中芯國際不用EUV光刻就攻克了類7nm工藝
做為國內(nèi)最大也是最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造公司，中芯國際在先進(jìn)工藝上的進(jìn)展引人關(guān)注，其中7nm及以下節(jié)點(diǎn)非常重要，這還牽涉到EUV光刻機(jī)。
日前有股民在互動平臺上詢問，稱有報道指出中芯國際不用EUV光刻就攻克了類7nm工藝，要求中芯國際澄清。
對此，中芯國際表示，公司不針對傳言進(jìn)行評論。
從中芯國際官網(wǎng)的介紹來看，該公司提到的最先進(jìn)工藝還是14nm，接下來的是N+1、N+2工藝，但沒有指明具體的工藝節(jié)點(diǎn)。
中芯國際聯(lián)合CEO趙海軍曾表示，經(jīng)過三年的積累，F(xiàn)inFET工藝已經(jīng)取得了不錯的成績，N+1已經(jīng)進(jìn)入了風(fēng)險量產(chǎn)，但是在外部因素的影響下，去年四季度起FinFET的產(chǎn)能利用率不足，爬坡需要時間，營收奉獻(xiàn)尚未達(dá)到預(yù)期水準(zhǔn)，折舊又對公司整體的盈利造成了負(fù)擔(dān)。
責(zé)任編輯：lq
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
334文章
27367瀏覽量
218754 -
中芯國際
+關(guān)注
關(guān)注
27文章
1418瀏覽量
65355 -
光刻機(jī)
+關(guān)注
關(guān)注
31文章
1150瀏覽量
47404
原文標(biāo)題：不用EUV光刻機(jī)就搞定類7nm工藝？中芯國際回應(yīng)
文章出處：【微信號：CSF211ic，微信公眾號：中國半導(dǎo)體論壇】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
光刻機(jī)巨頭ASML業(yè)績暴雷，芯片迎來新一輪“寒流”？
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）作為芯片制造過程中的核心設(shè)備，光刻機(jī)決定著芯片工藝的制程。尤其是EUV光刻機(jī)已經(jīng)成為高端芯片（
日本首臺EUV光刻機(jī)就位
本月底完成。 Rapidus 計劃 2025 年春季使用最先進(jìn)的 2 納米工藝開發(fā)原型芯片，于 2027 年開始大規(guī)模生產(chǎn)芯片。 EUV 機(jī)器結(jié)合了特殊光源、鏡頭和其他技術(shù)，可形成超精細(xì)電路圖案。該系統(tǒng)體積小，不易受到振動和其他
今日看點(diǎn)丨 傳蘋果2025年采用自研Wi-Fi芯片 臺積電7nm制造；富士膠片開始銷售用于半導(dǎo)體EUV光刻的材料
半年的新產(chǎn)品（例如iPhone 17）計劃采用自家的Wi-Fi芯片，采用臺積電N7（7nm）工藝制造，支持最新的Wi-Fi 7規(guī)格。蘋果預(yù)計在三年
發(fā)表于 11-01 10:57
?810次閱讀
今日看點(diǎn)丨 2011億元!比亞迪單季營收首次超過特斯拉；三星將于2025年初引進(jìn)High NA EUV光刻機(jī)
1. 三星將于2025 年初引進(jìn)High NA EUV 光刻機(jī)，加快開發(fā)1nm 芯片 ? 據(jù)報道，三星電子正準(zhǔn)備在2025年初引入其首款High NA EUV（極紫外）
發(fā)表于 10-31 10:56
?813次閱讀
簡述光刻工藝的三個主要步驟
“ 光刻作為半導(dǎo)體中的關(guān)鍵工藝，其中包括3大步驟的工藝：涂膠、曝光、顯影。三個步驟有一個異常，整個光刻工藝都需要返工處理，因此現(xiàn)場異常的處理
所謂的7nm芯片上沒有一個圖形是7nm的
最近網(wǎng)上因?yàn)?b class='flag-5'>光刻機(jī)的事情，網(wǎng)上又是一陣熱鬧。好多人又開始討論起28nm/7nm的事情了有意無意之間，我也看了不少網(wǎng)上關(guān)于國產(chǎn)自主7nm
光刻工藝的基本知識
