辨率可幫助恢復(fù)時(shí)間久遠(yuǎn)的音頻錄音(例如源自磁帶或其他低帶寬介質(zhì)的音頻錄音)的保真度。

本文綜合整理自Nexperia 羅姆 NVIDIA
審核編輯:彭菁
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀(guān)點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 模型
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    3279

    瀏覽量

    48974
  • 羅姆
    +關(guān)注

    關(guān)注

    4

    文章

    409

    瀏覽量

    66367
  • Nexperia
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    583

    瀏覽量

    56985
  • SiC MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    74

    瀏覽量

    6265
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    8英寸SiC投產(chǎn)進(jìn)展加速,2025年上量

    生產(chǎn)線(xiàn)已經(jīng)在2024年6月投入使用,下個(gè)目標(biāo)是未來(lái)兩年在德國(guó)漢堡工廠(chǎng)里建設(shè)8英寸SiC MOSFET和低壓GaN HEMT產(chǎn)線(xiàn)。 ? 雖
    的頭像 發(fā)表于 07-01 07:35 ?2.3w次閱讀
    <b class='flag-5'>8</b><b class='flag-5'>英寸</b><b class='flag-5'>SiC</b>投產(chǎn)進(jìn)展加速,2025年上量

    PMIC被Telechips新一代座艙SoC參考設(shè)計(jì)采用

    全球知名的半導(dǎo)體制造商(總部設(shè)在日本京都市)生產(chǎn)的SoC用PMIC,近日被無(wú)晶圓廠(chǎng)車(chē)載半導(dǎo)體綜合制造商Telechips Inc.(總部在韓國(guó)板橋)的新一代座艙用SoC“Dolphin3
    的頭像 發(fā)表于 12-11 14:45 ?316次閱讀

    SOC用PMIC被Telechips新一代座艙電源參考設(shè)計(jì)采用

    全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商宣布,其專(zhuān)為SoC設(shè)計(jì)的電源管理集成電路(PMIC)已被無(wú)晶圓廠(chǎng)車(chē)載半導(dǎo)體綜合制造商Telechips Inc.的新一代座艙SoC(系統(tǒng)級(jí)芯片)“Dolphin3”和“Dolphin5”的電源參考設(shè)計(jì)所
    的頭像 發(fā)表于 12-03 11:28 ?358次閱讀

    法雷奧與聯(lián)合開(kāi)發(fā)新一代功率電子領(lǐng)域

    和技術(shù)優(yōu)勢(shì),聯(lián)合開(kāi)發(fā)面向牽引逆變器的新一代功率模塊。作為雙方合作的第步,將為法雷奧的新一代
    的頭像 發(fā)表于 11-26 15:01 ?279次閱讀

    N溝道增強(qiáng)型MOSFET的優(yōu)缺點(diǎn)

    N溝道增強(qiáng)型MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)作為現(xiàn)代電子技術(shù)中的關(guān)鍵元件,具有系列獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)和
    的頭像 發(fā)表于 09-23 17:06 ?763次閱讀

    企業(yè)官宣已成功制備8英寸SiC晶圓

    近日,日本礙子株式會(huì)(NGK,下文簡(jiǎn)稱(chēng)日本礙子)在其官網(wǎng)宣布,已成功制備出直徑為8英寸SiC晶圓,并表示公司將于本月低在美國(guó)ICSCRM 2024展示8
    的頭像 發(fā)表于 09-21 11:04 ?329次閱讀

    威兆半導(dǎo)體發(fā)布新一代高性能SiC MOSFET

    在近日舉行的elexcon2024深圳國(guó)際電子展上,威兆半導(dǎo)體震撼發(fā)布了其全新一代高性能碳化硅(SiCMOSFET——HCF2030MR70KH0,該產(chǎn)品以其卓越的性能和創(chuàng)新的設(shè)計(jì),
    的頭像 發(fā)表于 09-03 15:40 ?542次閱讀

