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      季豐電子新增應(yīng)用在MOS等高壓IV Curve和高壓熱點定位

      上海季豐電子 ? 來源：上海季豐電子 ? 作者：陳勝蘭 ? 2021-10-15 11:50 ? 次閱讀

      季豐電子新增加高壓IV Curve和高壓熱點定位，主要應(yīng)用在MOS，SiC，IGBT等高壓產(chǎn)品的失效分析，IV Curve掃描電壓范圍在±3000V，通過IV Curve好壞品對比，我們可協(xié)助判斷壞品是否有異常，一般的失效模式為：Short，Open，Leakage，High resistance，找到異常的條件后再進行下一步的熱點定位分析。

      熱點定位機臺有InGaAs，OBIRCH，Thermal三種，均可通過IC正面或背面進行定位，找出缺陷位置，目前InGaAs&OBIRCH最高電壓可達到3000V，而Thermal可進行非破壞定位，協(xié)助判斷是封裝異常還是IC異常。

      熱點定位機臺主要應(yīng)用為：

      37adf2ca-2b5d-11ec-82a8-dac502259ad0.png

      高壓定位原理：

      380878f8-2b5d-11ec-82a8-dac502259ad0.png

      （a） IC frondside 影像+OBIRCH ；（b） OBIRCH signal

      384a6114-2b5d-11ec-82a8-dac502259ad0.png

      （a） IC frondside 影像+InGaAs ；（b） InGaAs emission

      38764b4e-2b5d-11ec-82a8-dac502259ad0.png

      編輯：jq

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      原文標(biāo)題：季豐電子新增3000V高壓IV Curve和高壓熱點定位

      文章出處：【微信號：zzz9970814，微信公眾號：上海季豐電子】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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