DC充電系統(tǒng)架構及主要適用的ST產(chǎn)品介紹

預計到2027年，全球電動汽車充電站市場規(guī)模將從2020年估計的2，115，000個成長至30，758，000個，復合年均成長率高達46.6%。該報告的基準年為2019年，預測期為2020年至2027年。從地理位置來看，亞太地區(qū)（尤其是中國）電動汽車銷量的迅速成長推動了全球電動汽車充電站市場的成長。預測期間內(nèi)歐洲有望成為第二大市場。

有鑒于30分鐘內(nèi)即可將電動汽車快速充滿的便利性，3級充電（即DC快速充電）的成長速度最快。意法半導體（ST）產(chǎn)品可支持此一市場／應用。將在以下章節(jié)中介紹主要系統(tǒng)架構以及主要適用的意法半導體產(chǎn)品。

架構與ST產(chǎn)品

DC快速充電站的功率范圍為30-150kW，該技術采用15-30 kW子單元的模塊化方法（圖一），并透過將子單元堆棧來形成功率更高的DC充電系統(tǒng)。該方法提供了一種彈性、快速、安全且實惠的解決方案。

ST產(chǎn)品涵蓋了每個子單元（圖二）中所包含的主功率和控制單元/驅動級。

圖一 ： 充電站子單元可堆棧解決方案

對于功率級（PFC + DC-DC部分），設計效率為關鍵，對于功率范圍為15-30kW的子單元，ST為PFC、DC-DC和控制單元／驅動級提供合適且高效的智能產(chǎn)品，如下所述。

PFC級

對于3相輸入，功率因子校正（PFC）級可透過幾種配置來實現(xiàn)，并通常使用Vienna整流器拓撲（圖三，類型1或類型2）。

圖二 ： 子單元架構圖

圖三 ： PFC Vienna整流器拓撲

根據(jù)設計和/或客戶需求，意法半導體提供多種開關（圖三，組件T）：

? 第二代SiC MOSFET@內(nèi)文：（650V系列SCT*N65G2）基于寬能隙材料的先進性和創(chuàng)新性，藉由單位面積極低的導通電阻以及出色的開關性能，可達到高效且高率配置緊密的設計。特別是，具有18mΩ RDS（on）的4腳位SCTW90N65G2V-4可在100℃下輕松處理90 A的漏極電流。

? IGBT HB2系列@內(nèi)文：（650V系列STGW*H65DFB2）可在中至高頻率下運作的應用中確保更高的效率。結合較低的飽和電壓（1.55 V典型值）和較低的總閘極電荷，該IGBT系列可確保應用在關斷期間具有最低的過沖電壓并具有較低的關斷耗能。特別是，受益于將電源路徑與驅動訊號隔開的Kelvin腳位，STGW40H65DFB-4可實現(xiàn)更快的開關。

? 功率MOSFET MDMesh M5系列@內(nèi)文：（650V系列，STW*N65M5）采用創(chuàng)新的垂直制程，具有更高的VDSS額定值和高dv/dt性能、出色的導通電阻 x面積以及卓越的開關性能。

在輸入級中，可透過以下組件來控制浪涌電流：

? SCR閘流體@內(nèi)文：TN*50H-12WY（圖三，Vienna 1，組件DA）是一款經(jīng)AEC-Q101認證的整流器，具有優(yōu)化的功率密度和抗浪涌電流能力，可實現(xiàn)1200V的阻斷能力，就可避免使用限制系統(tǒng)效率與壽命的無源組件。

? 輸入橋整流器@內(nèi)文：STBR*12 1200系列（圖三，Vienna1，組件DB）具有低正向壓降，可提升輸入橋的效率，并符合最嚴苛的標準。該產(chǎn)品適用于混合橋配置以及ST的SCR閘流體。

就二極管而言，新型SiC二極管650/1200V系列拓撲結合了最低的正向電壓與最先進的正向浪涌電流穩(wěn)健性。設計人員可以選擇低額定電流二極管而不犧牲轉換器的效率，同時提升高性能系統(tǒng)的經(jīng)濟效益。