    SiC技術(shù)賦能極氪電動(dòng)車(chē)核心部件

    近期,浙江吉利控股集團(tuán)旗下的高端電動(dòng)汽車(chē)品牌“極氪”迎來(lái)技術(shù)升級(jí),其“X”、“009”及“001”三款主力車(chē)型的主機(jī)逆變器上,成功搭載了第4SiC
    的頭像 發(fā)表于 09-03 14:38 ?582次閱讀

    半導(dǎo)體推動(dòng)SiC MOSFET技術(shù)進(jìn)步,與吉利汽車(chē)展開(kāi)深度合作

    近日,半導(dǎo)體(ROHM)宣布其第四SiCMOSFET成功應(yīng)用于吉利電動(dòng)車(chē)品牌極氪的三款車(chē)型中,標(biāo)志著雙方合作進(jìn)入了個(gè)新的發(fā)展階段。這項(xiàng)合作不僅展示了
    的頭像 發(fā)表于 09-03 10:39 ?411次閱讀
    <b class='flag-5'>羅</b><b class='flag-5'>姆</b>半導(dǎo)體推動(dòng)<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>技術(shù)進(jìn)步,與吉利汽車(chē)展開(kāi)深度合作

    用于電壓檢測(cè)的±12V輸入、新一代增強(qiáng)型隔離放大器

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于電壓檢測(cè)的±12V輸入、新一代增強(qiáng)型隔離放大器.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 08-28 10:44 ?0次下載
    用于電壓檢測(cè)的±12V輸入、<b class='flag-5'>新一代</b>、<b class='flag-5'>增強(qiáng)型</b>隔離放大器

    N溝道增強(qiáng)型MOSFET的優(yōu)缺點(diǎn)是什么

    N溝道增強(qiáng)型MOSFET(N-Channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)作為種重要
    的頭像 發(fā)表于 08-23 14:02 ?1018次閱讀

    萬(wàn)年芯:三半企業(yè)提速,碳化硅跑步進(jìn)入8英寸時(shí)代

    英飛凌于近期宣布,其位于馬來(lái)西亞的新晶圓廠(chǎng)正式進(jìn)入第階段建設(shè),該晶圓廠(chǎng)將成為全球最大、最具競(jìng)爭(zhēng)力的8英寸碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體晶圓廠(chǎng)。無(wú)獨(dú)有偶,安森美、意法半導(dǎo)體、
    的頭像 發(fā)表于 08-16 16:48 ?534次閱讀
    萬(wàn)年芯:三<b class='flag-5'>代</b>半企業(yè)提速,碳化硅跑步進(jìn)入<b class='flag-5'>8</b><b class='flag-5'>英寸</b>時(shí)代

    mos管增強(qiáng)型與耗盡的區(qū)別是什么

    MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低驅(qū)動(dòng)功率和良好的線(xiàn)性特性等優(yōu)點(diǎn)。根據(jù)導(dǎo)電溝道的形成方式,MOSFET可以分為增強(qiáng)型
    的頭像 發(fā)表于 07-14 11:32 ?4244次閱讀

    全球掀起8英寸SiC投資熱潮,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來(lái)新輪技術(shù)升級(jí)

    隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,碳化硅(SiC)材料因其卓越的性能而備受矚目。近期,8英寸SiC晶圓投資熱潮更是席卷全球,各大半導(dǎo)體廠(chǎng)商紛紛加大投入,積極布局這
    的頭像 發(fā)表于 06-12 11:04 ?450次閱讀
    全球掀起<b class='flag-5'>8</b><b class='flag-5'>英寸</b><b class='flag-5'>SiC</b>投資熱潮,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來(lái)新<b class='flag-5'>一</b>輪技術(shù)升級(jí)

    英飛凌發(fā)布新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù)

    英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅(SiCMOSFET溝槽柵技術(shù),無(wú)疑為功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域帶來(lái)了革命性的進(jìn)步。與上一代產(chǎn)品相比,全新的CoolSiC?
    的頭像 發(fā)表于 03-20 10:32 ?1011次閱讀