同步整流技術如何使電源開發(fā)人員的工作更輕松？

前 言

同步整流（SR）控制器能夠提高電源的轉換效率。本文將一起探討它們的優(yōu)勢以及它們如何使電源開發(fā)人員的工作更輕松。憑借出色的性能，寬帶隙（WBG）功率半導體-比如碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）-正在取代以往占主導地位的硅解決方案，這標志著市場的轉折。

許多應用場景，比如手機充電器，尤其得益于GaN技術的快速發(fā)展。GaN晶體管不僅提供了比硅晶體管更高的開關速度，而且還降低了大多數MOSFET必須應對的傳導損耗?？紤]到手機充電器AC/DC轉換所需的漏源電壓，650 VDS GaN晶體管顯然是一個比較好的解決方案。

因此，一些手機充電器制造商已經在使用GaN解決方案。與傳統(tǒng)充電器相比，這種充電器的尺寸可以減小一半。為了提高人們對節(jié)能和減緩氣候變化的意識，對高效率的要求變得日益重要。盡管GaN晶體管具有良好的開關性能，但是人們也因此希望能夠進一步提高功率轉換的效率。顯著提高效率的一種方法就是用同步整流（SR）代替無源整流器。本文介紹的SR控制器就是一種能夠提高效率的潛在解決方案。

關鍵數據“SR控制器提高電源效率”

基于寬帶隙半導體的電源因其較小的尺寸和良好的開關性能，而在各種充電解決方案中變得越來越受歡迎。但是，制造商還需要提高電源轉換效率。SR控制器是提高電源效率的一種潛在解決方案。它們具有許多優(yōu)點，能夠使實驗室的電源設計人員的工作變得更輕松。

更高的功率轉換效率

同步整流在提高功率轉換效率方面的優(yōu)勢如圖1所示。這里比較了兩個ROHM評估套件BM2P094FEVK-001和BM1R00147F的效率測試結果。結果顯示，相比次級側的二極管整流方案，基于SR MOSFET控制器的BM1R00147F同步整流解決方案優(yōu)勢要大得多。根據評估套件的規(guī)格（90V至264VAC），測試輸入電壓范圍采用了全球通用范圍。

BM2P094-001-EVK在不連續(xù)電流模式（DCM）下工作，輸出規(guī)格為5V和1A。在Vin = 100VAC的滿載條件下，二極管整流的功率轉換效率為74.76％，而SR控制器的功率轉換效率為81.07％。功率轉換效率提高了6.31％。而在Vin = 230V AC條件下，效率也提高了5.98％。

更高的充電功率

隨著充電電流的增大，小型電源（如手機、平板電腦和筆記本電腦充電器等）需要更高的額定功率。充電器以往的充電功率是5W（5V，1A）和10W（5V，2A），但是由于如今手機、平板電腦及其他外設的屏幕尺寸增大，市場要求實現(xiàn)30W快充。

如果增加充電功率，充電電流就會增加，這會造成若干狀況。充電電流較大時電源在連續(xù)電流模式（CCM）下工作，而充電電流較小時電源主要在不連續(xù)電流模式（DCM）下工作。對于整流二極管來說，這意味著負載會因硬開關而增加。借助ROHM SR控制IC的控制特性，可以將這種額外的負載降至更低。在CCM模式下，整個電路的效率通常更高。另外，由于二極管整流器電流越大，其損耗就越高，因此相比之下同步整流方式更具優(yōu)勢。

為了盡可能有效地滿足市場需求，ROHM開發(fā)了單通道和雙通道同步MOSFET控制器（圖2）。BD1R001xxF內置有兩枚芯片。BD87007FJ（一個通道）和BD85006F（兩個通道）內置有一枚芯片，可以實現(xiàn)兩種功能：SR控制器和并聯(lián)穩(wěn)壓器。這些器件的封裝類型和規(guī)格概覽參見圖3。下文將介紹這些控制器的部分功能。

圖2

ROHM的單通道和雙通道同步MOSFET控制器通過高效率滿足市場需求

（圖片來源：ROHM）

圖3

同步MOSFET控制器的參數概覽

（圖片來源：ROHM）

設置強制OFF時間

與CCM模式相比，MOSFET解決方案中DCM模式下的漏源電流會提前截止，而MOSFET還需要延遲一段時間才能關斷。當次級側MOSFET關斷時，變壓器繞組、MOSFET的寄生電容和輸出電容會產生諧振。為了防止這種諧振（可能會導致漏極有所響應，從而意外激活柵極），設計人員應設置一個屏蔽時間。

