亞成微氮化鎵功率集成方案滿足小型化大功率快充電源設(shè)計(jì)要求
2021（秋季）USB PD & Type-C 亞洲展將于12月在深圳舉辦。屆時(shí)，亞成微產(chǎn)品經(jīng)理周聰先生將為大家分享多款PD快充 GaN和超結(jié)MOS 的功率集成方案，同時(shí)歡迎各界朋友蒞臨亞成微展位 D01 參觀交流，亞成微誠(chéng)邀您共享更多精彩。
亞成微氮化鎵（GaN）功率集成方案，采用業(yè)界先進(jìn)的3D封裝技術(shù)，芯片內(nèi)部集成ZVS/QR反激式開關(guān)電源控制器、650V GaN FET、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器以及驅(qū)動(dòng)保護(hù)等，支持最大120W快充，具有小體積、高效率、高性能、低功耗等特點(diǎn)，完全滿足小型化大功率快充電源設(shè)計(jì)要求，可有效幫助快充電源廠商實(shí)現(xiàn)更小體積、更大功率快充產(chǎn)品的量產(chǎn)并節(jié)省物料成本。
原文標(biāo)題：亞成微電子邀您相約 2021（秋季）USB PD＆Type-C 亞洲展
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審核編輯：彭菁
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