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如何確定驅(qū)動(dòng)芯片電流是否可以驅(qū)動(dòng)特定型號的IGBT?

QjeK_yflgybdt ? 來源:英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 作者:楊勇 ? 2021-06-23 14:21 ? 次閱讀

IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)包括上下橋絕緣水平的選擇、驅(qū)動(dòng)電壓水平的確定、驅(qū)動(dòng)芯片驅(qū)動(dòng)功率的確定、短路保護(hù)電路等等。今天我們重點(diǎn)討論一下驅(qū)動(dòng)電流以及功率的確定,也就是說如何確定一個(gè)驅(qū)動(dòng)芯片電流能力是不是可以驅(qū)動(dòng)一個(gè)特定型號的IGBT,如果不能驅(qū)動(dòng)該如何增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)輸出能力。

1、驅(qū)動(dòng)芯片峰值電流的計(jì)算

在選擇IGBT驅(qū)動(dòng)芯片時(shí),很重要的一步就是計(jì)算IGBT所需要的最大驅(qū)動(dòng)電流,在不考慮門極增加Cge電容的條件下,可以把IGBT驅(qū)動(dòng)環(huán)節(jié)簡化為一個(gè)RLC電路,如下圖陰影部分所示。

b1d4db14-d3d2-11eb-9e57-12bb97331649.png

求解這個(gè)電路可以得到峰值電路的關(guān)系式如下:

b1e1eb74-d3d2-11eb-9e57-12bb97331649.png

Ipeak:驅(qū)動(dòng)環(huán)節(jié)可以輸出的最大電流

ΔUge:門極電源最大值減去最小值

RG,ext:外部門極電阻值,RG,int為器件內(nèi)部的電阻值

從上面公式可以看出最大驅(qū)動(dòng)電流取決于門極電壓水平,以及門極電阻值,一旦這兩個(gè)參數(shù)確定后,所需要的最大驅(qū)動(dòng)電流基本確定。當(dāng)然,在一些設(shè)計(jì)中會(huì)選用不同的開通關(guān)斷電阻,那么就需要分別計(jì)算開通關(guān)斷需要的電流。依據(jù)上述計(jì)算的開通關(guān)斷電流值可以初步選擇芯片的驅(qū)動(dòng)電流,芯片數(shù)據(jù)手冊給出的峰值不能小于計(jì)算得到的電流值,并且適當(dāng)考慮工程余量。

2、推挽電路放大電路增加驅(qū)動(dòng)電流

如果驅(qū)動(dòng)芯片的輸出電流不能驅(qū)動(dòng)特定IGBT的話,比較簡單的方法是采用推挽電路進(jìn)一步增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)芯片的峰值電流輸出能力。采用三極管放大是一種常用的方式,其計(jì)算步驟如下:

(1)根據(jù)選擇的驅(qū)動(dòng)電壓水平以及門極電阻計(jì)算得到需求的最大峰值電流Ipeak

(2)選擇合適耐壓的PNP/NPN三極管組成推挽電路

(3)查所選擇的三極管數(shù)據(jù)手冊中的電流傳輸系數(shù)hFE,計(jì)算得到三極管的基極電流

(4)計(jì)算驅(qū)動(dòng)芯片輸出極的輸出電阻

b1fb6be4-d3d2-11eb-9e57-12bb97331649.png

上述步驟給出了BJT作為推挽放大電路時(shí)一般的步驟,需要著重考慮的是BJT的耐壓以及基級電阻的匹配。由于使用BJT做推挽放大設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)比較簡單,因此在設(shè)計(jì)中得到廣泛的應(yīng)用。在大功率應(yīng)用場合比較常用的BJT三極管型號有MJD44/45H11(80V)等。

需要指出的是,在推挽電路設(shè)計(jì)中,與BJT相比MOSFET有自身的優(yōu)勢,主要表現(xiàn)為功率密度更大,BJT通常是D-PAK的封裝,而MOSFET通常是SO8封裝;另外MOSFET需要更小的控制電流,開關(guān)速度較快,比較適用于FPGA的數(shù)字控制以及多電平軟關(guān)斷。但是在使用MOSFET做推挽設(shè)計(jì)時(shí)需要注意的是下橋n溝道MOSFET的門極電壓與電源電壓的匹配問題,為此需要在門極增加穩(wěn)壓二極管。在大功率場合MOSFET IRF7343(-55/+60V)是比較常用的器件以及耐壓與性能比較接近的器件。

3、驅(qū)動(dòng)平均功率計(jì)算

在驅(qū)動(dòng)環(huán)節(jié)的設(shè)計(jì)中,除了驅(qū)動(dòng)的峰值電流外,電流的有效值也是需要關(guān)注的重要參數(shù)之一。前者決定是否能有效地驅(qū)動(dòng)特定型號的IGBT,后者決定其發(fā)熱或者溫升是否能滿足設(shè)計(jì)要求。下圖給出的是FF1200R17KE3門極電流電壓的測試波形。測試的配置如下:

Rg,on=1.3ohm

Rg,off=1.4ohm

Vge=+/-15v

b2076124-d3d2-11eb-9e57-12bb97331649.png

依據(jù)上述公式可以計(jì)算得到Ipeak=7.66A,測試值與計(jì)算值基本接近。

查器件FF1200R17KE3的數(shù)據(jù)手冊可知Qg=14uc,Rgint=1.6ohm。

把門極的電流波形近視為三角波,三角波的持續(xù)時(shí)間可以用下面公式簡化計(jì)算

b233a996-d3d2-11eb-9e57-12bb97331649.png

設(shè)器件的開關(guān)頻率為2.5kHz,一個(gè)開關(guān)周期的時(shí)間T=400us,驅(qū)動(dòng)電流的有效值可以用下面的式子計(jì)算得到

b23db012-d3d2-11eb-9e57-12bb97331649.png

依據(jù)該電流值查推挽輸出三極管的特性曲線得到三極管的損耗,用于計(jì)算三極管的溫升是否滿足運(yùn)行要求。

4、小結(jié)

本文簡要介紹了IGBT驅(qū)動(dòng)環(huán)節(jié)設(shè)計(jì)中門極峰值電流的計(jì)算以及使用三極管推挽輸出環(huán)節(jié)的一般計(jì)算過程,最后結(jié)合實(shí)際應(yīng)用考慮三極管的發(fā)熱溫升。

責(zé)任編輯:lq6

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原文標(biāo)題:IGBT驅(qū)動(dòng)電流及驅(qū)動(dòng)功率的計(jì)算

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