湖南三安半導(dǎo)體項(xiàng)目最大單體M2B芯片廠房順利完成封頂

據(jù)長(zhǎng)沙晚報(bào)報(bào)道，2021年1月19日，湖南三安半導(dǎo)體項(xiàng)目最大單體M2B芯片廠房順利完成封頂，此次封頂標(biāo)志著這座湖南省境內(nèi)的首個(gè)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目（一期）Ⅰ標(biāo)段完成全面封頂，預(yù)計(jì)該項(xiàng)目在2021年中有望實(shí)現(xiàn)全面投產(chǎn)。

據(jù)了解，該項(xiàng)目分兩期建設(shè)，當(dāng)前項(xiàng)目一期主要包含碳化硅長(zhǎng)晶、襯底、外延、芯片、器件封裝等廠房及相關(guān)配套設(shè)施建設(shè)，項(xiàng)目全面建成投產(chǎn)后將形成兩條并行的碳化硅研發(fā)、生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)線，產(chǎn)品為高質(zhì)量、低成本、高穩(wěn)定性碳化硅襯底及各類器件，可廣泛用于新能源汽車、高鐵機(jī)車、航空航天和無線（5G）通訊等。

據(jù)集微網(wǎng)此前消息顯示，2020年12月，湖南三安半導(dǎo)體項(xiàng)目（一期）Ⅰ標(biāo)段濺度廠房實(shí)現(xiàn)主體結(jié)構(gòu)封頂。

據(jù)悉，長(zhǎng)沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目，總占地面積1000畝、投資160億元，主要建設(shè)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的襯底（碳化硅）、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地，項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后將形成超百億元的產(chǎn)業(yè)規(guī)模，并帶動(dòng)上下游配套產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值預(yù)計(jì)逾千億元。

2020年7月20日，長(zhǎng)沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目開工活動(dòng)在長(zhǎng)沙高新區(qū)舉行。

責(zé)任編輯：xj