0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

簡(jiǎn)述如何減小TVS寄生電容的應(yīng)用

韜略科技EMC ? 來(lái)源:韜略科技EMC ? 作者:韜略科技EMC ? 2021-06-02 10:55 ? 次閱讀

靜電,電涌等這些具有非常大的瞬態(tài)能量的干擾,會(huì)對(duì)集成電路造成破壞,所以在實(shí)際工程應(yīng)用中我們會(huì)考慮使用TVS進(jìn)行抑制保護(hù)。根據(jù)干擾能量等級(jí)的不同,我們會(huì)選擇不同瞬態(tài)功率的TVS(Pppm=鉗位電壓×瞬態(tài)峰值電流),也就是TVS瞬態(tài)電流(Ippm)的承受能力。

為了獲得大一些的承受能力(較大的Pppm),TVS的結(jié)面積就會(huì)增加,然而,這樣就會(huì)導(dǎo)致電容量C的增加。C太大將使有用信號(hào)衰減,這是不利的,特別是在頻率較高的電子系統(tǒng)中。對(duì)于頻率較高的電子系統(tǒng)的保護(hù)應(yīng)用來(lái)說(shuō),TVS自身寄生電容的存在是有危害的,寄生電容??梢匀鐖D1所示,以此來(lái)減少寄生電容的影響。二極管串聯(lián)支路是用于正負(fù)兩種極性暫態(tài)過(guò)電壓保護(hù)。普通二極管的寄生電容約為50pF,該電容與TVS的寄生電容串聯(lián)后,其總的支路電容將有較大幅度的減小。

在被保護(hù)電子系統(tǒng)正常運(yùn)行時(shí),當(dāng)AB兩線之間電壓超過(guò)0.6V后,普通二極管即開(kāi)始導(dǎo)通,同時(shí)向TVS的寄生電容充電,一旦將其充滿,作用于二極管上的電壓將小于0.6V,使他停止導(dǎo)通,則這條支路將不再?gòu)南到y(tǒng)中吸收電流,處于開(kāi)路狀態(tài),從而不影響系統(tǒng)的正常運(yùn)行。

7070764a-c1f0-11eb-9e57-12bb97331649.png

類似的減小寄生電容的原理可以推廣到圖2,在該圖中,AB線間電壓必須超過(guò)1.2V才能將TVS寄生電容充電,使保護(hù)電路停止從正常運(yùn)行的系統(tǒng)中吸收電流。當(dāng)采用分立元件來(lái)組裝這些保護(hù)電路時(shí),元件間連線的寄生電感是一個(gè)需要重視的問(wèn)題。

當(dāng)使用分離元件時(shí),需要使用減小寄生電感的方法。圖1和圖2所示的保護(hù)電路通常是,用于抑制差模過(guò)電壓。為了實(shí)施在平衡線路中對(duì)共模過(guò)電壓的防護(hù),可以采用圖3所示的保護(hù)電路。

70796e6c-c1f0-11eb-9e57-12bb97331649.png

70a159fe-c1f0-11eb-9e57-12bb97331649.png

由于普通二極管動(dòng)作較慢,因此上述兩種方法雖然能減小寄生電容,但同時(shí)也帶來(lái)了副作用,即犧牲了整個(gè)保護(hù)電路一定的響應(yīng)速度。因此需要根據(jù)具體應(yīng)用來(lái)考量。此應(yīng)用的分析是基于電容串聯(lián),總電容減小的基本概念。

在具體的TVS產(chǎn)品中其實(shí)也做到了這一點(diǎn),這些封裝的容值可以做的比較低,同里面的二極管有一定關(guān)系。另外集成封裝類型的TVS由于本身的制造工藝要求,也需要用到這種TVS與二極管串接的方式。比如常見(jiàn)的2510封裝4路TVS,主要用于HDMIUSB3.0,容值可以做到0.2-0.4PF。

70c304c8-c1f0-11eb-9e57-12bb97331649.png

7120b6ea-c1f0-11eb-9e57-12bb97331649.png

編輯:jq

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 二極管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    147

    文章

    9700

    瀏覽量

    167367
  • 靜電
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    508

    瀏覽量

    36468
  • 電容
    +關(guān)注

    關(guān)注

    100

    文章

    6090

    瀏覽量

    150862
  • TVS
    TVS
    +關(guān)注

    關(guān)注

    8

    文章

    797

    瀏覽量

    60770

原文標(biāo)題:減小TVS寄生電容的應(yīng)用

文章出處:【微信號(hào):TLTECH,微信公眾號(hào):韜略科技EMC】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    CAN通信節(jié)點(diǎn)多時(shí),如何減少寄生電容和保障節(jié)點(diǎn)數(shù)量?

