設(shè)計工程師在設(shè)計開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器時,通常會根據(jù)產(chǎn)品規(guī)定的最大輸出功率條件來設(shè)計散熱方案。例如,功率50W的轉(zhuǎn)換器必須具備足夠的散熱能力,才能在啟動后在最低輸入線路電壓及最高環(huán)境溫度條件下迅即持續(xù)提供50W功率。
然而,某些應(yīng)用并非從電源汲取恒定功率。例如,當(dāng)打印機(jī)的打印頭處于工作狀態(tài)或處理打印紙時,打印機(jī)以脈沖方式消耗功率。在此特殊案例中,轉(zhuǎn)換器的散熱設(shè)計并非針對處理峰值功率,而是要小得多的平均功率。
反激電源轉(zhuǎn)換器
輸出功率小于70W的低功率轉(zhuǎn)換器通常使用反激拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),因為此拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):a) 在多路輸出應(yīng)用中提供良好的互穩(wěn)壓(cross-regulation)性能;b) 能夠采用寬輸入電壓范圍(90-264Vac)工作,且不需要功率因數(shù)校正(PFC)預(yù)轉(zhuǎn)換器;c) 提供極低能耗待機(jī)模式。變壓器提供與交流主電源的隔離,并存儲初級端能量,然后在開關(guān)切斷事件期間將能量轉(zhuǎn)移至次級端。此簡單技術(shù)每路輸出電壓使用1顆功率MOSFET開關(guān)和1個二極管來限制外圍元件。
假定上述原則對所有反激轉(zhuǎn)換器而言都很適用,我們接下來就要分析多種不同反激轉(zhuǎn)換器的各自優(yōu)缺點(diǎn)。
固定頻率脈寬調(diào)制(PWM)反激轉(zhuǎn)換器很可能是當(dāng)今最常見的架構(gòu)。由內(nèi)部時鐘驅(qū)動的開關(guān)頻率可供選擇,從而使轉(zhuǎn)換器產(chǎn)生的電磁干擾(EMI)遠(yuǎn)離關(guān)鍵頻率范圍。穩(wěn)壓回路確定功率開關(guān)的導(dǎo)電時間,并且控制轉(zhuǎn)換器存儲/傳輸?shù)哪芰?。此類轉(zhuǎn)換器能以連續(xù)導(dǎo)電模式(CCM)工作,存儲在變壓器中的能量在關(guān)閉時間的末段并未完全傳輸至次級端電容。在下一個周期出現(xiàn)時變壓器仍然保持磁化狀態(tài)。此模式提供梯形初級電流波形(而非三角波形),以有限的均方根(rms)電流提供更高的輸出功率。由于采用CCM工作,變壓器的設(shè)計可以采用更大的初級電感,從而提升低功率/待機(jī)模式下的能效數(shù)值。
另一常見版本是準(zhǔn)諧振(QR)類型,提供所謂的谷底開關(guān)導(dǎo)通:功率MOSFET在漏極-源極電壓(VDS)的谷底(最小值)導(dǎo)通。此技術(shù)與硬開關(guān)(hard switching)版本技術(shù)相比,提供更佳的EMI性能。此類轉(zhuǎn)換器的開關(guān)損耗降低了,但也強(qiáng)制要求降低開關(guān)頻率,從而傳遞峰值功率,同時維持完整的變壓器退磁(demagnetization)。此更低工作頻率要求的開關(guān)周期所存儲的能量越多,要求變壓器的尺寸就越大(及成本越高),使初級MOSET及次級端二極管均承受高峰值電流。
第三類是遲滯轉(zhuǎn)換器。此類轉(zhuǎn)換器通過調(diào)制開關(guān)頻率來提供所要求的能量(要傳輸更多電能則頻率更高),確保以凍結(jié)的(frozen)初級峰值電流傳輸電能。就像PWM技術(shù)一樣,此方案并不控制功率MOSFET開關(guān)事件,不能提供谷底開關(guān)工作(以最低谷底調(diào)節(jié)開關(guān),降低開關(guān)損耗)。
本文探討的主題是準(zhǔn)諧振反激轉(zhuǎn)換器的峰值功率能力。我們將具體分析此類轉(zhuǎn)換器的特性,特別是它如何處理峰值功率要求。
