銀線WB不能做bHAST嗎

Q1

請(qǐng)教下各位，如果芯片尺寸很大，12寸wafer可能一片wafer只有300顆die。每顆成本很高，做可靠性測(cè)試的樣本數(shù)量能適當(dāng)減少嗎？

A

可以的，特別昂貴的芯片，可以降低抽樣率。

Q2

請(qǐng)教群里大神，F(xiàn)T發(fā)現(xiàn)批量性O(shè)S超標(biāo)，開蓋發(fā)現(xiàn)都是固定Pad位置ESD保護(hù)管燒傷，一般會(huì)是什么原因造成？

A

這種插指結(jié)構(gòu)是典型的ESD clamp結(jié)構(gòu)。這種電測(cè)后ESD電路damage的現(xiàn)象并不少見，但最終能找到root cause較少，主要是因?yàn)閔igh current damage destroyed損壞了證據(jù)。FA盡量的找一些燒得比較輕微的FIB/top down delayer，如果運(yùn)氣好的話也許能找到蛛絲馬跡。但我覺得也許可以同時(shí)做一些數(shù)據(jù)分析/DOE/ESD測(cè)試也許更有幫助?？梢愿銕最wDie 快封后打打ESD看，是否可以復(fù)現(xiàn)，再確認(rèn)一下改善哪些有可能ESD的地方，改善到什么程度。

Q3

請(qǐng)教個(gè)問題，有個(gè)產(chǎn)品做靜電測(cè)試。在外協(xié)方測(cè)試，vin和gnd過不了2000V，在我們自己實(shí)驗(yàn)室，可以過3000V。除了靜電測(cè)試設(shè)備差異，還會(huì)是什么原因，可以造成結(jié)差異？

A

1.建議對(duì)比測(cè)試機(jī)臺(tái)類型。

2.建議對(duì)比采用測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，一般會(huì)誤導(dǎo)把系統(tǒng)級(jí)ESD和芯片級(jí)ESD混淆。

3.對(duì)比測(cè)試方法，一定要一比一的對(duì)比，很多時(shí)候VIN到GND自己ESD本身沒有問題，而且一些IO 管腳的ESD繞道電源到底打死VIN。

4.可以考慮外協(xié)機(jī)臺(tái)是否寄生電容導(dǎo)致結(jié)果不一致，驗(yàn)證方法是讓外協(xié)采用Two pin的方式進(jìn)行，減少寄生。

Q4

如果我們用TLP測(cè)試機(jī)再試試，看和hbm測(cè)試設(shè)備的結(jié)果對(duì)比，是否有意義？

A

個(gè)人感覺只能作為參考，兩者的波形不同，內(nèi)部電路的寄生情況可能會(huì)降低參考價(jià)值吧。

Q5

請(qǐng)教大家：銀線WB不能做bHAST嗎？是否有業(yè)界規(guī)范？

A

銀焊線建議要做b-HAST考核。

Q6

據(jù)了解，工廠一般不會(huì)做，因?yàn)槭瘦^高，建議做的原因是什么？

A

帶電工作的情況下，Ag可能會(huì)發(fā)生電化學(xué)反應(yīng)，出現(xiàn)Ag離子遷移情況。

Q7

想請(qǐng)教一下：

1.gate oxide layer如何形成缺陷？

2.如何預(yù)防解決gate oxide layer的缺陷，防止gate oxide擊穿？

3.都說(shuō)導(dǎo)致空洞最大原因跟封裝廠貼片有關(guān)，那除了貼片原因外，還有什么情況也會(huì)導(dǎo)致空洞的發(fā)生？

A

有FN tunneling效應(yīng)在，不可能存在所謂不會(huì)被擊穿的gate oxide，其它gate oxide相關(guān)的可以搜索下GOI/TDDB詞條。常見氧化層缺陷有污漬，局部變薄，針孔，氧空位等。取決于fab長(zhǎng)膜工藝及機(jī)臺(tái)穩(wěn)定性。

Q8

咨詢大家一個(gè)問題：如果把CP pad放在劃片槽里面，會(huì)不會(huì)后續(xù)引起什么問題？但是這種CP pad還是要和內(nèi)部電路相連接的，劃的時(shí)候會(huì)不會(huì)出什么可靠性問題，我的意思是為了省面積，把CP pad放在劃片槽，但是要和seal ring 里面的電路連接，或者把CP pad放在電路的上面有啥問題么？

A

CP pad不要放，PAD應(yīng)該是最終被劃掉的，不會(huì)打線，但你如果用CP pad劃片等于上下打穿了，PAD和下面ESD電路短接，最終會(huì)不會(huì)對(duì)你整個(gè)芯片帶來(lái)影響。

Q9

那您的意思，放在劃片槽里的pad 就用頂層金屬做即可？另外需不需要把劃片槽做寬一點(diǎn)？可不可以做DFT目的的CP pad？

A

這種應(yīng)該可以吧，我們以前見過是把燒fuse 用PAD放劃片槽，沒必要把劃片槽做寬，你PAD可以縮小的。

Q10

請(qǐng)問客戶在BGA周圍點(diǎn)膠了，現(xiàn)在用熱風(fēng)槍吹不下來(lái)。請(qǐng)問有什么辦法可以解焊嗎？類似這樣的

A

點(diǎn)膠是無(wú)法解焊的，要取下封裝只能把板子用研磨的方法研磨去除，后續(xù)再針對(duì)錫球重新值球。

Q11

請(qǐng)教大家一個(gè)問題：請(qǐng)問一下對(duì)于模擬IC類以及功率器件類器件bHAST試驗(yàn)怎么加電，是以最小功率讓其工作起來(lái)，還是給直流偏置？

A

bHAST加直流偏置電壓，這是封裝可靠性項(xiàng)目，不是產(chǎn)品設(shè)計(jì)考核項(xiàng)目。不必讓進(jìn)入芯片工作模式。不能工作起來(lái)，防止發(fā)熱阻擋水汽進(jìn)入。

Q12

請(qǐng)教一下 如果package reliability 測(cè)試前后只測(cè)試 open short會(huì)有什么風(fēng)險(xiǎn)，如果不測(cè)試function ？

A

有可能一些漏電的失效發(fā)現(xiàn)不到。

Q13

各位，請(qǐng)教個(gè)問題，對(duì)于雙向的IO pin，Latch up 測(cè)試的時(shí)候是作為INPUT PIN還是Out pin？

A

具體做輸入還是輸出要看當(dāng)前配置的狀態(tài)是輸入還是輸出。

原文標(biāo)題：季豐電子IC運(yùn)營(yíng)工程技術(shù)知乎 –22W10

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