0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

斯達(dá)半導(dǎo)擬定增不超35億元,加碼碳化硅功率芯片

我快閉嘴 ? 來源:全球半導(dǎo)體觀察 ? 作者:全球半導(dǎo)體觀察 ? 2021-03-04 15:07 ? 次閱讀

嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡稱“斯達(dá)半導(dǎo)”)發(fā)布2021年度非公開發(fā)行A股股票預(yù)案,公司擬定增不超35億元,投建SiC芯片/功率半導(dǎo)體模塊等項(xiàng)目。

公告顯示,斯達(dá)半導(dǎo)本次非公開發(fā)行股票募集資金總額不超過35億元(含本數(shù)),募集資金扣除相關(guān)發(fā)行費(fèi)用后將用于投資高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)線自動(dòng)化改造項(xiàng)目、以及補(bǔ)充流動(dòng)資金。

政策助力,中國功率半導(dǎo)體迎發(fā)展良機(jī)

第三代半導(dǎo)體具備高頻、高效、高功率、耐高溫高壓等特點(diǎn),契合節(jié)能減排、智能制造等國家重大戰(zhàn)略需求,已成為全球半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)新的競爭焦點(diǎn)。

近年來,國家政策的大力支持給第三代半導(dǎo)體和功率半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展帶來了良好的機(jī)遇。

為推動(dòng)支持SiC等第三代半導(dǎo)體材料的制造及應(yīng)用技術(shù)突破,國家引發(fā)了多項(xiàng)鼓勵(lì)性和支持性政策,將SiC、GaN和AlN等第三代半導(dǎo)體材料納入重點(diǎn)新材料目錄。

國家2030計(jì)劃和“十四五”國家研發(fā)計(jì)劃也已明確第三代半導(dǎo)體是重要發(fā)展方向

國家科技部、工信部、北京市科委牽頭成立了第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA),推動(dòng)我國第三代半導(dǎo)體材料及器件研發(fā)和相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

科技部在國家科技支撐計(jì)劃重點(diǎn)項(xiàng)目《電力電子關(guān)鍵器件及重大裝備研制》中,重點(diǎn)支持IGBT芯片和模塊的研發(fā)。

此外,工信部也在電子發(fā)展基金中也對IGBT器件及模塊進(jìn)行了資助。

目前,中國是全球最大的功率半導(dǎo)體市場,在新基建的產(chǎn)業(yè)環(huán)境下,5G、新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)控制等諸多產(chǎn)業(yè)對功率半導(dǎo)體產(chǎn)生了巨大的需求,隨著功率半導(dǎo)體市場的持續(xù)發(fā)展與國產(chǎn)替代進(jìn)程的加速,功率半導(dǎo)體具有廣闊的市場前景。

斯達(dá)半導(dǎo)加碼碳化硅功率芯片

高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目由斯達(dá)半導(dǎo)全資子公司嘉興斯達(dá)微電子有限公司負(fù)責(zé)實(shí)施,總投資金額20億元。

項(xiàng)目擬通過新建廠房及倉庫等配套設(shè)施,購置光刻機(jī)、顯影機(jī)、刻蝕機(jī)、PECVD、退火爐、電子顯微鏡等設(shè)備,實(shí)現(xiàn)高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后,預(yù)計(jì)將形成年產(chǎn)36萬片功率半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)能力。

斯達(dá)半導(dǎo)體表示,本項(xiàng)目的實(shí)施,有助于加快我國第三代半導(dǎo)體功率器件的技術(shù)突破,實(shí)現(xiàn)新能源汽車核心器件的國產(chǎn)化,改善智能電網(wǎng)、軌道交通等基礎(chǔ)設(shè)施關(guān)鍵零部件嚴(yán)重依賴進(jìn)口的局面,推動(dòng)高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片國產(chǎn)化進(jìn)程。

功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)線自動(dòng)化改造項(xiàng)目由嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司負(fù)責(zé)實(shí)施,總投資金額為7億元。

該項(xiàng)目擬利用現(xiàn)有廠房實(shí)施生產(chǎn)線自動(dòng)化改造項(xiàng)目,購置全自動(dòng)劃片機(jī)、在線式全自動(dòng)印刷機(jī)、在線式全自動(dòng)貼片機(jī)、在線式全自動(dòng)真空回流爐、在線式全自動(dòng)清洗機(jī)等設(shè)備,實(shí)施功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)線自動(dòng)化改造項(xiàng)目。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后,預(yù)計(jì)將形成新增年產(chǎn)400萬片的功率半導(dǎo)體模塊的生產(chǎn)能力。

斯達(dá)半導(dǎo)表示,實(shí)施以IGBT、SiC模塊為主的功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)線自動(dòng)化改造項(xiàng)目,將進(jìn)一步擴(kuò)大公司產(chǎn)能,有助于提高市場占有率。
責(zé)任編輯:tzh

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    456

    文章

    51090

    瀏覽量

    425933
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    334

    文章

    27626

    瀏覽量

    221128
  • IGBT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1268

    文章

    3828

    瀏覽量

    249595
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    29

    文章

    2864

    瀏覽量

    62809
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用

    *附件:國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
    發(fā)表于 01-20 14:19

