淺析嵌入式開發(fā)五種存儲方式

1ROM & RAM

ROM（Read Only Memory）

ROM在系統(tǒng)停止供電的時(shí)候仍然可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，如光盤CD-ROM，可以保存文件，且只能讀取。

RAM（Random Access Memory）

RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，如計(jì)算機(jī)的內(nèi)存條就是RAM，關(guān)機(jī)后內(nèi)存數(shù)據(jù)被自動清空。

2PROM & EPROM && EEROM

ROM又可分為幾類

PROM

可編程的ROM，但只能寫入一次（有點(diǎn)像光盤，只能刻錄一次），這種是早期的產(chǎn)品，現(xiàn)在已經(jīng)不用了。

EPROM

通過紫外光的照射擦出原先的程序，現(xiàn)在也不用了。

EEPROM

電可擦除，如學(xué)習(xí)單片機(jī)時(shí)用到的AT24C02芯片，大小為2K，用于保存少量掉電不丟失的數(shù)據(jù)，單片機(jī)通過IIC來讀寫這個(gè)EEPROM的內(nèi)容。

3SRAM & DRAM

RAM又可分為兩大類

SRAM（Static RAM）

SRAM即靜態(tài)RAM，讀寫速度非常快，但價(jià)格也較貴，用于CPU的一級緩沖，二級緩沖。

單片機(jī)中也有SRAM，如STM32F103VET6具有64K的SRAM，用于程序運(yùn)行時(shí)變量、堆棧的暫存等，另外，還可通過FSMC接口來擴(kuò)展外部SRAM，如1M字節(jié)的IS62WV51216外部SRAM芯片，用于需要大量數(shù)據(jù)計(jì)算的場合（跑算法、GUI）。

DRAM（Dynamic RAM）

即動態(tài)RAM，保留數(shù)據(jù)的時(shí)間很短，速度也比SRAM慢（但比任何的ROM快），計(jì)算機(jī)內(nèi)存就是DRAM。

DRAM分為很多種，常見的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等。

SDRAM（Synchronous Dynamic RAM）

同步動態(tài)隨機(jī)存儲器，主要不要誤以為它是上面兩種的組合！同步指存儲器工作需要同步時(shí)鐘，動態(tài)指刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失，隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲，而是自由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫。

DDR RAM

計(jì)算機(jī)內(nèi)存條常說的DDR3、DDR4。

4NAND Flash & NOR Flash

FLASH存儲器又稱閃存，它結(jié)合了ROM和RAM的長處，不僅具有電可擦除可編程（EEPROM）的功能，還不會斷電丟失數(shù)據(jù)，同時(shí)可以快速讀取數(shù)據(jù)（NVRAM的優(yōu)勢），U盤使用這種存儲器。

Flash

如單片機(jī)中的flash，就是用于保存程序，如STM32F103VET6具有512K的Flash。

單片機(jī)還可以外接Flash，如W25Q128，16M大小，可用于保存圖片等較大的數(shù)據(jù)，單片機(jī)通過SPI來讀寫其內(nèi)容。

NOR Flash

它的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣，用戶可以直接運(yùn)行裝載在NOR FLASH里面的代碼，這樣可以減少SRAM的容量從而節(jié)約了成本。

NOR的特點(diǎn)是應(yīng)用簡單、無需專門的接口電路、傳輸效率高，它是屬于芯片內(nèi)執(zhí)行（XIP， eXecute In Place），這樣應(yīng)用程序可以直接在（NOR型）flash閃存內(nèi)運(yùn)行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。在1～4MB的小容量時(shí)具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。

NAND Flash

NANDFlash的存儲容量比NORFlash大，如K9F1208U08為64M。它沒有采取內(nèi)存的隨機(jī)讀取技術(shù)，而是以一次讀取一塊的形式來進(jìn)行的，通常是一次讀取512個(gè)字節(jié)，采用這種技術(shù)的Flash比較廉價(jià)。用戶不能直接運(yùn)行NAND Flash上的代碼，因此好多使用NAND Flash的開發(fā)板除了使用NAND Flah以外，還配了一塊小的NOR Flash來運(yùn)行啟動代碼。

NAND結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度，可以達(dá)到高存儲密度，并且寫入和擦除的速度也很快。應(yīng)用NAND的困難在于flash的管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。

兩者對比

NOR Flash的讀取速度比NAND稍快一些。

NAND Flash的寫入速度比NOR快很多。

NAND Flash的4ms擦除速度遠(yuǎn)比NOR的5s快。

NAND Flash擦除單元更小，相應(yīng)的擦除電路更少。

NOR Flash帶有SRAM接口，有足夠的地址引腳來尋址，可以很容易的存取其內(nèi)部的每一字節(jié)。

NAND Flash使用復(fù)雜的I/O口串行存取數(shù)據(jù)，8個(gè)引腳用來傳送控制、地址和數(shù)據(jù)信息，時(shí)序較復(fù)雜。

NOR Flash一般容量較小，工藝較復(fù)雜，所以成本較高。

NAND Flash的生產(chǎn)工較為簡單，因此其容量較大，價(jià)格更低。

5eMMC

eMMC （Embedded Multi Media Card），即嵌入式多媒體卡，是MMC協(xié)會訂立、主要針對手機(jī)或平板電腦等產(chǎn)品的內(nèi)嵌式存儲器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。eMMC由Nand flash、Nand flash控制器以及標(biāo)準(zhǔn)接口封裝組成。
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