ROHM SR系列的強制OFF時間可實現(xiàn)一個屏蔽時間—從柵極未啟動開始到次級側MOSFET的漏極響應。憑借強制OFF時間，BM1R001xxF系列可用于各種電源。開發(fā)人員可以通過漏極引腳上的外部電阻手動設置強制OFF時間。該時間的設計必須短于初級側控制器開關頻率（從次級側MOSFET TON中減去該開關時間）

設置最大TON時間

在連續(xù)電流模式（CCM）下，下一個開關周期會在前一個開關周期仍處于活動狀態(tài)時開始，因此MOSFET會經歷一個行為突變。因此，強烈建議在使用二極管整流方案時采用超快速恢復二極管。SR控制器的MOSFET設有具有恢復延遲時間功能的柵極引腳。這將允許電流同時流過初級側開關和次級側MOSFET，除非未指定合理的延遲時間。

BM1R001xxF在Vout x 1.4處開始計算漏極電壓的上升沿，而控制器會在一個設計時間（通過外部Max_Ton電阻設定）后關閉。如圖5所示，開發(fā)人員必須使Max_Ton始終短于初級側控制器的開關頻率。Max_Ton電阻的設置范圍應為56k至300k。當Max_Ton接近10 μsec（RTon = 100kΩ）時，精度會提高。

電流消耗減少90%的內置并聯(lián)穩(wěn)壓器

為了調節(jié)輸出級的電壓，需要一個并聯(lián)穩(wěn)壓器作為電壓參考。為了用電阻維持所需的電壓，需要使并聯(lián)電流流過并聯(lián)穩(wěn)壓器。BM1R001xxF系列包含一個內置并聯(lián)穩(wěn)壓器，與典型的并聯(lián)穩(wěn)壓器相比，它僅消耗十分之一的電流。這不僅簡化了設計，而且還降低了待機模式下并聯(lián)控制器的電流消耗。

此外，芯片內部的并聯(lián)穩(wěn)壓器與SR控制器是分開的。如果用在H側，那么可以將并聯(lián)穩(wěn)壓器的接地用作H側的接地。如果不用內部并聯(lián)穩(wěn)壓器，則引腳“SH_IN、SH_OUT和SH_GND”保持未使用狀態(tài)即可。針對在外部使用并聯(lián)穩(wěn)壓器的應用場景，ROHM還開發(fā)了BD87007FJ。BD87007FJ的并聯(lián)電流明顯低于BM1R001xxF系列。

用于LLC拓撲的

雙通道SR MOSFET控制器

當啟動和輸出級不穩(wěn)定時，LLC電路容易進入電容模式。如果電流峰值夠大，那么在最壞的情況下會損壞MOSFET。ROHM針對LLC拓撲設計的雙通道同步整流MOSFET控制器BD85506F配備了一個慢啟動功能。在電容模式下，IC在啟動階段后不再工作，但是SS引腳會被充電。當SS引腳上的電壓高于0.5V時，慢啟動功能被啟用，IC開始工作。

利用輸入開路保護MOSFET

如果控制器的輸出和柵極之間存在不連續(xù)的情況，那么MOSFET將無法打開，且電流會流過體二極管，從而導致MOSFET過熱。而BD85506F則配備了一個引腳開路保護功能。如果開路狀態(tài)持續(xù)時間超過2ms，系統(tǒng)會通過一個光電耦合器減小BD85506F SH_out引腳上的電流。這會讓初級側控制器停止工作。

結論

ROHM的SR控制器旨在提供易于集成的同步整流解決方案。該SR控制器能夠支持本文介紹的許多功能，并且只需要很少的外部組件。因此，ROHM的SR控制器在CCM和DCM模式下都能實現(xiàn)高性能的同步整流解決方案。SR-IC的其他可選型號還內置有并聯(lián)穩(wěn)壓器，不僅具有靈活的接地參考，待機功耗也非常低。

原文標題：ROHM借助更合適的同步整流技術滿足市場需求

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責任編輯：haq