PCB設(shè)計(jì)的具體內(nèi)容
建議PCB設(shè)計(jì)用4或者6層
4層定義:
第一層(頂層) -> 走線和地
第二層(內(nèi)層) -> 走線和電源層
第三層(內(nèi)層) ->完整的地層(可能有模擬地和數(shù)字地)
第四層(底層) -> 走線和地
說明:第二層和第三層可以互換,根據(jù)主要元件的布局層面確定.其緊鄰層為地.
6層定義:
第一層(頂層) -> 走線和地
第二層(內(nèi)層) -> 走線和電源層
第三層(內(nèi)層) -> 信號
第四層(內(nèi)層) -> 信號
第五層(內(nèi)層) -> 完整的地層
第六層(底層) -> 走線和地
說明:第二層和第五層可以互換,根據(jù)主要元件的布局層面確定.其緊鄰層為地.
一、地層
用過孔創(chuàng)建一個(gè)地環(huán)在PCB的周圍。使用的最小的過孔是0.254mm。建議使用0.3mm的過孔。每一個(gè)過孔的間距在1.27mm到2.5mm之間。盡可能的用通孔在每層每邊都有。如圖:
二、電源層
分割電源層達(dá)到分配每個(gè)獨(dú)立的電源.獨(dú)立的電源如下:
提供給DSP內(nèi)核和模擬電源部分。
2.8V和VCC(提供給攝像頭電源)該兩路電源的純度是獲得好的圖像質(zhì)量的保證。
電感在DC/DC的輸出SW腳,并盡可能的靠近SW腳.并且盡可能的走線最少是0.6mm.一個(gè)好的建議是把DC/DC芯片跟功率電感盡可能的放在PCB的同一邊.如果它們不在PCB的同一邊的話.需要使用多個(gè)過孔連接功率電感到SW腳.DC/DC轉(zhuǎn)換器的電源輸入端的電源濾波電容最好是鉭電容.當(dāng)DC/DC芯片被使用,鉭電容的值建議使用4.7uF或者是10uF.或者使用一個(gè)ESR值低的電容.而且功率電感的輸出端最好連接0.1uF和10uF的電容.這些電容盡可能的靠近,并離DC/DC IC的輸出端最多4mm遠(yuǎn).被放置的0.1uF的退耦電容最好放在10uF的電容的前面。
模擬地和數(shù)字地模擬地和數(shù)字地最好被分開,通過電感或0 歐電阻連接,如果板太小無法分割模擬和數(shù)字地,可以直接相連,但是要考慮數(shù)字信號的地回路不要影響到模擬部分。為了幫助提高模擬部分質(zhì)量各自走自己的地環(huán)路.這樣是避免模擬部分從數(shù)字地耦合數(shù)字信號.特別是對音頻地和SENSOR的地.
閃光燈的地:FGND請不鋪銅,且此網(wǎng)絡(luò)最好與其它的元件、網(wǎng)絡(luò)保持3MM以上.
所有Audio部分的走線盡可能的寬。音頻輸出的所有元器件應(yīng)該盡可能靠近耳機(jī)插座.建議把這些與音頻有關(guān)的元器件和走線放在一起,并盡可能的與系統(tǒng)音頻輸出在PCB的同一部分.盡量避免從其他的信號耦合噪聲.音頻輸出走線的寬度不少于0.254mm的寬度。耳機(jī)布局走音頻信號線應(yīng)該遠(yuǎn)離NAND Flash的數(shù)據(jù)線和控制線以及高頻信號,也要遠(yuǎn)離晶振電路.如果音頻信號線走線離這些信號線太近就會(huì)影響音頻的質(zhì)量.
(備注:上圖中的音頻器件應(yīng)該都放在一起,并與音頻輸入、輸出的插座盡可能的靠近。走線盡量的寬。避免過孔,避免跨越數(shù)字和模擬地。Audio部分的地環(huán)路不允許有多路返回和環(huán)狀回路。)
·AUDC_VREFADC,AUDC_VREFDAC, AUDC_VCM信號的濾波鉭電容10uF和瓷片電容0.1uF盡量靠近主控IC附近.其走線需要遠(yuǎn)離高頻數(shù)字信號。如SDRAM,NAND FLASH的數(shù)據(jù)線,地址線和控制線。
麥克風(fēng)走聲音輸入信號線應(yīng)該遠(yuǎn)離NAND Flash的數(shù)據(jù)線和控制線以及高頻信號,也要遠(yuǎn)離晶振電路.如果MIC輸入信號走線離這些信號線太近就會(huì)影響音頻輸入的質(zhì)量.走M(jìn)ICBIAS模擬線應(yīng)該遠(yuǎn)離DC/DC的功率電感,數(shù)字信號線,控制線和晶振電路.放置濾波器件盡可能的靠近麥克風(fēng). MIC輸入信號與MICBIAS電源信號需要隔開距離. 避免相互干擾.最好對MIC輸入信號做包地處理.麥克風(fēng)的地線應(yīng)該分開數(shù)字地線.避免耦合數(shù)字噪聲。
三、Line in 方面的考慮
Line in的輸入耳機(jī)插座的信號線應(yīng)該放置分離電阻在它的的輸入端.保護(hù)芯片避免因?yàn)檩斎胄盘柕臎_擊損壞芯片.與Line in有關(guān)的元器件也應(yīng)該盡可能的放置在一起.地線也與數(shù)字地線分開.
