本文是為了在Si基板蝕刻制造金剛石時提高制造收率,為此,將半導(dǎo)體Si基板接入陽極,將Pt電極接入陰極后,在pt電極用跳汰機(jī)內(nèi)放入氮氣泡泡器,旋轉(zhuǎn)對向的正電極上外部認(rèn)可電壓,泡泡器內(nèi)吹入氮氣,在加溫的蝕刻溶液內(nèi)進(jìn)行蝕刻。(圖3、圖4)
在連接到陽兢的半導(dǎo)體硅基板上,將連接到陰極的鉑線纏繞在夾子上的鉑電極對向,在夾子中放入氮氣泡泡,通過該泡泡注入地素的半導(dǎo)體硅基板的蝕刻方法,一種半導(dǎo)體硅基板的蝕刻方法,使氮氣泡沫器與氮氣注入一起旋轉(zhuǎn)。
審核編輯:符乾江
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