在萬物互聯(lián)，AI革命興起的今天，半導(dǎo)體芯片已成為推動現(xiàn)代社會進(jìn)步的心臟。而光刻(Lithography)技術(shù)，作為先進(jìn)制造中最為精細(xì)和關(guān)鍵的工藝，不管是半導(dǎo)體芯片、MEMS器件，還是微納光學(xué)元件都離不開光刻工藝的參與，其重要性不
日本大學(xué)研發(fā)出新極紫外(EUV)光刻技術(shù)
近日，日本沖繩科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)（OIST）發(fā)布了一項(xiàng)重大研究報告，宣布該校成功研發(fā)出一種突破性的極紫外（EUV）光刻技術(shù)。這一創(chuàng)新技術(shù)超越了當(dāng)前半導(dǎo)體制造業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)界限，其設(shè)計的光刻設(shè)
Rapidus對首代工藝中0.33NA EUV解決方案表示滿意，未采用高NA EUV光刻機(jī)
在全球四大先進(jìn)制程代工巨頭（包括臺積電、三星電子、英特爾以及Rapidus）中，只有英特爾明確表示將使用High NA EUV光刻機(jī)進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。
臺積電A16制程采用EUV光刻機(jī)，2026年下半年量產(chǎn)
據(jù)臺灣業(yè)內(nèi)人士透露，臺積電并未為A16制程配備高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV光刻機(jī)，而選擇利用現(xiàn)有的EUV光刻機(jī)進(jìn)行生產(chǎn)。相較之下，英特爾和三星則計劃在此階段使用最新的High-N
存內(nèi)計算——助力實(shí)現(xiàn)28nm等效7nm功效
可重構(gòu)芯片嘗試在芯片內(nèi)布設(shè)可編程的計算資源，根據(jù)計算任務(wù)的數(shù)據(jù)流特點(diǎn)，動態(tài)構(gòu)造出最適合的計算架構(gòu)，國內(nèi)團(tuán)隊設(shè)計并在12nm工藝下制造的CGRA芯片，已經(jīng)在標(biāo)準(zhǔn)測試集上實(shí)現(xiàn)了和7nm的G
光刻機(jī)的發(fā)展歷程及工藝流程
光刻機(jī)經(jīng)歷了5代產(chǎn)品發(fā)展，每次改進(jìn)和創(chuàng)新都顯著提升了光刻機(jī)所能實(shí)現(xiàn)的最小工藝節(jié)點(diǎn)。按照使用光源依次從g-line、i-line發(fā)展到KrF、ArF和
發(fā)表于 03-21 11:31
?6304次閱讀
2024年全球與中國7nm智能座艙芯片行業(yè)總體規(guī)模、主要企業(yè)國內(nèi)外市場占有率及排名
影響因素
1.5.4 進(jìn)入行業(yè)壁壘
**2 **國內(nèi)外市場占有率及排名
2.1 全球市場，近三年7nm智能座艙芯片主要企業(yè)占有率及排名（按銷量）
2.1.1 近三年7nm智能座艙芯片主要企業(yè)在國際
發(fā)表于 03-16 14:52
Ethernovia推出全球首款采用7nm工藝的汽車PHY收發(fā)器系列樣品
硅谷初創(chuàng)企業(yè) Ethernovia宣布推出全球首款采用 7nm 工藝的單端口和四端口 10G 至 1G 汽車 PHY 收發(fā)器系列樣品，將在汽車領(lǐng)域帶來巨大變革，滿足軟件定義車輛 (SDV) 不斷增長的帶寬需求
ASML 首臺新款 EUV 光刻機(jī) Twinscan NXE:3800E 完成安裝
EUV 光刻機(jī)持續(xù)更新升級，未來目標(biāo)在 2025 年推出 NXE:4000F 機(jī)型。 上兩代 NXE 系列機(jī)型 3400C 和 3600D 分別適合 7~5、5~3 納米節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)，德媒 ComputerBase 因此預(yù)測 38
工商網(wǎng)監(jiān)
評論