四、Sensor方面的考慮
Sensor的供電要求很穩(wěn)定且純的2.8V和1.8V的電源.所以,建議LDO和大容值的膽電容被使用在該電源部分. Sensor的模擬地要求獨(dú)立的地環(huán).以避免從大地受到干擾噪聲.
五、USB方面的考慮
USB的差分信號線保持平行走線,以達(dá)到90 ohm的差分阻抗.由于PCB和走線的因素這樣的平行走線的要求是很難達(dá)到的.為了避免這樣的偏差盡可能的減少.建議走線寬度不少于0.254mm,差分信號線的間距不少于0.254mm.這樣盡可能的接近90 ohm的差分阻抗.
六、高速的USB
為了獲得理想的信號質(zhì)量建議高速USB的差分信號線與其他的信號線的間距最好是0.5mm以上.這樣有助于避免交互干擾.另一種選擇達(dá)到90 ohm的差分阻抗的方法.可以在USB的差分信號線對加上6pF到地.因?yàn)橛行┰O(shè)計(jì)需要這些,但是當(dāng)有些PCB設(shè)計(jì)達(dá)不到90 ohm的差分阻抗就需要這些.PCB布局時(shí),這些焊盤需要保留在需要的時(shí)候.
D+、D-的線寬跟線距為9mil,這兩個(gè)信號線旁不可以鋪銅,應(yīng)該將地裸空。如下圖:
七、一些較差的USB走線
一些很普通的較差的USB走線是USB走線使用了過多的過孔.跨越電源和地線的分割層.USB的信號對的兩邊地線不對稱.不平行的信號對和過多的過孔將會(huì)引起阻抗的不連續(xù)這樣會(huì)導(dǎo)致較差的信號質(zhì)量.
八、SDRAM部分走線考慮
1.SDRAM時(shí)鐘信號
時(shí)鐘信號頻率較高,為避免傳輸線效應(yīng),按照工作頻率達(dá)到或超過75MHz時(shí)布線長度應(yīng)在1000mil以內(nèi)的原則及為避免與相鄰信號產(chǎn)生串?dāng)_,走線長度不超過1100mil,線寬10mil,與其他外部信號間距20mil。最好包地。
2.地址、片選及其它控制信號:
線寬5mil,同類型控制信號間距10mil,與其他外部信號間距20mil,過孔盡量少,最好在2個(gè)以內(nèi)。與時(shí)鐘信號做等長度走線處理。
3.SDRAM數(shù)據(jù)線:
線寬5mil,同類型數(shù)據(jù)信號間距5mil,與其他外部信號間距10mil,盡量在同一層布線,數(shù)據(jù)線與時(shí)鐘線的線長做等長度走線處理。
九、ESD方面的考慮
要求有好的ESD的PCB設(shè)計(jì)建議使用6層的PCB設(shè)計(jì),并有獨(dú)立的電源層和地層.所有的元器件的地盤都應(yīng)該連接到大地的地環(huán)盤.磁珠也應(yīng)該連接到每個(gè)信號線和外圍設(shè)備之間.壓敏電阻也應(yīng)該加到USB的各個(gè)信號線,音頻信號線和按鍵的信號線到地.按鍵和開關(guān)盡量使用絕緣體的元器件.USB插座應(yīng)該被非導(dǎo)體的膠體蓋住.如果金屬或者導(dǎo)體被使用的話,應(yīng)該設(shè)計(jì)讓靜電電流均勻的分布在PCB板的四周.按鍵和開關(guān)與PCB間的空氣的空隙盡可能的小.避免使用有金屬外環(huán)的耳機(jī)插座.
有關(guān)復(fù)位電路部分。在復(fù)位腳與大地之間串接68pF的陶瓷濾波電容。復(fù)位電路部分的所有元器件應(yīng)該盡可能的都靠近芯片的復(fù)位腳。復(fù)位走線盡量的短。如果走線長的話要走中間層。如下圖所示
在對PCB放靜電時(shí),為了更多的大地分布電荷。就需要在PCB的周圍盡可能多的設(shè)置地VIA是非常有幫助的。
對USB_VDD33和VDD33的LDO的NC腳上都跨接0.01uF的濾波電容到地。濾除靜電對電源的瞬間的影響。
芯片code 電源網(wǎng)絡(luò)是芯片核心電源的抗靜電的穩(wěn)定性。需要增加68pF和0.01uF的陶瓷電容到地。并盡可能的靠近芯片的管腳。
盡可能的加大地的面積。并盡可能讓地層完整。整機(jī)的電源走線要求盡量粗而短。電源與地的回路要盡量的小。只有這樣才能保證靜電很快的被釋放掉。
晶振外殼要接地.USB外殼與DGND經(jīng)過0.1uF電容連接.靠近USB附近的DGND盡量多打過孔。
十、EMI方面的考慮
放置0.1uF的濾波電容在各自對應(yīng)的電源腳上. 放置10uH的DC/DC功率電感盡可能的靠近DC/DC轉(zhuǎn)換器的SW腳,并使用有磁環(huán)包裹的功率電感.這有助于抑止DC/DC轉(zhuǎn)換的高次諧波的噪聲.放置0.1uF和10uF的濾波的電容,并盡可能靠近功率電感的輸出端.數(shù)字信號線盡量走在內(nèi)層.時(shí)鐘信號線的走線盡量的短.一些EMI器件在必要的時(shí)候可以加在重要的信號線上.
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