高峰值功率準(zhǔn)諧振反激轉(zhuǎn)換器的具體特性
與傳統(tǒng)PWM轉(zhuǎn)換器不同,此類轉(zhuǎn)換器采用可變工作頻率工作,恰好在漏極-源極電壓處于最低值(見圖1)的時間點(diǎn)導(dǎo)通MOSFET。此轉(zhuǎn)換器自然地減少電磁干擾及降低開關(guān)損耗。
圖1:采用最低電壓開關(guān)工作的準(zhǔn)諧振反激轉(zhuǎn)換器的典型漏極-源極電壓波形。
為了保持谷底開關(guān)工作,在低輸出功率情況下,導(dǎo)通時間縮短意味著開關(guān)頻率更高,反過來也要求更短導(dǎo)通時間(諸如此類),從而逐周期限制從初級端傳輸?shù)酱渭壎说哪芰?,令其低于所要求的限制值?/p>
為了限制開關(guān)頻率漂移,業(yè)界已經(jīng)開發(fā)出鉗位控制最低導(dǎo)通時間及最大開關(guān)頻率的新方案。為了保持準(zhǔn)諧振工作,同時確保最低漏極-源極電壓開關(guān),創(chuàng)新的谷底鎖定(valley-lockout)方案已被開發(fā)出來。它能工作至第4個谷底,然后切換至可變頻率模式,即壓控振蕩器(VCO)模式(見圖2)。此方案確保提供極佳的輕載/待機(jī)能耗性能,就像安森美半導(dǎo)體的NCP1379/1380所展示的那樣。
圖2:以谷底開關(guān)及谷底鎖定工作的準(zhǔn)諧振反激轉(zhuǎn)換器的漏極-源極電壓波形(從第1個谷底逐漸轉(zhuǎn)移至第4個谷底,然后是VCO模式,這期間轉(zhuǎn)換器傳輸?shù)哪芰繙p少)。
這種能量傳輸方法看上去不錯,但不利的是,在需要更高峰值功率時就出現(xiàn)問題了。為了逐周期增加傳輸?shù)哪芰?,初級電流?yīng)當(dāng)更大,相應(yīng)地具備更長的導(dǎo)通時間。次級端二極管的導(dǎo)電時間也延長,迫使控制器減小開關(guān)頻率,從而確保變壓器完全退磁。雖然頻率更低,但每周期的能量應(yīng)當(dāng)增加,迫使開關(guān)頻率進(jìn)一步降低。確保變壓器完全退磁所需的此“雙重”效應(yīng)將迫使轉(zhuǎn)換器大幅降低頻率,接受峰值功率上升。因此,變壓器的設(shè)計應(yīng)當(dāng)可以接受更高能量,且這些能量逐周期存儲:這就需要更大尺寸的變壓器,配合采用高峰值功率工作的準(zhǔn)諧振反激轉(zhuǎn)換器。
如果上述特性在高功率期間滋生問題,那么在次級端輸出對地電平短路的情況下,此問題就變成了自然的優(yōu)勢。在出現(xiàn)短路的情況下,退磁將經(jīng)歷更長的時間,確保頻率極低,因而減少電能的傳輸。由于此工作模式,安全性也大幅提升。一旦次級端輸出電壓重新上升(如在消除短路的情況下),開關(guān)頻率將立即上升。
70W輸出功率設(shè)計的準(zhǔn)諧振反激轉(zhuǎn)換器峰值功率及示波器波形捕獲結(jié)果
綠色跡線:MOSFET電流 ID(t),0.5 A/div,
黃色跡線:MOSFET電壓VDS(t),100 V/div,
時間= 5 μs/div
圖3:中等功率準(zhǔn)諧振反激轉(zhuǎn)換器
測試條件:電源電壓395Vdc,輸出功率POut = 40W
IDmax = 1.75A @45kHz,由于采用了NCP1379的谷底鎖定技術(shù),在第3個谷底開關(guān)。
VDS,max = 640V
圖4:大功率準(zhǔn)諧振反激轉(zhuǎn)換器
測試條件:電源電壓395Vdc,輸出功率POut = 62.5W
IDmax = 2.4A@45kHz,采用經(jīng)典準(zhǔn)諧振模式,在第1個谷底開關(guān)
VDS,max = 680V
圖5:峰值功率準(zhǔn)諧振反激轉(zhuǎn)換器
測試條件:電源電壓395Vdc,輸出功率POut = 75W
IDmax = 2.8A (最低至38.5kHz的更低頻率條件下,從而提供更高初級電流及傳輸更多電能)。在變壓器飽和條件下,此電流低于3A。
VDS,max = 720V (低于MOSFET的800V限制值)
