單晶硅片的用途
單晶硅具有基本完整的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的晶體。不同的方向具有不同的性質(zhì),是一種良好的半導(dǎo)材料。純度要求達(dá)到99.9999%,甚至達(dá)到99.9999999%以上。用于制造半導(dǎo)體器件、太陽(yáng)能電池等。用高純度的多晶硅在單晶爐內(nèi)拉制而成。
用途:?jiǎn)尉Ч杈哂薪饎偸Ц?,晶體硬而脆,具有金屬光澤,能導(dǎo)電,但導(dǎo)電率不及金屬,且隨著溫度升高而增加,具有半導(dǎo)體性質(zhì)。單晶硅是重要的半導(dǎo)體材料。在單晶硅中摻入微量的第IIIA族元素,形成P型半導(dǎo)體,摻入微量的第VA族元素,形成N型,N型和P型半導(dǎo)體結(jié)合在一起,就可做成太陽(yáng)能電池,將輻射能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔堋?/p>
單晶硅是制造半導(dǎo)體硅器件的原料,用于制大功率整流器、大功率晶體管、二極管、開(kāi)關(guān)器件等。在開(kāi)發(fā)能源方面是一種很有前途的材料。
單晶硅按晶體生長(zhǎng)方法的不同,分為直拉法(CZ)、區(qū)熔法(FZ)和外延法。直拉法、區(qū)熔法生長(zhǎng)單晶硅棒材,外延法生長(zhǎng)單晶硅薄膜。直拉法生長(zhǎng)的單晶硅主要用于半導(dǎo)體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽(yáng)能電池。
單晶硅的化學(xué)式
SI是單晶硅的化學(xué)表達(dá)式。
Si(粗硅) + 2Cl2 ==高溫== SiCl4
2H2 + SiCl4 ==高溫== Si(單晶硅) + 4HCl
硅單晶制備,需要實(shí)現(xiàn)從多晶到單晶的轉(zhuǎn)變,即原子由液相的隨機(jī)排列直接轉(zhuǎn)變?yōu)橛行蜿嚵校刹粚?duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)。這種轉(zhuǎn)變不是整體效應(yīng),而是通過(guò)固液界面的移動(dòng)逐漸完成的,為實(shí)現(xiàn)上述轉(zhuǎn)化過(guò)程,多晶硅就要經(jīng)過(guò)固態(tài)硅到熔融態(tài)硅,再到固態(tài)晶體硅的轉(zhuǎn)變,這就是從熔融硅中生長(zhǎng)單晶硅所要遵循的途徑。目前應(yīng)用最廣泛的有兩種,坩堝直拉法和無(wú)坩堝懸浮區(qū)熔法,這兩種方法得到的單晶硅分別稱(chēng)為CZ硅和FZ硅。
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單晶硅
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