? Vienna 1型為650V（STPSC*H65）（圖三，組件DC）

? Vienna 2型為1200V（STPSC*H12）（圖三，組件D）

DC-DC級

在DC/DC轉換級中，由于其效率、電流隔離和較少的組件，全橋諧振拓撲（圖四）通常為首選。

圖四 ： FB-LLC諧振拓補

對于Vout= 750-900V的3相PFC轉換器以及400V-800V的高壓電池，ST為FB-LLC諧振轉換器提供：

? 第二代SiC MOSFET 1200V系列SCT*N120G2（圖四，組件T）

? SiC二極管1200V STPSC*H12（圖四，組件D）

控制單元與驅動級

根據(jù)設計需求，ST提供MCU和數(shù)字控制器：

? 最適合功率管理應用的32位微控制器為STM32F334（來自STM32F3系列）和STM32G474（來自STM32G4系列）。STM32F3 MCU系列結合使用了運作頻率為72 MHz的32位Arm Cortex-M4內(nèi)核心（采用FPU和DSP指令）、高分辨率定時器、復雜波形生成器及事件處理器。運作頻率為170 MHz的STM32G4系列32位Arm Cortex-M4+內(nèi)核心為STM32F3系列的延續(xù)，其在應用方面降低了成本、簡化了應用設計并為設計人員提供了探索新的細分領域和應用的機會，從而在模擬技術方面保持領先地位。

? STNRG388A數(shù)字控制器的核心為狀態(tài)機事件驅動（SMED），它使組件能夠采用最高分辨率為1.3 ns的六個可獨立配置的PWM頻率。每個SMED均可以透過STNRG內(nèi)部微控制器來配置。一組專用外部周邊完善了STNRG組件：4個模擬比較器、具有可配置運算放大器和8信道序列發(fā)生器的10位ADC以及可實現(xiàn)高輸出訊號分辨率的96 MHz 的鎖相環(huán)。

新型STGAP2SICS為設計用于驅動SiC MOSFET的6kV電流隔離單閘極驅動器。它具有4A灌/拉電流能力、短傳輸延時、高達26V的供電電壓、優(yōu)化的UVLO和待機功能以及SO8W封裝。

評估板

ST幾乎為所有應用均提供了合適的系統(tǒng)評估板，其可直接在最終系統(tǒng)或子系統(tǒng)上測試ST產(chǎn)品的功能。對于DC充電站，也提供一些評估板和相關固件。

STDES-VIENNARECT評估板（圖五（a））采用15 kW的三相Vienna整流器，該整流器支持功率因子校正（PFC）級的混合訊號控制。

SCTW35N65G2V 650V SiC MOSFET（70 kHz）的高開關頻率、STPSC20H12 1200V SiC二極管的采用以及多級結構可實現(xiàn)接近99%的效率，并能在尺寸與成本方面優(yōu)化無源功率組件。STEVAL-VIENNARECT采用混合訊號控制，并透過STNRG388A控制器進行數(shù)字輸出電壓調(diào)節(jié)。專用模擬電路提供高帶寬連續(xù)導通模式（CCM）電流調(diào)節(jié)，可在總諧波失真（THD《5%）和功率因子（PF>0.99）方面實現(xiàn)最高功率質量。

圖五 ： 瞄準DC充電站的PFC解決方案

STDES-PFCBIDIR評估板（圖五（b））在功率因子校正（PFC）級中采用15 kW、三相、三級有源前端（AFE）雙向轉換器。電源側采用SCTW40N120G2VAG 1200V SiC MOSFET，可確保高效率（接近99%）。控制STM32G4系列微控制器，并具有用于通訊的聯(lián)機器以及用于測試和調(diào)試的測試點與狀態(tài)指示器。開關組件的驅動訊號由對應的STGAP2S閘極驅動器來管理，以確保獨立管理開關頻率與死區(qū)時間。

STEVAL-DPSTPFC1 3.6 kW無橋圖騰柱升壓電路（圖五（c））透過數(shù)字浪涌電流限制器（ICL）來達到數(shù)位功率因子校正（PFC）。其有助于工程師透過以下最新的意法半導體功率套件來設計創(chuàng)新拓撲：碳化硅MOSFET（SCTW35N65G2V）、閘流體SCR（TN3050H-12WY）、隔離式FET驅動器（STGAP2S）和32位MCU（STM32F334）。
責任編輯:tzh