上述示波器屏幕截圖確定了功率最高70W、開關(guān)頻率最低39kHz的準(zhǔn)諧振反激設(shè)計的功率能力。
提供更高峰值功率的新方案
我們想定義一種新的電源轉(zhuǎn)換方案,此方案提供更高峰值功率能力,不含尺寸過大的元器件,同時保持準(zhǔn)諧振工作反激轉(zhuǎn)換器的優(yōu)勢。
a) 在額定/平均功率條件下保持準(zhǔn)諧振的低EMI及更低開關(guān)損耗的優(yōu)勢
b) 在大功率條件下使用連續(xù)導(dǎo)電模式(CCM),避免頻率降低及變壓器尺寸較大/過大
c) 保持準(zhǔn)諧振輸出短路特性和極佳的固有安全性
帶連續(xù)導(dǎo)電模式的更高峰值功率準(zhǔn)諧振反激轉(zhuǎn)換器
NPC1380的零電流檢測(ZCD)電路的工作原理如圖6所示:在輔助繞組電壓施加于ZCD輸入的條件下,此控制器能夠控制能量傳輸?shù)慕K結(jié)。增添的二極管D203和電阻R206用于MOSFET導(dǎo)通期間NCP1379的過功率補(bǔ)償(OPP)功能。
圖6:連續(xù)導(dǎo)電模式準(zhǔn)諧振反激轉(zhuǎn)換器的原理
應(yīng)當(dāng)修改此電路,從而在出現(xiàn)高峰值功率需求的情況下支持CCM工作。為了避免在規(guī)定的功率等級變壓器完全退磁(例如傳輸時間長于給定值),電路中增加了額外晶體管,如圖6中的Q206所示。此晶體管的存在迫使ZCD在還沒有出現(xiàn)變壓器完全退磁的情況下重啟控制器。得益于極佳的固有準(zhǔn)諧振安全性,我們也應(yīng)該使用ZCD來在平均功率、起始相位及輸出對地短路等條件下保持完全退磁控制,避免應(yīng)力過大及多個元器件的尺寸過大。此舉是通過控制輔助繞組反射電壓來實現(xiàn)的,極佳地映射了次級輸出電壓。
支持CCM高功率工作所增添電路的細(xì)節(jié)
原理:抑制準(zhǔn)諧振零電壓檢測,在功率高于給定限制值條件下支持CCM工作
圖7:連續(xù)導(dǎo)電模式準(zhǔn)諧振反激轉(zhuǎn)換器的詳細(xì)方案
* C231由與供電電壓成正比的負(fù)電壓在初級開關(guān)導(dǎo)電期間充電
* R235和R254及C231組合設(shè)定延遲時間T,晶體管Q206是將電路導(dǎo)通(基于簡單定時器)的開關(guān)
* 在規(guī)定的時間T內(nèi),Q206切換為導(dǎo)通狀態(tài),并將ZCD引腳1拉至地電平(從而以存儲在變壓器中的能量重啟下一個周期)。串聯(lián)電容確保IC輸入端的低電壓電平,即使是在Q206的飽和電壓Vce-sat條件下。
* 由于Q206由直接連接至繞組的電阻R234充電,在次級二極管導(dǎo)電期間,CCM連接至次級端反射電壓:如果反射電壓/次級端輸出電壓過低(如在啟動相位或是輸出對地短路),CCM就不能被激活。
修改前述70W輸出設(shè)計、帶前端PFC的CCM準(zhǔn)諧振反激轉(zhuǎn)換器的峰值功率及示波器截圖
綠色跡線:MOSFET電流 ID(t), 0.5A/div,
黃色跡線:MOSFET電壓 VDS(t), 100V/div,
時間 = 5μs/div
圖8:限制至CCM的中等功率準(zhǔn)諧振反激轉(zhuǎn)換器
測試條件:電源電壓395Vdc,輸出功率POut = 50W
最大電流1.85A@55kHz,以經(jīng)典準(zhǔn)諧振模式在第1個谷底開關(guān)。此特性與以谷底開關(guān)用于較小功率之前述測試相同。
最大電壓(V Max) = 650V
圖 9:采用CCM的大功率準(zhǔn)諧振反激轉(zhuǎn)換器
測試條件:電源電壓395Vdc,輸出功率POut =75W
在CCM及頻率增加至80 kHz從而配合傳輸更多電能且無須較大初級/MOSFET電流條件下的最大電流2A
最大電壓(V Max) = 680V
圖10:采用CCM的峰值功率準(zhǔn)諧振反激轉(zhuǎn)換器
測試條件:電源電壓395Vdc,輸出功率POut = 110W
