淺談Flyback電源EE型與EI型磁芯在EMC方面的那點(diǎn)小細(xì)節(jié)

Flyback電源EE型與EI型磁芯在EMC方面的那點(diǎn)小細(xì)節(jié)

這個(gè)問(wèn)題說(shuō)簡(jiǎn)單也簡(jiǎn)單，說(shuō)不簡(jiǎn)單它也比較考驗(yàn)一個(gè)工程師的基礎(chǔ)扎實(shí)不扎實(shí)。這里面有些技術(shù)細(xì)節(jié)還是比較容易被忽視的。

這里我們不必牽扯到太多的磁芯材質(zhì)本身及制造上的問(wèn)題，關(guān)鍵看應(yīng)用上的細(xì)節(jié)區(qū)別，畢竟我們是應(yīng)用工程。

可能會(huì)有些網(wǎng)友認(rèn)為只要兩者的材質(zhì)，體積等參數(shù)一樣，處理功率能力一樣應(yīng)該是可以互換的使用的。但是，實(shí)際上不是這樣的，兩者的機(jī)構(gòu)決定了其在EMC方面的表現(xiàn)是不一樣的。

我們先來(lái)看一下EE型磁芯的反激變壓器結(jié)構(gòu)（為節(jié)省時(shí)間，就用畫圖隨手涂鴉一下，將就著看吧）：

眾所周知，F(xiàn)lyback拓?fù)渥儔浩魇切枰谥兄_(kāi)氣隙的，如上圖所示。磁芯開(kāi)氣隙后，顯然邊緣漏磁通會(huì)增大，假設(shè)磁通如黃色所示。搞過(guò)EMC的應(yīng)該都知道漏磁通的威力，此處不必多言。

然而，EE型磁芯有天生的優(yōu)勢(shì)，因?yàn)槠錃庀对谥兄虚g，氣隙外層有厚厚的繞組屏蔽。由于繞組自身的屏蔽作用，漏磁通輻射到外部空間的可能大大降低。

下面我們看一下EI磁芯的結(jié)構(gòu)：

如上圖可知，EI磁芯的氣隙要加載E片和I片的接觸位置，即氣隙位于邊緣處。這樣一來(lái)，繞組本身所起的屏蔽作用就大打折扣，甚至無(wú)能為力。

從兩張圖來(lái)看，這兩種結(jié)構(gòu)在EMC方面的表現(xiàn)就不言而喻了吧。

因此，本人設(shè)計(jì)電源時(shí)都避免選用氣隙會(huì)開(kāi)在邊緣處的磁芯型號(hào)。

編輯：jq