    節(jié)點(diǎn)就會(huì)帶來(lái)寄生電容的增加,節(jié)點(diǎn)增加到一定數(shù)量,波形嚴(yán)重失真,導(dǎo)致數(shù)據(jù)接收錯(cuò)誤。硬件設(shè)計(jì)CAN電路時(shí),需要總線抗受電磁兼容同時(shí)需要寄生電容小,直接給總線并聯(lián)TVS
    的頭像 發(fā)表于 01-03 11:41 ?1355次閱讀
    CAN通信節(jié)點(diǎn)多時(shí),如何減少<b class='flag-5'>寄生電容</b>和保障節(jié)點(diǎn)數(shù)量?

    使用ads1292采集心電時(shí),什么原因會(huì)造成輸入阻抗減小?

    在使用ads1292采集心電時(shí),做了一個(gè)demo板,進(jìn)行測(cè)試,輸入阻抗達(dá)標(biāo); 之后由于考慮到解決靜電的問(wèn)題,進(jìn)行了大量的鋪銅,其中信號(hào)輸入走線被地包裹;再測(cè)輸入阻抗,不達(dá)標(biāo)了(前端電路沒(méi)有改變) 初步懷疑是否為走線與地之間的寄生電容 漏電流造成的輸入阻抗減小?不知是否有
    發(fā)表于 12-13 09:34

    半大馬士革工藝:利用空氣隙減少寄生電容

    本文介紹了半大馬士革工藝:利用空氣隙減少寄生電容。 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展,芯片制程已經(jīng)進(jìn)入了3納米節(jié)點(diǎn)及更先進(jìn)階段。在這個(gè)過(guò)程中,中道(MEOL)金屬互聯(lián)面臨著諸多新的挑戰(zhàn),如寄生電容
    的頭像 發(fā)表于 11-19 17:09 ?726次閱讀
    半大馬士革工藝:利用空氣隙減少<b class='flag-5'>寄生電容</b>

    深入解析晶振時(shí)鐘信號(hào)干擾源:寄生電容、雜散電容與分布電容

    和PCB布局過(guò)程中,對(duì)寄生電容、雜散電容和分布電容的考慮和處理是至關(guān)重要的。特別是在處理高頻信號(hào)如晶振時(shí)鐘信號(hào)時(shí),通過(guò)上述措施可以有效減小這些電容
    發(fā)表于 09-26 14:49

    仿真的時(shí)候在哪些地方添加寄生電容呢?

    請(qǐng)問(wèn)各位高手,仿真的時(shí)候在哪些地方添加寄生電容呢,比如下面的圖, 另外一般萬(wàn)用板焊出來(lái)的雜散電容有多大?在高速運(yùn)放仿真時(shí)應(yīng)該加在哪些地方呢
    發(fā)表于 09-19 07:59

    在LF411CD的放大模塊出現(xiàn)輸出會(huì)發(fā)生振蕩,請(qǐng)問(wèn)該元件輸入端(2端)與GND間的寄生電容多大?