在CCM及將頻率降低至77kHz從而配合傳輸更多電能(更長導(dǎo)通時間)條件下最大電流為2.7A。此電流低于變壓器的3A飽和電流。
此條件應(yīng)當(dāng)與39kHz條件下(原準(zhǔn)諧振模式下僅70W功率)2.8A電流比較。
最大電壓(V Max) = 760V(低于MOSFET的800V最大漏極-源極電壓)
這種新方案支持增加約50%的功率能力,且無須增加總體組件尺寸及成本(主要是變壓器),保持所有準(zhǔn)諧振額定負(fù)載及安全特性優(yōu)勢。
無前端PFC的CCM準(zhǔn)諧振反激轉(zhuǎn)換器
在低交流主電源電壓條件下功率能力被降低。即使CCM定時器的關(guān)閉時間控制較短(在交流主電源輸入電壓較低的條件下,與供電電壓成正比的反射負(fù)電壓也較?。?,在較低交流主電源條件下較長的導(dǎo)通時間(旨在獲得相同的MOSFET漏極電流)對開關(guān)頻率的影響較小,降低了功率能力。
這種新方案也能夠在無前端PFC的條件下使用,從而增加功率低于75W限制值、不含PFC的應(yīng)用的峰值功率。
新方案的局限
需要顧及此新方案的兩個局限。
CCM應(yīng)用不用于高輸出電壓應(yīng)用,因為高輸出電壓應(yīng)用要求極短反向恢復(fù)時間(trr)的次級端二極管。CCM通常局限用于自然地采用肖特基二極管、電壓低于30Vdc的低壓應(yīng)用(對于19V配接器或打印機(jī)應(yīng)用而言尤為如此)。
在配有次級端同步整流的大輸出電流應(yīng)用中難于使用CCM。次級端同步整流MOSFET在新周期開始之前應(yīng)當(dāng)切換為關(guān)閉狀態(tài),從而避免此雙向開關(guān)短路。變壓器初級端的極高電流將激活初級過流限制功能,并使電源停止工作。
結(jié)論
此新方案使用帶高峰值功率能力的準(zhǔn)諧振反激轉(zhuǎn)換器,與標(biāo)準(zhǔn)準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器相比,將功率能力提高了約50%。針對更高峰值功率的CCM設(shè)計可避免變壓器、MOSFET及次級端二極管尺寸過大。而如今針對平均功率優(yōu)化的設(shè)計可以更為緊湊,且提升了低功率/待機(jī)模式性能,因為增加了變壓器電感,同時保持了針對額定功率準(zhǔn)諧振方案的所有優(yōu)勢。
針對功率低于75W(不含PFC)的應(yīng)用所增加的峰值功率能力,支持減小如今計算機(jī)、游戲機(jī)及打印機(jī)中使用的準(zhǔn)諧振反激配接器的尺寸及成本。已經(jīng)利用安森美半導(dǎo)體NCP1379/1380展示的此方案易于采用極小數(shù)量的低成本元器件設(shè)計。NCP1379/1380也提供谷底鎖定功能,用于提升低功率性能。
應(yīng)用于準(zhǔn)諧振反激電源轉(zhuǎn)換器的連續(xù)導(dǎo)電模式(CCM)結(jié)合了PWM(CCM模式下更高峰值功率能力)和QR(輸出對地短路條件下更低EMI、更低開關(guān)損耗及固有的安全特性)的優(yōu)勢,正在迅速成為未來產(chǎn)品的首選反激方案,提供極佳且固有的安全特性(更低開關(guān)頻率,輸出對地短路)。
圖11:基于NCP1379的CCM準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器GreenPoint(r)參考設(shè)計詳細(xì)及完整初級電路
責(zé)任編輯:gt
-
二極管
+關(guān)注
關(guān)注
147文章
9641瀏覽量
166534 -
轉(zhuǎn)換器
+關(guān)注
關(guān)注
27文章
8705瀏覽量
147195 -
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
147文章
7166瀏覽量
213326
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
評論