《華林科納-半導(dǎo)體工藝》單晶硅清洗工藝

摘要

提供了一種用于半導(dǎo)體晶片清潔操作的系統(tǒng)。清潔系統(tǒng)具有頂蓋和底蓋。頂蓋密封在晶片的頂面接觸環(huán)上，底蓋密封在晶片的底面接觸環(huán)上。文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁晶片保持在頂蓋和底蓋之間。邊緣清潔輥用于清潔晶片的邊緣。驅(qū)動(dòng)輥被配置為旋轉(zhuǎn)晶片、頂蓋和底蓋。邊緣清潔輥以第一速度旋轉(zhuǎn)，驅(qū)動(dòng)輥以第二速度旋轉(zhuǎn)，以便于邊緣清潔輥對(duì)晶片的邊緣清潔。

發(fā)明領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶片清潔，更具體地，涉及用于更有效地清潔感興趣的晶片表面并降低晶片清潔成本的技術(shù)。

相關(guān)技術(shù)的描述

眾所周知，在半導(dǎo)體芯片制造過(guò)程中，需要清潔晶片，其中已經(jīng)執(zhí)行了在晶片的表面、邊緣、斜面和凹口上留下不需要的殘留物的制造操作。這種制造操作的示例包括等離子蝕刻（例如，鎢回蝕（WEB））和化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）。在 CMP 中，晶片被放置在支架中，支架將晶片表面推向滾動(dòng)傳送帶。該傳送帶使用由化學(xué)品和研磨材料組成的漿料進(jìn)行拋光。不幸的是，這個(gè)過(guò)程往往會(huì)在晶片的表面、邊緣、斜面和凹口處留下漿液顆粒和殘留物的堆積。如果留在晶圓上進(jìn)行后續(xù)制造操作，多余的殘留材料和顆?？赡軙?huì)導(dǎo)致，其中包括晶圓表面劃痕等缺陷以及金屬化特征之間的不適當(dāng)相互作用。在某些情況下，此類缺陷可能會(huì)導(dǎo)致晶片上的器件無(wú)法運(yùn)行。為了避免丟棄具有無(wú)法操作的裝置的晶片的過(guò)度成本，因此有必要在留下不需要的殘留物的制造操作之后充分而有效地清潔晶片。

審核編輯：符乾江