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步,碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對器件的整體性
    發(fā)表于 01-04 12:37

    碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域 碳化硅材料的特性與優(yōu)勢

    功率器件具有高耐壓、低導(dǎo)通電阻和高頻率的特性,適用于電動(dòng)汽車、太陽能逆變器、高速鐵路牽引驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。 射頻器件 :在5G通信、雷達(dá)、衛(wèi)星通信等領(lǐng)域,碳化硅材料因其高頻特性被用于制造高性能的射頻器件。 照明領(lǐng)域 : LED照明
    的頭像 發(fā)表于 11-29 09:27 ?1967次閱讀

    Wolfspeed碳化硅助力實(shí)現(xiàn)高性能功率系統(tǒng)

    Wolfspeed碳化硅助力實(shí)現(xiàn)高性能功率系統(tǒng)
    發(fā)表于 10-24 10:51 ?0次下載

    碳化硅功率器件的工作原理和應(yīng)用

    碳化硅(SiC)功率器件近年來在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件,碳化硅具有許多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn),使其在高效能、高頻率和高溫環(huán)境下的應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢。本
    的頭像 發(fā)表于 09-13 11:00 ?674次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b>器件的工作原理和應(yīng)用

    碳化硅功率器件的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

    在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件正以其獨(dú)特的性能和優(yōu)勢,逐步成為行業(yè)的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn),使得碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 09-13 10:56 ?802次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b>器件的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

    碳化硅功率器件的原理簡述

    隨著科技的飛速發(fā)展,電力電子領(lǐng)域也迎來了前所未有的變革。在這場變革中,碳化硅(SiC)功率器件憑借其獨(dú)特的性能優(yōu)勢,逐漸成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。本文將深入探討碳化硅功率器件的原理、應(yīng)用、優(yōu)
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:47 ?597次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b>器件的原理簡述

    碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

    碳化硅(SiliconCarbide,簡稱SiC)功率器件是近年來電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅功率器件在性
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:44 ?610次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b>器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

    碳化硅功率器件有哪些優(yōu)勢

    碳化硅(SiC)功率器件是一種基于碳化硅半導(dǎo)體材料的電力電子器件,近年來在功率電子領(lǐng)域迅速嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅(Si)功率器件相比,
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:25 ?671次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b>器件有哪些優(yōu)勢

    碳化硅功率器件的優(yōu)勢和分類

    碳化硅(SiC)功率器件是利用碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件,主要用于高頻、高溫、高壓和高功率的電子應(yīng)用。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件,
    的頭像 發(fā)表于 08-07 16:22 ?647次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b>器件的優(yōu)勢和分類

    基本半導(dǎo)體應(yīng)用于高壓快充的E2B碳化硅功率模塊方案解析

    充電樁采用碳化硅模塊可以增加近30%的輸出功率,減少50%的損耗。目前在充電樁領(lǐng)域,碳化硅應(yīng)用處于快速增長階段,預(yù)計(jì)到2025年將提升至35%,市場規(guī)模將
    的頭像 發(fā)表于 07-04 10:39 ?759次閱讀
    基本半導(dǎo)體應(yīng)用于高壓快充的E2B<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b>模塊方案解析

    碳化硅功率器件:高效能源轉(zhuǎn)換的未來

    碳化硅功率器件是一類基于碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件,常見的碳化硅功率器件包括碳化硅MOSFET(
    的頭像 發(fā)表于 04-29 12:30 ?502次閱讀

    碳化硅芯片設(shè)計(jì):創(chuàng)新引領(lǐng)電子技術(shù)的未來

    隨著現(xiàn)代電子技術(shù)的飛速發(fā)展,碳化硅(SiC)作為一種新型的半導(dǎo)體材料,以其優(yōu)異的物理和化學(xué)性能,在功率電子器件領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。碳化硅芯片的設(shè)計(jì)和制造是實(shí)現(xiàn)其廣泛應(yīng)用的關(guān)鍵環(huán)節(jié)
    的頭像 發(fā)表于 03-27 09:23 ?1231次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>芯片</b>設(shè)計(jì):創(chuàng)新引領(lǐng)電子技術(shù)的未來

    碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

    和發(fā)電機(jī)繞組以及磁線圈中的高關(guān)斷電壓。 棒材和管材EAK碳化硅壓敏電阻 這些EAK非線性電阻壓敏電阻由碳化硅制成,具有高功率耗散和高能量吸收。該系列采用棒材和管材制造,外徑范圍為 6 至 30
    發(fā)表于 03-08 08:37

    開年以來共有7家碳化硅企業(yè)獲得18.5億元融資

    昨日,國內(nèi)又有2家碳化硅企業(yè)完成新一輪融資,共獲億元融資。
    的頭像 發(fā)表于 02-21 10:22 ?926次閱讀
    開年以來共有7家<b class='flag-5'>碳化硅</b>企業(yè)獲得<b class='flag-5'>超</b>18.5<b class='flag-5'>億元</b>融資