賽微電子公告稱，與青州政府簽訂了《合作協(xié)議》

山東“造芯”及相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展如火如荼，賽微電子在青島、濰坊均有布局。

4月1日晚間，賽微電子公告稱，與青州政府簽訂了《合作協(xié)議》，擬投資10億元建設聚能國際6-8英寸硅基氮化鎵功率器件半導體制造項目，濰坊市青州市歡迎該GaN制造項目在當?shù)赝顿Y建設并提供全方位支持。

賽微電子表示，該公司GaN(氮化鎵)業(yè)務市場需求旺盛、自主研制產(chǎn)品性能優(yōu)異，但卻嚴重受制于外部不可控產(chǎn)能。因此，該公司GaN業(yè)務的進一步發(fā)展急需自主可控產(chǎn)能的保障。此次與青州市人民政府簽署《合作協(xié)議》共同推進6-8英寸GaN芯片晶圓制造項目的建設，已經(jīng)鎖定成套熱線設備、目標是在2021年內(nèi)建成并做好投產(chǎn)準備，有利于公司進一步完善GaN業(yè)務的全產(chǎn)業(yè)鏈IDM(垂直整合制造)布局。

據(jù)披露，該項目的總占地面積30畝，一期建成投產(chǎn)后將形成6-8英寸GaN芯片晶圓5000片/月的生產(chǎn)能力，二期建成投產(chǎn)后將形成6-8英寸GaN芯片晶圓12000片/月的生產(chǎn)能力，可為全球GaN產(chǎn)品客戶的旺盛需求提供成熟的技術(shù)支持和產(chǎn)能保障。

項目建設周期方面，一期計劃建設周期為9個月，2021年年底前做好投產(chǎn)前準備，2022年上半年投入生產(chǎn)，一期產(chǎn)能投產(chǎn)達效后預計可新增年銷售收入5億元，利稅8000萬元。

青州政府對該項目給出大力支持。一方面，根據(jù)濰政辦發(fā)(2019)8號文件規(guī)定，在項目投產(chǎn)運營并認定后5年內(nèi)，上繳地方稅收的剩余部分全部補助給賽微電子。另一方面，該項目的研發(fā)中心大樓裝修、廠區(qū)整理、新建其他設施等由賽微電子負責，投資形成的資產(chǎn)，產(chǎn)權(quán)歸其所有。

公開資料顯示，賽微電子以傳感終端應用為起點，通過內(nèi)生發(fā)展及外延并購成功將業(yè)務向產(chǎn)業(yè)鏈上游延伸拓展，且MEMS工藝開發(fā)及晶圓制造已逐漸成為公司的主要業(yè)務。目前，該公司現(xiàn)有MEMS業(yè)務包括工藝開發(fā)和晶圓制造兩大類。

賽微電子已經(jīng)披露2020年年報，主要指標表現(xiàn)良好，凈利潤超2億元，但扣非凈利潤指標出現(xiàn)較大幅度的下滑，僅550余萬元。

報告期內(nèi)，賽微電子實現(xiàn)營業(yè)收入76500.61萬元，較上年增長6.55%；實現(xiàn)營業(yè)利潤24156.41萬元，較上年增長69.95%；實現(xiàn)利潤總額24002.83萬元，較上年增長68.79%；實現(xiàn)凈利潤18740.40萬元，較上年增長77.88%；實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤20109.69萬元，較上年增長74.20%；歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤557.02萬元，較上年下降90.97%。

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