    在LF411CD的放大模塊出現(xiàn)輸出會(huì)發(fā)生振蕩,懷疑是寄生電容造成,請(qǐng)問(wèn)該元件輸入端(2端)與GND間的寄生電容多大? 謝謝~~
    發(fā)表于 09-10 07:51

    普通探頭和差分探頭寄生電容對(duì)測(cè)試波形的影響

    在電子測(cè)試和測(cè)量領(lǐng)域,探頭是連接被測(cè)設(shè)備(DUT)與測(cè)量?jī)x器(如示波器)之間的關(guān)鍵組件。探頭的性能直接影響到測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。其中,寄生電容是探頭設(shè)計(jì)中一個(gè)不容忽視的因素,它對(duì)測(cè)試波形有著
    的頭像 發(fā)表于 09-06 11:04 ?441次閱讀

    碳化硅MOSFET的開(kāi)關(guān)尖峰問(wèn)題與TVS保護(hù)方案

    SiC MOSFET的開(kāi)關(guān)尖峰問(wèn)題,并介紹使用瞬態(tài)電壓抑制二極管(TVS)進(jìn)行保護(hù)的優(yōu)勢(shì)和上海雷卯電子提供的解決方案。 1. SiC MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程中的電壓尖峰 SiC MOSFET在快速開(kāi)關(guān)時(shí),由于其內(nèi)部寄生電容和電路寄生
    的頭像 發(fā)表于 08-15 17:17 ?4426次閱讀
    碳化硅MOSFET的開(kāi)關(guān)尖峰問(wèn)題與<b class='flag-5'>TVS</b>保護(hù)方案

    igbt功率管寄生電容怎么測(cè)量大小

    IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率器件。IGBT的寄生電容是指在IGBT內(nèi)部由于結(jié)構(gòu)原因產(chǎn)生的電容,這些電容會(huì)影響IGBT的開(kāi)關(guān)速度和性能。 一、IGBT寄生電容
    的頭像 發(fā)表于 08-07 17:49 ?1005次閱讀

    什么是TVS二極管

    高;壓敏電阻的寄生電容大,導(dǎo)通電阻也高,且低電壓的壓敏電阻漏電流大;而利用半導(dǎo)體工藝制作的TVS二極管具有漏電小、響應(yīng)速度、箝位電壓低的優(yōu)點(diǎn),本文介紹TVS二極管的特點(diǎn)和保護(hù)原理。
    的頭像 發(fā)表于 06-22 00:25 ?880次閱讀
    什么是<b class='flag-5'>TVS</b>二極管

    獨(dú)家揭秘:三極管電路基極和發(fā)射極為什么需要并聯(lián)電容?容值如何計(jì)算?

    核心的思路就是BE電容和BC寄生電容分壓要小于BE導(dǎo)通電壓,避免誤導(dǎo)通。
    的頭像 發(fā)表于 05-27 16:37 ?3.6w次閱讀
    獨(dú)家揭秘:三極管電路基極和發(fā)射極為什么需要并聯(lián)<b class='flag-5'>電容</b>?容值如何計(jì)算?

    怎樣減小分布電容對(duì)交流電橋平衡的干擾

    分布電容在交流電橋中可能引起測(cè)量誤差,尤其是在高頻應(yīng)用中,電路的寄生電容效應(yīng)更為顯著。
    的頭像 發(fā)表于 05-15 18:03 ?930次閱讀

    寄生電容器的基礎(chǔ)知識(shí)詳解

    電源紋波和瞬態(tài)規(guī)格會(huì)決定所需電容器的大小,同時(shí)也會(huì)限制電容器的寄生組成設(shè)置。
    的頭像 發(fā)表于 03-17 15:45 ?2.3w次閱讀
    <b class='flag-5'>寄生電容</b>器的基礎(chǔ)知識(shí)詳解

    寄生電感到底是什么?如何計(jì)算過(guò)孔的寄生電感?

    從式中可以看出:過(guò)孔的直徑對(duì)寄生電感的影響較小,而長(zhǎng)度才是影響寄生電感的關(guān)鍵因素。所以,在設(shè)計(jì)電路板時(shí),要盡量減小過(guò)孔的長(zhǎng)度,以提高電路的性能。
    的頭像 發(fā)表于 02-27 14:28 ?1660次閱讀

    詳解MOS管的寄生電感和寄生電容

    寄生電容寄生電感是指在電路中存在的非意圖的電容和電感元件。 它們通常是由于電路布局、線路長(zhǎng)度、器件之間的物理距離等因素引起的。
    的頭像 發(fā)表于 02-21 09:45 ?2710次閱讀
    詳解MOS管的<b class='flag-5'>寄生</b>電感和<b class='flag-5'>寄生電容</b>