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亞成微氮化鎵功率集成方案滿足小型化大功率快充電源設計要求

亞成微電子 ? 來源:亞成微電子 ? 作者:亞成微電子 ? 2021-12-16 09:44 ? 次閱讀

2021(秋季)USB PD & Type-C 亞洲展將于12月在深圳舉辦。屆時,亞成微產(chǎn)品經(jīng)理周聰先生將為大家分享多款PD快充 GaN和超結(jié)MOS 的功率集成方案,同時歡迎各界朋友蒞臨亞成微展位 D01 參觀交流,亞成微誠邀您共享更多精彩。

亞成微氮化鎵(GaN)功率集成方案,采用業(yè)界先進的3D封裝技術,芯片內(nèi)部集成ZVS/QR反激式開關電源控制器、650V GaN FET、氮化鎵驅(qū)動器以及驅(qū)動保護等,支持最大120W快充,具有小體積、高效率、高性能、低功耗等特點,完全滿足小型化大功率快充電源設計要求,可有效幫助快充電源廠商實現(xiàn)更小體積、更大功率快充產(chǎn)品的量產(chǎn)并節(jié)省物料成本。

原文標題:亞成微電子邀您相約 2021(秋季)USB PD&Type-C 亞洲展

文章出處:【微信公眾號:亞成微電子】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

審核編輯:彭菁
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原文標題:亞成微電子邀您相約 2021(秋季)USB PD&Type-C 亞洲展

文章出處:【微信號:reactor-micro,微信公眾號:亞成微電子】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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  • 钟工1231

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